SC9909 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 30 x 40 mm

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Träger 30 x 40 mm Beschreibung

Der rekristallisierte Siliziumkarbid-Träger 30 x 40 mm wird in einem kontrollierten Rekristallisationsverfahren hergestellt, das zu einer gleichmäßigen Mikrostruktur führt, die für Hochtemperaturanwendungen optimal ist. Der Balken besteht aus SiC mit einer Mindestreinheit von 99 %, und seine Dichte von ca. 2,7 g/cm³ gewährleistet strukturelle Stabilität. Die festen Abmessungen erleichtern die zuverlässige Integration in keramische Baugruppen, insbesondere in Umgebungen, die eine Beständigkeit gegen thermische Spannungen und mechanische Verformung erfordern.

Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 30 x 40 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Wärmemanagementkomponente in feuerfesten Öfen zur Aufrechterhaltung der thermischen Stabilität durch Ausnutzung der hohen Betriebstemperaturtoleranz.
- Anwendung als Strukturelement in Hochtemperaturverarbeitungsanlagen zur Erhaltung der Maßhaltigkeit durch kontrollierte Dichte.

Elektronische Anwendungen
- Dient als Substrat in der Leistungselektronik zur Unterstützung einer stabilen Leistung durch Nutzung seiner gleichmäßigen Zusammensetzung und Beständigkeit gegen Temperaturwechsel.
- Wird häufig für Schaltungskomponenten in extremen thermischen Umgebungen verwendet, um die Integrität und Leistung durch seine hohe Reinheit zu erhalten.

Keramische Herstellung
- Wird als Baustein in feuerfesten keramischen Systemen verwendet, um die strukturelle Integrität unter thermischer Belastung durch die Nutzung seiner gleichmäßigen Abmessungen zu erhalten.
- Wird in Herstellungsprozessen eingesetzt, bei denen die thermische Beständigkeit entscheidend ist, und profitiert von der Fähigkeit des Materials, hohen Temperaturen standzuhalten.

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl 30 x 40 mm Packung

Der rekristallisierte Siliziumkarbid-Strahl wird in schaumstoffgefütterten, antistatischen Behältern verpackt, um mechanische Einwirkungen zu minimieren und Verunreinigungen durch Partikel zu verhindern. Trocknungsmittel sind enthalten, um die Feuchtigkeit während der Lagerung zu kontrollieren. Das Verpackungsdesign unterstützt die temperaturkontrollierte Lagerung, und es sind kundenspezifische Optionen verfügbar, um spezifische Transport- und Lagerbedingungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Reinheitsgrad von ≥99% auf die Leistung des Siliziumkarbidstrahls aus?
A1: Der hohe Reinheitsgrad verringert das Vorhandensein von chemischen Verunreinigungen und minimiert die Defektkonzentration. Dies trägt zu einer verbesserten strukturellen Integrität bei und begrenzt die Bildung von Mikrorissen während thermischer Wechselbeanspruchung, was die Leistung des Strahls bei Keramik- und Hochtemperaturanwendungen verbessert.

F2: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Eigenschaften des Siliziumkarbidstrahls zu erhalten?
A2: Es ist ratsam, den Strahl in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung zu lagern. Die mitgelieferte antistatische und gepolsterte Verpackung minimiert mechanische Stöße und den Kontakt mit Feuchtigkeit, so dass die strukturellen und thermischen Eigenschaften des Materials über lange Zeit erhalten bleiben.

F3: Können die Oberflächenbeschaffenheit oder die Abmessungen des Trägers für bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A3: Obwohl die Standardabmessungen 30 x 40 mm betragen, sind Oberflächenbehandlungen wie zusätzliche Bearbeitungen oder Polieren auf Anfrage möglich. Nach Rücksprache mit den technischen Mitarbeitern von SAM können mögliche Anpassungen an spezifische Integrationsanforderungen ermittelt werden.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) ist bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und Beständigkeit gegen chemische Korrosion. Der Rekristallisationsprozess verfeinert die Mikrostruktur, reduziert Defekte und verbessert die Leistung unter thermischer Belastung. Diese Eigenschaften sind entscheidend für Anwendungen, bei denen Langlebigkeit und thermische Stabilität von entscheidender Bedeutung sind.

Die Fortschritte in der keramischen Werkstoffkunde zeigen immer wieder die Vorteile der Verwendung veredelter SiC-Bauteile für Hochtemperaturanwendungen. Die Integration detaillierter Qualitätskontrollmaßnahmen, einschließlich mikroskopischer Oberflächenanalysen, unterstützt die Entwicklung von Herstellungsverfahren, die gleichbleibende Materialeigenschaften für eine Reihe von industriellen und elektronischen Anwendungen gewährleisten.