CY9492 100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 Ohm-cm

100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 Ohm-cm Beschreibung

Der Wafer wird aus hochreinem Silizium mit einer Prime-Grade-Orientierung (100) hergestellt, die optimale kristallografische Eigenschaften für die Bauteilintegration gewährleistet. Die N-Typ-Dotierung mit kontrolliertem P-Einbau erzeugt einen spezifischen Widerstand von 0,001-0,01 Ohm-cm, der für ein präzises elektronisches Verhalten entscheidend ist. Die SSP-Oberfläche bietet eine glatte, defektminimierte Oberfläche, die für eine ertragreiche Halbleiterverarbeitung förderlich ist. Die gleichmäßige Verteilung der Dotierstoffe und der geringe Verunreinigungsgrad sorgen für eine gleichbleibende elektrische Leistung auf dem gesamten Wafer.

100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 Ohm-cm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Substrat für integrierte Schaltungen in Halbleiterbauelementen verwendet, um durch die definierte (100)-Ausrichtung und die SSP-Oberfläche kontrollierte Dotierungsprofile zu erzielen.
- Wird als Basismaterial bei der Herstellung von Hochgeschwindigkeitstransistoren verwendet, um durch Nutzung des spezifizierten Widerstandsbereichs geringe Signalverluste zu erzielen.

Industriell
- Wird in Sensoranordnungen verwendet, um stabile elektrische Eigenschaften durch gleichmäßige P-Dotierung zu gewährleisten, die die Variabilität unter verschiedenen Umgebungsbedingungen minimiert.
- Wird als Basisschicht in mikroelektromechanischen Systemen eingesetzt, um ein präzises elektronisches Verhalten durch kontrollierte Kristallorientierung zu gewährleisten.

100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 0,001-0,01 Ohm-cm Verpackung

Die Wafer sind einzeln in antistatischen Trägern mit Schaumstoffpolsterung gesichert und in Feuchtigkeitsschutzbeuteln versiegelt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Sie müssen in einer sauberen, temperaturkontrollierten Umgebung gelagert werden, um thermischen Stress und Oxidation zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Vakuumversiegelung und Inertgasumgebungen, sind verfügbar, um spezielle Lagerungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird die Ebenheit der Wafer und die Minimierung von Defekten während der Produktion sichergestellt?
A1: SAM setzt eine präzise chemische Verarbeitung und hochauflösende REM-Inspektionen ein, um die Gleichmäßigkeit der Oberfläche und die Defektdichte zu überwachen. Dieses Verfahren bewertet die Dickenabweichungen zwischen den Wafern und minimiert Mikrodefekte, wodurch eine gleichmäßige Ebenheit der Wafer für Halbleiteranwendungen gewährleistet wird.

F2: Welche Lagerbedingungen werden für diese Siliziumwafer empfohlen?
A2: Lagern Sie die Wafer in einer kontrollierten, feuchtigkeitsarmen Umgebung bei stabiler Raumtemperatur. Verwenden Sie eine antistatische, feuchtigkeitsbeständige Verpackung, um Verunreinigungen und mechanische Belastungen während der Handhabung und des Transports zu vermeiden.

F3: Wie wird bei der Herstellung der spezifizierte Widerstandsbereich eingehalten?
A3: Der Herstellungsprozess umfasst eine kontrollierte P-Dotierung mit prozessbegleitender Widerstandsüberwachung. Dadurch wird sichergestellt, dass jeder Wafer innerhalb des Bereichs von 0,001-0,01 Ohm-cm bleibt, was eine konstante elektrische Leistung ermöglicht, die für die Herstellung moderner Halbleiterbauelemente erforderlich ist.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer sind das grundlegende Material in der Halbleitertechnologie, bei der eine präzise Kontrolle der Dotierstoffverteilung und der kristallografischen Ausrichtung unerlässlich ist. Die Kombination aus genau definierten elektrischen Eigenschaften und Oberflächenqualität hat einen direkten Einfluss auf die Leistung der Bauelemente und die Komplexität der Integration. Detaillierte Messverfahren und kontrollierte Verarbeitungsbedingungen sind unerlässlich, um die nuancierten Materialeigenschaften zu erreichen, die in modernen elektronischen Systemen erforderlich sind.

Fortschritte bei den Dotierungs- und Oberflächenbehandlungsverfahren treiben die Verbesserung der Waferleistung weiter voran. Diese Entwicklungen erhöhen nicht nur die Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen, sondern ermöglichen auch eine weitere Miniaturisierung und Integration in verschiedenen High-Tech-Industrien.