SC9902 Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte 10 mm dick

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten, 10 mm dick Beschreibung

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten mit einer Dicke von 10 mm werden aus hochreinem (>99%) SiC mit einer Dichte von etwa 2,7 g/cm³ hergestellt. Mit präziser Maßkontrolle und einer Betriebstemperatur von bis zu 1650 ℃ ist die Platte für Anwendungen konzipiert, bei denen Wärmemanagement und strukturelle Integrität entscheidend sind. Ihre rekristallisierte Struktur minimiert Defekte und unterstützt eine gleichbleibende Leistung in industriellen und elektronischen Prozessen.

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte 10 mm dick Anwendungen

Elektronik und Halbleiterverarbeitung
- Verwendung als Substrat in leistungselektronischen Geräten, um eine effektive Wärmeableitung zu erreichen, indem die hochreine Zusammensetzung und die stabilen thermischen Eigenschaften genutzt werden.
- Wird in Halbleitergeräten eingesetzt, um kontrollierte Temperaturwechsel zu unterstützen und Probleme mit der Materialausdehnung durch die gleichmäßige Mikrostruktur zu minimieren.

Industrielle Hochtemperatursysteme
- Wird als strukturelle Komponente in Ofenauskleidungen eingesetzt, um thermische Verformungen durch die Nutzung seiner Dimensionsstabilität zu minimieren.
- Dient als Wärmemanagement-Element in Hochtemperatur-Verarbeitungssystemen zur Unterstützung eines dauerhaften Betriebs unter erhöhten thermischen Belastungen.

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatte, 10 mm dick Verpackung

Die Platte wird in stabilen, antistatischen Behältern mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Stöße zu reduzieren. Die Schutzverpackung minimiert die Verunreinigung durch Partikel während des Transports. Die Platten werden unter temperaturkontrollierten Bedingungen gelagert, um die Materialintegrität zu erhalten. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Feuchtigkeitsbarrieresiegeln und individueller Beschriftung, sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Lagerungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich die hochreine SiC-Zusammensetzung auf die thermische Leistung der Platte aus?
A1: Das hochreine SiC minimiert Störungen durch Verunreinigungen und gewährleistet ein stabiles Wärmemanagement bis zu 1650 ℃. Diese einheitliche Zusammensetzung unterstützt die gleichmäßige Wärmeableitung in industriellen Hochtemperaturumgebungen.

F2: Welche Qualitätskontrollverfahren werden bei der Herstellung eingesetzt?
A2: SAM verwendet detaillierte mikrostrukturelle Auswertungen in Kombination mit Röntgenbeugungsanalysen, um die Kornorientierung und das Ausmaß von Defekten zu ermitteln. Diese Messungen helfen dabei, die Einhaltung der technischen Spezifikationen in jeder Produktionscharge zu überprüfen.

F3: Können die Abmessungen der Platten für bestimmte technische Anwendungen angepasst werden?
A3: Ja, es gibt Anpassungsmöglichkeiten für die Dicke und andere Abmessungen. Kunden können maßgeschneiderte Größen anfordern, wobei die inhärenten Eigenschaften des Materials konstant bleiben.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbidkeramik ist bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit und chemische Inertheit und wird häufig in Umgebungen eingesetzt, die eine hohe Temperaturwechselbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Die physikalischen Eigenschaften des Materials unterstützen die Leistung in Anwendungen, die von der Leistungselektronik bis zu Industrieofenkomponenten reichen.

Fortschritte in der Rekristallisationstechnik haben die Mikrostruktur von SiC verfeinert, wodurch Korngrenzendefekte reduziert und die mechanische Stabilität verbessert wurden. Dadurch eignet sich die Keramikplatte besonders für Anwendungen, bei denen Präzision und Haltbarkeit unter Hochtemperaturbedingungen entscheidend sind.