SC9901 Platte aus rekristallisiertem Siliziumkarbid

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten Beschreibung

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten werden aus hochreinem (≥99%) SiC hergestellt und weisen eine konstante Dichte von etwa 2,7 g/cm³ auf. Die Plattenform eignet sich für die Integration in industrielle Standardsysteme und Hochtemperaturverarbeitungsanlagen. Der kontrollierte Rekristallisationsprozess minimiert mikrostrukturelle Defekte und verbessert die thermische Leistung, was für Anwendungen, die eine effiziente Wärmeableitung und strukturelle Stabilität unter extremen Bedingungen erfordern, entscheidend ist.

Anwendungen für rekristallisierte Siliziumkarbidplatten

Elektronik
- Verwendung als Substrat in Hochtemperatur-Sensormodulen, um die thermische Belastung durch Ausnutzung der thermischen Stabilität von SiC zu reduzieren.
- Anwendung als Schutzbarriere in Halbleiterverarbeitungsanlagen zur Aufrechterhaltung der Komponentenintegrität bei hohen Temperaturen durch Ausnutzung der rekristallisierten Mikrostruktur.

Industrielle Ausrüstung
- Dient als thermischer Spreizer in Ofenauskleidungen, um eine gleichmäßige Wärmeverteilung zu erreichen, indem seine hohe Betriebstemperaturkapazität ausgenutzt wird.
- Wird als Stützelement in Hochtemperaturreaktoren verwendet, um hitzebedingte Verformungen durch Ausnutzung seiner strukturellen Gleichmäßigkeit und Dichte zu verringern.

Rekristallisierte Siliziumkarbid-Plattenpackung

Rekristallisierte Siliziumkarbidplatten werden in antistatischen, feuchtigkeitsbeständigen Beuteln verpackt und in speziell angepassten, gepolsterten Behältern gesichert. Die Lagerung in einer temperaturgeregelten Einrichtung wird empfohlen, um Temperaturschwankungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die versiegelte Verpackung minimiert das Eindringen von Staub und bietet Optionen für die Etikettierung und Unterteilung in Fächer, um den spezifischen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden und die Produktintegrität während des Transports zu erhalten.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Rekristallisationsprozess auf die thermische Leistung der Platte aus?
A1: Der Rekristallisationsprozess verfeinert das SiC-Mikrogefüge und minimiert Korngrenzendefekte, was die Wärmeleitfähigkeit und Stabilität verbessert. Dies führt zu einer verbesserten Leistung bei längerem Hochtemperaturbetrieb.

F2: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden bei der Herstellung angewendet?
A2: Die Produktion wird mittels Rasterelektronenmikroskopie und Röntgenbeugung bewertet, um die Gleichmäßigkeit des Gefüges und die Maßgenauigkeit zu überprüfen. Diese Kontrollen tragen dazu bei, die Konsistenz der Hochtemperaturleistungsparameter aufrechtzuerhalten.

F3: Können die Abmessungen der Platten auf spezifische Geräteanforderungen zugeschnitten werden?
A3: Ja, das Produkt kann in den Abmessungen angepasst werden. Ingenieure können die Größenanforderungen spezifizieren, um eine optimale Integration in bestehende Hochtemperatursysteme zu gewährleisten und so die Kompatibilität der Komponenten insgesamt zu verbessern.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) wird in der Materialwissenschaft wegen seiner hohen Wärmeleitfähigkeit, Härte und Stabilität bei hohen Temperaturen geschätzt. Seine kristalline Struktur, die durch kontrollierte Rekristallisation erreicht wird, bietet eine verbesserte Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Das Verständnis dieser inhärenten Materialeigenschaften ist für die Entwicklung von Komponenten, die den strengen Anforderungen moderner industrieller Systeme genügen, von entscheidender Bedeutung.

Fortschritte bei den keramischen Verarbeitungstechniken haben die Kontrolle über die Mikrostruktur von SiC verbessert, die Defektdichte verringert und eine wiederholbare Leistung unter thermischer Belastung gewährleistet. Diese Verbesserungen tragen zu einer breiteren Anwendung in der Hochtemperaturelektronik, der industriellen Verarbeitung und in präzisen Wärmemanagementsystemen bei.