CY9491 150 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ohm-cm

150 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ohm-cm Beschreibung

Dieses Substrat wird aus hochreinem Silizium mit kontrollierter Bordotierung hergestellt, um einen spezifischen Widerstand von 10-20 Ohm-cm zu erreichen. Die kristallografische Ausrichtung (100) bietet eine einheitliche Oberfläche, die sich ideal für integrierte Schaltungen eignet. Der Durchmesser von 150 mm ermöglicht die Verwendung von Standard-Halbleiterfertigungsanlagen und gewährleistet die Kompatibilität mit den vorhandenen Verarbeitungswerkzeugen. Die Qualitätskontrolle umfasst eine optische Inspektion auf Oberflächengleichmäßigkeit und Defektminimierung.

150 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ohm-cm Anwendungen

Elektronik und Halbleiterherstellung
- Wird als Substrat in integrierten Schaltkreisen verwendet, um eine gleichmäßige Verteilung der Dotierstoffe zu erreichen, indem der kontrollierte Widerstand genutzt wird, um die Leistung der Bauteile zu verbessern.
- Anwendung bei der Herstellung von Speicherchips zur Gewährleistung gleichmäßiger elektrischer Eigenschaften durch präzise kristallographische Ausrichtung.

Optoelektronische Geräte
- Wird als Basis in Sensoranordnungen verwendet, um die Gleichmäßigkeit der Signale zu verbessern, indem die Materialreinheit und die kontrollierte Oberflächenbeschaffenheit genutzt werden, um eine genaue Lichtreaktion zu gewährleisten.

150 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 10-20 Ohm-cm-Verpackung

Die Wafer sind in einer antistatischen, gepolsterten Schale in einem versiegelten, feuchtigkeitsbeständigen Behälter verpackt, um Verunreinigungen durch Partikel und mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Es wird empfohlen, sie in einer sauberen, temperaturgeregelten Umgebung zu lagern. Zusätzliche Anpassungsmöglichkeiten, wie z. B. individuell beschriftete Träger und Einschluss von Trockenmittel, sind verfügbar, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der angegebene Widerstandsbereich auf elektronische Anwendungen aus?
A1: Der Widerstandsbereich von 10-20 Ohm-cm unterstützt die kontrollierte Ladungsträgerkonzentration und gewährleistet einheitliche elektrische Eigenschaften, die für die Leistung von Bauelementen in Halbleiteranwendungen entscheidend sind. Er hilft bei der konsistenten Kontrolle der Schwellenspannung und verringert die Variabilität bei der Herstellung von Schaltungen.

F2: Welche Qualitätskontrollmaßnahmen werden zur Überprüfung der Ebenheit des Substrats durchgeführt?
A2: Die Ebenheit der Oberfläche wird mit optischer Profilometrie überwacht, die präzise Messungen vornimmt, um minimalen Verzug und Defekte sicherzustellen. Dieser Prozess ist entscheidend für die Aufrechterhaltung der Oberflächenkonsistenz während der nachfolgenden Verarbeitungsschritte bei der Herstellung integrierter Schaltungen.

F3: Welche Lagerungsbedingungen werden für diese Wafer empfohlen?
A3: Die Wafer sollten in einer sauberen, temperaturgeregelten Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Eine schützende Verpackung, wie z. B. antistatische Tabletts und feuchtigkeitsbeständige Behälter, ist unerlässlich, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen während der Lagerung zu vermeiden.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer sind der grundlegende Baustein bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die genaue Kontrolle der Dotierungsmengen und der Kristallorientierung ist entscheidend für die Bestimmung der elektrischen Eigenschaften, die bei der Verarbeitung der Bauelemente erforderlich sind. P-Typ-Wafer, die mit Bor dotiert sind, werden häufig in komplementären Metall-Oxid-Halbleiter-Prozessen (CMOS) verwendet und dienen als Substrat für zahlreiche elektronische Bauteile.

Fortschritte bei den Herstellungstechniken, einschließlich der chemischen Gasphasenabscheidung und fortschrittlicher Ätzmethoden, haben die Gesamtqualität und Konsistenz dieser Substrate verbessert. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Dotierstoffkonzentration, spezifischem Widerstand und kristallografischer Ausrichtung ist für die Optimierung der Leistung von Bauteilen in integrierten Schaltkreisen mit hoher Dichte von entscheidender Bedeutung.