CY9509 Silizium-Wafer Typ P (100) Durchm. 4 Zoll, SSP

Silizium-Wafer Typ P (100) Durchm. 4 Zoll, SSP Beschreibung

Der Silizium-Wafer Typ P (100) Dia. 4 Zoll, SSP ist ein p-Typ, Bor-dotiertes Substrat mit einer gut definierten (100) Orientierung. Sein 4-Zoll-Durchmesser ist für die Integration in Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen optimiert. Die kontrollierte Kristallographie des Wafers und die minimale Defektdichte unterstützen eine gleichbleibende elektrische Leistung und eine zuverlässige Prozessreplikation bei der Herstellung von Bauelementen.

Silizium-Wafer Typ P (100) Dia. 4 Zoll, SSP Anwendungen

Elektronik- und Halbleiteranwendungen
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung von Mikrochips zur Erzielung einheitlicher Dotierungsprofile durch Ausnutzung der (100)-Ausrichtung.
- Wird in der Sensorherstellung eingesetzt, um durch seine kontrollierte Kristallinität ein gleichmäßiges elektrisches Verhalten zu gewährleisten.

Industrielle Anwendungen
- Einsatz als Plattform für die Prüfung integrierter Schaltkreise zur Erleichterung der Fehleranalyse durch Nutzung der präzisen Oberflächenbeschaffenheit.

Forschung und Entwicklung
- Dient als Basis für Halbleiterexperimente zur Bewertung von Prozessvariationen, indem die standardisierte SSP-Verarbeitung genutzt wird.

Silizium-Wafer Typ P (100) Dia. 4 Zoll, SSP-Verpackung

Der Wafer wird einzeln in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter versiegelt und in einen staubfreien Beutel gelegt, um mechanische Belastung und Verunreinigung zu vermeiden. Während der Lagerung und des Transports werden Temperatur- und Feuchtigkeitskontrollen empfohlen. Auf Wunsch des Kunden kann die Verpackung individuell angepasst werden, z. B. vakuumversiegelt oder in Fächer unterteilt, um eine weitere Kontamination zu verhindern.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Qualitätskontrolltests werden während der Waferproduktion durchgeführt?
A1: SAM setzt Röntgenbeugung und optische Inspektion ein, um die kristallografische Ausrichtung und Oberflächenintegrität zu bewerten. Dadurch wird sichergestellt, dass der Wafer gleichmäßige Dotierungsprofile und eine minimale Defektdichte aufweist, was für die Herstellung von Halbleiterbauelementen entscheidend ist.

F2: Welche Vorteile bietet die (100)-Orientierung für die Halbleiterverarbeitung?
A2: Die (100)-Orientierung unterstützt eine gleichmäßige Dotierung und reduziert die Ätzvariabilität bei der Strukturierung von Bauelementen. Diese Eigenschaften vereinfachen die Prozessintegration mit Standardgeräten und verbessern gleichzeitig die Reproduzierbarkeit der elektrischen Eigenschaften.

F3: Welche Lagerungsbedingungen sind für diese Wafer erforderlich?
A3: Wafer sollten in einer kontrollierten, feuchtigkeitsarmen Umgebung mit antistatischer Verpackung gelagert werden. Dies verhindert Verunreinigungen und physische Schäden während des Transports und stellt sicher, dass der Wafer seine spezifizierten elektrischen und strukturellen Eigenschaften beibehält.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer dienen als Ausgangsmaterial für die Halbleiterherstellung, bei der die kontrollierte Verteilung von Dotierstoffen und die kristallografische Ausrichtung entscheidend sind. Detaillierte Charakterisierungsmethoden, wie Röntgenbeugung und Elektronenmikroskopie, unterstützen die Bewertung von Wafereigenschaften wie Widerstand und Oberflächengleichmäßigkeit, die für eine zuverlässige Leistung der Bauelemente unerlässlich sind.

Fortschritte bei der Kristallzüchtung und den Verarbeitungstechniken verfeinern die Qualität und die Maßkontrolle von Siliziumwafern. Diese Verbesserungen verbessern nicht nur die Konsistenz von Halbleiterbauelementen, sondern ermöglichen auch eine weitere Miniaturisierung und Leistungsoptimierung in der mikroelektronischen Forschung und Produktion.