SC9905 Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte 30 mm dick

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte, 30 mm dick Beschreibung

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten mit einer Dicke von 30 mm werden aus SiC mit einer Reinheit von ≥99% hergestellt und weisen eine Dichte von etwa 2,7 g/cm³ auf. Die große Dicke der Platte und ihre keramischen Eigenschaften erlauben es ihr, erhöhten Temperaturen bis zu 1650 ℃ standzuhalten. Diese Formulierung bietet eine kontrollierte Kornstruktur und minimale Einschlüsse, die für die Aufrechterhaltung der strukturellen Integrität und der thermischen Stabilität in anspruchsvollen industriellen Umgebungen unerlässlich sind.

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten, 30 mm dick Anwendungen

Industrielle Hochtemperaturanwendungen
- Verwendung als feuerfeste Komponente in Ofenauskleidungen, um ein stabiles Wärmemanagement zu erreichen, indem die Fähigkeit des Materials genutzt wird, Temperaturen bis zu 1650 ℃ standzuhalten.
- Anwendung als Strukturelement in Wärmetauschern zur Aufrechterhaltung der Dimensionsstabilität und zum Schutz vor Temperaturschocks.

Halbleiter- und Elektronikfertigung
- Wird als Substrat in Hochtemperaturverarbeitungsanlagen verwendet, um durch seine hochreine Zusammensetzung und seine robusten Formeigenschaften eine gleichbleibende Leistung zu erzielen.

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte, 30 mm dick Verpackung

Das Produkt ist in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter verpackt, um mechanische Beanspruchung zu mindern und Oberflächenverunreinigungen zu vermeiden. Eine Schutzhülle und inerte Barrierefolien sichern die Platte während des Transports. Es wird empfohlen, das Material in einer trockenen, temperaturkontrollierten Umgebung zu lagern, um es vor Feuchtigkeit und Temperaturschwankungen zu schützen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich spezieller Etiketten und Unterteilung in Fächer, sind je nach den spezifischen Handhabungs- und Lagerungsanforderungen erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die ≥99%ige Reinheit der SiC-Platte auf ihre Betriebsleistung aus?
A1: Der hohe Reinheitsgrad minimiert durch Verunreinigungen verursachte Defekte, die die Struktur unter thermischer Belastung schwächen könnten. Dies führt zu einer gleichmäßigeren Mikrostruktur, die für die Aufrechterhaltung der mechanischen Integrität bei Hochtemperaturbetrieb unerlässlich ist.

F2: Kann die Platte kontinuierlich bei Temperaturen um 1650℃ betrieben werden?
A2: Die angegebene Betriebstemperatur zeigt an, dass das Blech einer längeren Hochtemperaturbelastung standhalten kann. Die Konstrukteure sollten jedoch die Betriebsumgebung, einschließlich der Temperaturwechsel, berücksichtigen, um die langfristige Stabilität zu gewährleisten.

Q3: Welche Vorsichtsmaßnahmen sind bei der Reinigung der SiC-Platte zu treffen?
A3: Reinigen Sie die Platte mit entionisiertem Wasser und milden Lösungsmitteln, die nicht scheuern. Vermeiden Sie scharfe Chemikalien, die die Oberflächeneigenschaften verändern können. Es wird ein kontrollierter Reinigungsprozess empfohlen, um die für Hochtemperaturanwendungen erforderliche Integrität zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbidkeramik ist für ihre außergewöhnliche thermische Stabilität und chemische Inertheit bekannt, wodurch sie sich für industrielle Hochleistungsanwendungen eignet. Durch den Rekristallisationsprozess wird die Kornstruktur verfeinert, wodurch die inneren Spannungen reduziert und das Risiko der Rissausbreitung unter Temperaturschockbedingungen verringert werden.

Das Verständnis der mikrostrukturellen Entwicklung während des Sinterns und der Rekristallisation ist für Materialwissenschaftler von entscheidender Bedeutung. Durch optimierte Verarbeitungsparameter lassen sich einheitliche Eigenschaften erzielen, die für Anwendungen mit hohen thermischen Belastungen und korrosiven Umgebungen unerlässlich sind. Dieses Wissen hilft bei der Entwicklung von Werkstoffen, die unter strengen Betriebsbedingungen gleichbleibende Leistungen erbringen.