SC9911 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 40 x 50 mm

Rekristallisierter Siliciumcarbid-Träger 40 x 50 mm Beschreibung

Der rekristallisierte Siliciumcarbid-Träger 40 x 50 mm besteht hauptsächlich aus SiC mit einem Reinheitsgrad von mindestens 99 % und einer Dichte von etwa 2,7 g/cm³. Seine Abmessungen ermöglichen die Kompatibilität mit Standardbearbeitungsgeräten in industriellen Umgebungen. Der kontrollierte Rekristallisationsprozess verfeinert das Korngefüge und gewährleistet stabile mechanische Eigenschaften und Leistungen bei Hochtemperaturanwendungen bis zu 1650 ℃. Diese Beständigkeit kommt der Integration in thermische und strukturelle Systeme zugute.

Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 40 x 50 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen im Hochtemperaturbereich
- Verwendung als Strukturträger in Ofenkomponenten zur Erzielung einer gleichmäßigen Tragfähigkeit durch Ausnutzung der verfeinerten Mikrostruktur.
- Anwendung als Wärmeverteiler in Verarbeitungsanlagen zur Steuerung der Wärmeverteilung durch seine bemerkenswerte thermische Stabilität.

Fortschrittliche Elektronik und mechanische Systeme
- Dient als Präzisionskomponente in Halbleiterfertigungsanlagen zur Aufrechterhaltung der Maßgenauigkeit bei Temperaturwechseln durch Nutzung seiner kontrollierten rekristallisierten Struktur.

Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 40 x 50 mm Verpackung

Der Träger wird in kundenspezifisch geformten Schaumstoffeinsätzen in versiegelten, antistatischen Behältern verpackt, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Hartpapier- oder Pappkartons sichern das Produkt zusätzlich während des Transports. Die Lagerungsrichtlinien empfehlen, die Träger in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung aufzubewahren. Optionale Verpackungsanpassungen, wie z. B. eine klare Etikettierung und eine feuchtigkeitssperrende Auskleidung, sind erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Durch welche Qualitätskontrollmaßnahmen wird die Mikrostruktur des Strahls überprüft?
A1: Der Strahl wird einer REM-Bildgebung und einer Zusammensetzungsanalyse unterzogen, um die Gleichmäßigkeit seiner rekristallisierten Struktur zu bewerten und sicherzustellen, dass nur minimale interne Abweichungen auftreten, die die Leistung bei Hochtemperaturanwendungen beeinträchtigen könnten.

F2: Wie verhält sich das Material bei wiederholten Temperaturwechseln?
A2: Der kontrollierte Rekristallisationsprozess verbessert die thermische Stabilität des Trägers, so dass er wiederholten Heizzyklen ohne wesentliche Dimensionsänderungen standhalten kann, was für einen gleichmäßigen Betrieb in industriellen Systemen entscheidend ist.

F3: Welche Lagerungsbedingungen sind erforderlich, um die Integrität des Strahls zu erhalten?
A3: Der Strahl sollte in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung gelagert werden. Die versiegelte, antistatische Verpackung minimiert Verunreinigungen und mechanische Beanspruchung und trägt dazu bei, die strukturellen Eigenschaften des Materials über lange Zeit zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) wird aufgrund seiner bemerkenswerten Härte, Wärmeleitfähigkeit und Verschleißfestigkeit in der Keramiktechnik eingehend untersucht. Durch den Rekristallisationsprozess wird die Mikrostruktur verfeinert, wodurch diese inhärenten Eigenschaften verbessert werden und die Eignung für anspruchsvolle Umgebungen erhöht wird. Diese Eigenschaften machen SiC zu einem wichtigen Werkstoff in der Hochleistungskeramik.

Die Anwendung von rekristallisiertem SiC in Bereichen wie der Hochtemperaturverarbeitung und der Präzisionsausrüstung unterstreicht seine Bedeutung in modernen industriellen Systemen. Ein detailliertes Verständnis seiner mikrostrukturellen Integrität und seines thermischen Verhaltens hilft den Ingenieuren bei der Entwicklung von Komponenten, die schweren Betriebsbedingungen standhalten.