Eingestellt (Ausgelaufen) SC8590 Silicon-on-Insulator Wafer SOI-Wafer (110) Durchmesser. 4 Zoll

Silizium-auf-Isolator-Wafer SOI-Wafer (110) Durchm. 4 Zoll Beschreibung

Innovieren Sie Ihre Halbleiterfertigungsprozesse mit unserem 4-Zoll (100 mm) Silicon-on-Insulator (SOI)-Wafer, der eine (110)-Kristallorientierung für eine verbesserte Bauelementleistung aufweist. Die sorgfältig entwickelte Struktur besteht aus einer oberen Siliziumschicht, einer isolierenden Oxidschicht und einem hochohmigen Handle-Wafer, was zu einer geringeren parasitären Kapazität und einer verbesserten Wärmeleitfähigkeit führt. Diese einzigartige Grundlage ermöglicht eine hervorragende Bauteilisolierung und minimale Leckagen im Aus-Zustand, was die Zuverlässigkeit in elektronischen Hochleistungsanwendungen gewährleistet.

Unsere SOI-Wafer werden nach strengen Qualitätsstandards hergestellt und einer strengen Prüfung unterzogen, um die von der Industrie festgelegten SEMI-Spezifikationen zu erfüllen. Die gleichmäßige Dicke, die glatte Oberfläche und die präzise Dotierungskontrolle unterstützen die Entwicklung von fortschrittlichen CMOS-Schaltungen, Leistungsbauelementen und MEMS-basierten Sensoren. Vertrauen Sie darauf, dass unsere SOI-Wafer mit (110)-Orientierung die Konsistenz und Reproduzierbarkeit bieten, die für bahnbrechende Halbleiter der nächsten Generation erforderlich sind.

Silizium-auf-Isolator-Wafer SOI-Wafer (110) Durchm. 4 Zoll Anwendungen

Dieser Silicon-on-Insulator (SOI)-Wafer mit einer (110)-Kristallorientierung und einem Durchmesser von 4 Zoll wurde speziell für fortschrittliche Mikroelektronik und andere Hochleistungsanwendungen entwickelt. Seine Schichtstruktur bietet eine hervorragende elektrische Isolierung, reduzierte parasitäre Kapazitäten und ein verbessertes Wärmemanagement. Diese einzigartigen Eigenschaften machen es zu einem idealen Substrat für die Herstellung von Geräten der nächsten Generation in Branchen wie dem Gesundheitswesen, der Telekommunikation und der Unterhaltungselektronik.

1. Elektronik und Halbleiterherstellung

- Anwendung 1: Herstellung von integrierten Hochgeschwindigkeitsschaltungen mit minimierten parasitären Effekten

- Anwendung 2: Entwicklung fortschrittlicher Sensoren und Aktoren für präzise Kontrollsysteme

2. Medizin und Gesundheitswesen

- Anwendung 1: Entwicklung von Lab-on-a-Chip-Diagnosegeräten für schnelle und genaue Tests

- Anwendung 2: Herstellung von biokompatiblen Bildsensoren für medizinische Geräte

3. Telekommunikation und Unterhaltungselektronik

- Anwendung 1: Integration von verlustarmen photonischen Komponenten für optische Kommunikationsnetze

- Anwendung 2: Montage von RF-Bauteilen mit verbesserter Signalintegrität für Produkte der Unterhaltungselektronik

Silicon-on-Insulator-Wafer SOI-Wafer (110) Durchm. 4 Zoll Verpackung

Jeder Silicon-on-Insulator-Wafer wird einzeln in einer reinraumtauglichen, antistatischen Hülle mit gepolsterten Einsätzen versiegelt, um mechanische Belastungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die versiegelte Verpackung wird dann in einen starren Schutzträger gelegt, um das Eindringen von Partikeln während des Transports zu minimieren. Für eine längere Lagerung sollten die Wafer in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und stabiler Temperatur aufbewahrt werden. Optionale Etikettierung, spezielles Verpackungsmaterial und kundenspezifische Träger sind erhältlich, um besonderen Handhabungs- und Versandanforderungen gerecht zu werden.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Silizium-auf-Isolator-Wafer SOI-Wafer (110) Durchm. 4 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (110) Dia. 4 Zoll?

