SC9907 Rekristallisierter Siliziumkarbidstrahl

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl Beschreibung

Rekristallisierter Siliziumkarbid-Strahl ist eine fortschrittliche keramische Form von SiC mit einer Mindestreinheit von 99 % und einer ungefähren Dichte von 2,7 g/cm³. Seine Balkenstruktur unterstützt die präzise Bearbeitung und Integration in Baugruppen, bei denen die Maßgenauigkeit entscheidend ist. Das Material ist bis zu 1650 ℃ stabil und eignet sich daher für Hochtemperaturanwendungen. Die kundenspezifischen Abmessungen ermöglichen es den Ingenieuren, spezifische Designanforderungen in verschiedenen industriellen und elektronischen Systemen zu erfüllen.

Rekristallisiertes Siliziumkarbid - Strahlanwendungen

Industrielle Anwendungen
- Verwendung als Strukturbauteil in Hochtemperatur-Verarbeitungsanlagen, um der thermischen Ausdehnung entgegenzuwirken, indem die Stabilität und die kontrollierte Mikrostruktur von SiC genutzt werden.

Elektronische Anwendungen
- Einsatz als Substrat in Leistungsmodulen zur Bewältigung thermischer Belastungen durch Nutzung der hohen Reinheit und der Strahlform des Materials für eine präzise Maßkontrolle.

Rekristallisierte Siliziumkarbid-Strahlpackung

Der Strahl wird in einem maßgeschneiderten Schutzgehäuse mit antistatischen Maßnahmen verpackt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu minimieren. Er ist in stoßabsorbierendem Schaumstoff in einer feuchtigkeitsbeständigen Hülle verpackt und sollte in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung gelagert werden, um die Integrität des Materials zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich maßgeschneiderter Behältergrößen und zusätzlicher Polsterung, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Reinheit des Siliziumkarbids für den Strahl bestätigt?
A1: Die Reinheit wird durch Röntgenbeugung und energiedispersive Spektroskopie überprüft, um sicherzustellen, dass das Material den Grenzwert von ≥99 % erreicht oder überschreitet. Diese Methoden liefern eine detaillierte Analyse der elementaren Zusammensetzung und der kristallinen Struktur, die für Hochtemperaturanwendungen entscheidend sind.

F2: Was ist bei der Anpassung der Abmessungen des Strahls zu beachten?
A2: Die Anpassung an Kundenwünsche erfordert präzise Bearbeitungstoleranzen und ein Verständnis des Wärmeausdehnungsverhaltens. Die Ingenieure müssen die spezifische Anwendungsumgebung und die mechanischen Belastungsanforderungen berücksichtigen, um sicherzustellen, dass die endgültigen Abmessungen die strukturelle Integrität unter Betriebsbelastung aufrechterhalten.

F3: Wie beeinflusst die Betriebstemperaturgrenze die Bearbeitungsentscheidungen?
A3: Die Betriebstemperaturgrenze von ≤1650 ℃ definiert den Wärmewiderstand des Materials und bestimmt die Verarbeitungsumgebung. Dieser Parameter dient als Richtschnur für die Auswahl kompatibler Halterungen und Schutzbeschichtungen bei Hochtemperaturanwendungen, um sicherzustellen, dass der Strahl seine Integrität ohne thermische Beeinträchtigung beibehält.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbidkeramik wird aufgrund ihrer hohen chemischen Inertheit und thermischen Stabilität eingehend untersucht. Die kristalline Struktur von SiC bietet ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Härte und geringem Gewicht, was es zu einer bevorzugten Wahl für Anwendungen macht, die thermischen und mechanischen Belastungen ausgesetzt sind. Forscher erforschen weiterhin optimierte Sintertechniken, um die Gleichmäßigkeit der Mikrostruktur weiter zu verbessern.

In der Industrie erfüllen Siliziumkarbidwerkstoffe wichtige Aufgaben, bei denen Wärmemanagement und strukturelle Unterstützung von entscheidender Bedeutung sind. Fortschritte bei den Charakterisierungstechniken, wie z. B. REM und XRD, haben eine verbesserte Qualitätskontrolle ermöglicht und gewährleisten, dass Produkte wie der rekristallisierte Siliziumkarbidstrahl strenge technische Standards für anspruchsvolle Anwendungen erfüllen.