SC9908 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 30 x 30 mm

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl 30 x 30 mm Beschreibung

Der rekristallisierte Siliziumkarbid-Strahl 30 x 30 mm wird aus SiC mit einer Reinheit von ≥99% hergestellt. Seine präzisen Abmessungen von 30 x 30 mm erleichtern die Kompatibilität mit Standard-Hochtemperaturbearbeitungsanlagen. Die Dichte des Materials (~2,7 g/cm³) trägt zu seiner mechanischen Stabilität und thermischen Trägheit bei. Die rekristallisierte Mikrostruktur minimiert die Defektdichte und unterstützt Anwendungen, die chemische Inertheit und anhaltende thermische Beständigkeit erfordern.

Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl 30 x 30 mm Anwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Strukturbauteil in Hochtemperaturöfen, um Probleme mit der thermischen Ausdehnung durch Ausnutzung der hohen Betriebstemperaturtoleranz zu mindern und so die Betriebsstabilität zu erhalten.
- Anwendung als Wärmemanagement-Element in Verarbeitungsanlagen, um hitzebedingten Verformungen entgegenzuwirken, indem seine hohe Dichte und chemische Inertheit genutzt wird, wodurch die Prozesssicherheit erhöht wird.

Elektronische Anwendungen
- Verwendung als isolierendes Substrat in Leistungselektronikmodulen zur Bewältigung von Problemen bei der Wärmeableitung durch Nutzung der stabilen Mikrostruktur, die eine gleichbleibende Leistung unter hohen Leistungsbedingungen gewährleistet.
- Einsatz als Trägermaterial in Hochtemperatursensoren zur Bekämpfung von Signaldrift aufgrund von thermischer Belastung durch Ausnutzung der Dimensionsstabilität und Reinheit, wodurch die Messgenauigkeit erhalten bleibt.

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl 30 x 30 mm Packung

Der rekristallisierte Siliziumkarbidbalken 30 x 30 mm ist sicher in einem feuchtigkeitsbeständigen, antistatischen Behälter mit interner Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Beschädigungen zu verhindern. Das Verpackungsdesign umfasst Partikelbarrieren und eine kontrollierte Atmosphäre, um das Kontaminationsrisiko zu verringern. Zu den empfohlenen Lagerungsbedingungen gehören niedrige Luftfeuchtigkeit und temperaturkontrollierte Umgebungen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich maßgeschneiderter Etikettierung und zusätzlicher Schutzmaßnahmen, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welchen Einfluss hat der hohe Reinheitsgrad (≥99%) von SiC auf seine Leistung?
A1: Der hohe Reinheitsgrad von SiC reduziert verunreinigungsbedingte Defekte, was zu einer verbesserten strukturellen Integrität und thermischen Stabilität führt. Dies ist von entscheidender Bedeutung für die Aufrechterhaltung einer konstanten maßlichen und mechanischen Leistung, insbesondere in Hochtemperaturumgebungen.

F2: Wie wirkt sich die Betriebstemperatur von ≤1650 ℃ auf die Anwendungseignung aus?
A2: Bei einer Betriebstemperatur von ≤1650 ℃ kann das Material seine Struktur auch unter extremen thermischen Bedingungen beibehalten. Aufgrund dieser Eigenschaft eignet es sich für Bauteile, die großer Hitze ausgesetzt sind, und gewährleistet eine minimale thermische Zersetzung bei längerem Gebrauch.

F3: Können sich Abweichungen bei den Abmessungen von 30 x 30 mm auf die Funktionalität des Trägers auswirken?
A3: Die Maßgenauigkeit ist für die Integration in Präzisionsbearbeitungsgeräte unerlässlich. Abweichungen können zu Unstimmigkeiten bei der Montage oder zu einer veränderten Wärmeverteilung führen, was die Gesamtleistung des Systems beeinträchtigen kann.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) ist in der Materialwissenschaft weithin für seine außergewöhnliche thermische und chemische Stabilität bekannt. Seine einzigartige Kristallstruktur ermöglicht eine Leistung unter Bedingungen, bei denen herkömmliche Keramiken versagen können, was es zu einem Material der Wahl für Anwendungen macht, die hohe Temperaturbeständigkeit und Unempfindlichkeit gegenüber korrosiven Umgebungen erfordern.

Jüngste Fortschritte bei den Rekristallisationstechniken haben die mikrostrukturelle Einheitlichkeit von SiC-Komponenten weiter verbessert. Dieser Fortschritt unterstützt Anwendungen in allen Industrie- und Elektroniksektoren, indem er sicherstellt, dass die Komponenten auch bei schnellen Temperaturwechseln und hohen mechanischen Belastungen gleichbleibend funktionieren.