A1: Silicon-on-Insulator (SOI)-Wafer (110) mit einem Durchmesser von 4 Zoll haben in der Regel eine dünne Siliziumschicht, die mit einer Isolierschicht aus Siliziumdioxid verbunden ist, was zu einer geringeren parasitären Kapazität und minimalen Leckströmen führt. Die (110)-Ausrichtung bietet einzigartige anisotrope Ätzeigenschaften und eine günstige Lochmobilität, die für spezielle Bauelementanwendungen von Vorteil ist. Diese Wafer weisen außerdem eine niedrige Defektdichte, eine gleichmäßige Rückseitendicke und eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit auf, wodurch sie sich für die Herstellung von Hochleistungs-CMOS und MEMS eignen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Aufgrund der empfindlichen Beschaffenheit der dünnen Bauelementeschicht und des isolierenden Oxids erfordern diese SOI-Wafer eine sorgfältige Handhabung mit Reinraumhandschuhen und minimalen direkten Kontakt mit den aktiven Oberflächen. Sie sollten in Waferträgern oder Kassetten transportiert werden, die für 4-Zoll-Wafer ausgelegt sind, um mechanische Belastungen zu vermeiden. Die Lagerbedingungen müssen sauber, feuchtigkeitskontrolliert und frei von Luftverunreinigungen sein. Wenn sie bis zur Verarbeitung versiegelt bleiben, verringert sich das Risiko der Partikelablagerung.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silicon-on-Insulator Wafer SOI Wafer (110) Dia. 4 Zoll?

A3: Diese SOI-Wafer entsprechen in der Regel den SEMI M1-Normen, die Spezifikationen für die Abmessungen der Siliziumwafer, die kristallografische Ausrichtung und die Oberflächenqualität festlegen. Die Hersteller sind häufig nach ISO 9001 zertifiziert, um einheitliche Produktionsmethoden und qualitativ hochwertige Ergebnisse zu gewährleisten. Darüber hinaus erfüllen viele Zulieferer die Umweltmanagementnormen nach ISO 14001, um die negativen Auswirkungen auf die Umwelt zu minimieren. Die Kunden verlangen häufig eine Zertifizierung der Sauberkeit, Gleichmäßigkeit der Dicke und Ebenheit, um die strengen Anforderungen an die Leistung und Zuverlässigkeit der Geräte zu erfüllen.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Für die Herstellung der Silicon-on-Insulator-Wafer (110) mit einem Durchmesser von 4 Zoll werden hochentwickelte Techniken eingesetzt. 4 Zoll, um eine Schichtstruktur zu gewährleisten, die ein hohes Maß an elektrischer Isolierung bietet. Zunächst werden erstklassige Siliziumsubstrate präzise geschliffen und poliert, um die gewünschte Dicke und Oberflächenbeschaffenheit zu erreichen. Anschließend wird die Bauelementeschicht durch spezielle Bondverfahren mit einer Oxidbarriere verschmolzen, was die Ausbeute und Leistung der Bauelemente erhöht. Diese Kombination aus Wafer-Bonding und fein abgestimmten thermischen Behandlungen führt zu einer Plattform, die geringere Leckströme aufweist und eine effiziente Produktion von Transistoren und anderen mikroelektronischen Bauteilen ermöglicht.

In jeder Phase der Produktion werden gründliche Qualitätskontrollen durchgeführt, wobei fortschrittliche Lithografie- und Inspektionswerkzeuge zur Erkennung von Defekten und zur Messung der Gleichmäßigkeit eingesetzt werden. In den letzten Schritten werden die Polierparameter und Reinigungsprotokolle sorgfältig auf die kristallografische Orientierung (110) zugeschnitten, die im Vergleich zu anderen Orientierungen besondere mechanische und elektrische Eigenschaften aufweist. Diese sorgfältige Vorgehensweise stellt sicher, dass jeder 4-Zoll-SOI-Wafer, der auf den Markt kommt, die hohen Anforderungen der modernen Bauelementeherstellung durchgängig erfüllt.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

In der Hochleistungsmikroelektronik wird der 4-Zoll-SOI-Wafer mit (110)-Ausrichtung bevorzugt, da er eine höhere Transistorleistung, eine geringere parasitäre Kapazität und ein besseres Wärmemanagement bietet. Dies macht sie für Spitzenbereiche wie Ultra-Low-Power-Computer und Kommunikationssysteme der nächsten Generation von unschätzbarem Wert. Darüber hinaus optimiert die (110)-Kristallorientierung die Mobilität der Löcher, was zu schnelleren Schaltgeschwindigkeiten der Bauelemente führt - ein entscheidender Faktor in verschiedenen Bereichen der Unterhaltungselektronik und Spezialmaschinen.

Verschiedene Sektoren verlassen sich auf die besonderen Spezifikationen dieses Wafers für innovative Anwendungen in Sensorarrays, IoT-Geräten und optoelektronischen Komponenten. Luft- und Raumfahrtsysteme profitieren häufig von der verbesserten Strahlungstoleranz des Wafers, die es der Hardware ermöglicht, auch unter rauen Umweltbedingungen zuverlässig zu funktionieren. Die konsistente Dickenkontrolle und die einheitliche Diodenisolierung sind für das Erreichen hoher Erträge und hervorragender Geräteleistung in fortschrittlichen Fertigungsumgebungen unerlässlich.