SC9900 Rekristallisierte Siliziumkarbidrolle

Rekristallisierte Siliziumkarbidwalze Beschreibung

Die rekristallisierte Siliziumkarbidwalze wird aus hochreinem SiC hergestellt und weist eine Dichte von ca. 2,7 g/cm³ auf. Die anpassbaren Abmessungen erleichtern die Integration in Systeme mit spezifischen räumlichen Anforderungen. Das Material hält Betriebstemperaturen von bis zu 1650 ℃ stand und eignet sich somit für thermische Verarbeitungsanwendungen. Seine rekristallisierte Mikrostruktur ist optimiert, um mechanischer Beanspruchung und Temperaturwechseln standzuhalten, was es zu einer funktionalen Wahl in industriellen Hochtemperaturumgebungen macht.

Anwendungen für rekristallisierte Siliziumkarbidrollen

1.elektronische Prozessausrüstung
- Verwendung als Transportrolle in Hochtemperatur-Ofensystemen, um durch die stabile Mikrostruktur eine gleichmäßige Wärmeverteilung zu erreichen.

2.industrieller Materialtransport
- Einsatz als verschleißfeste Komponente in automatisierten Produktionslinien zur Aufrechterhaltung eines gleichmäßigen Materialflusses unter Ausnutzung der hochreinen, dichten Zusammensetzung.

Rekristallisierte Siliziumkarbid-Rollenpackung

Rekristallisierte Siliziumkarbidwalzen sind in speziell geformten Schaumstoffeinsätzen verpackt, die in versiegelten, antistatischen Behältern untergebracht sind, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Verpackung ist für die Lagerung bei niedriger Luftfeuchtigkeit und Raumtemperatur ausgelegt, um die physikalischen Eigenschaften zu bewahren. Schutzfolien und Polsterungen sind integriert, um Oberflächenabrieb zu verhindern. Kundenspezifische Etikettierung und unterteilte Verpackungsoptionen sind verfügbar, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Maßnahmen zur Qualitätskontrolle werden bei der Walze durchgeführt?
A1: Der Produktionsprozess umfasst die Rasterelektronenmikroskopie (REM), um die Oberflächenbeschaffenheit zu bewerten und mikrostrukturelle Unstimmigkeiten zu erkennen. Zusätzlich wird die Röntgenbeugung eingesetzt, um den Rekristallisationsprozess zu überprüfen und sicherzustellen, dass das Material Eigenschaften beibehält, die für Hochtemperaturanwendungen geeignet sind.

F2: Wie wird die Reinheit des Siliziumkarbids während der Herstellung überprüft?
A2: Die Reinheit wird durch Verfahren wie die optische Emissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma (ICP-OES) und Dichtemessungen bestätigt. Diese Methoden ermöglichen eine quantitative Analyse der Elementzusammensetzung und gewährleisten, dass das Material die Reinheitsspezifikation von ≥99 % erfüllt.

F3: Welche Anpassungsmöglichkeiten gibt es für die Abmessungen der Walzen?
A3: Die Abmessungen können durch Präzisionsbearbeitung und Laserschneiden auf die spezifischen betrieblichen Anforderungen zugeschnitten werden. Diese Anpassung gewährleistet die Kompatibilität mit verschiedenen industriellen Prozessausrüstungen und die Einhaltung von räumlichen Beschränkungen.

Zusätzliche Informationen

Siliziumkarbid (SiC) wird wegen seiner außergewöhnlichen Härte, Wärmeleitfähigkeit und Temperaturwechselbeständigkeit ausgiebig untersucht. Seine kristalline Struktur kann durch Prozesse wie Rekristallisation modifiziert werden, um die Leistung unter extremen Bedingungen zu verbessern, was es zu einem wichtigen Material sowohl für industrielle als auch für Halbleiteranwendungen macht.

Fortschritte in der Keramikverarbeitung haben die Reproduzierbarkeit und Skalierbarkeit von SiC-Komponenten verbessert. Techniken wie das Sintern in kontrollierter Atmosphäre und die hochpräzise Bearbeitung tragen zu gleichbleibenden Eigenschaften bei, die den technischen Anforderungen industrieller Hochtemperatursysteme gerecht werden. Dieses kontextbezogene Verständnis unterstreicht die Rolle des Materials in modernen technischen Anwendungen.