CY9490 100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 Ohm-cm

100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 Ohm-cm Beschreibung

Das Substrat besteht aus monokristallinem Silizium mit einer kristallographischen Orientierung (100) und einem spezifischen Widerstand zwischen 1 und 10 Ohm-cm. Sein Durchmesser von 100 mm entspricht den Industriestandards für die Halbleiterverarbeitung. Die kontrollierte P-Dotierung und die gleichmäßige Oberflächenbeschaffenheit verringern die Defektdichte und tragen zu einer gleichmäßigen elektrischen Leistung bei. Diese Eigenschaften unterstützen die hochpräzise Herstellung von Bauteilen in integrierten Schaltungen und Sensoranwendungen.

100 mm N-Typ (P-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 Ohm-cm Anwendungen

Elektronik
- Wird als Basissubstrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen verwendet, um eine gleichmäßige Ladungsträgerbeweglichkeit durch kontrollierten Widerstand und präzise Dotierung zu erreichen.
- Wird als Plattform bei der Transistorherstellung verwendet, um stabile elektrische Eigenschaften durch definierte Dotierungsprofile zu gewährleisten.

Industriell
- Wird als Substrat für Leistungsbauelemente in Schaltanwendungen verwendet, um durch Ausnutzung des begrenzten Widerstandsbereichs und der geringen Defektdichte des Wafers gleichmäßige Leitungseigenschaften zu erhalten.

100 mm N-Typ (P-dotiert) Siliziumwafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Verpackung

Die Wafer sind einzeln in antistatischen Trägern gesichert und in mit Schaumstoff ausgekleideten, reinraumtauglichen Kisten untergebracht, um mechanische Beschädigungen und Verunreinigungen zu vermeiden. Die Lagerung in einer temperaturgeregelten Umgebung mit feuchtigkeitsbeständiger Verpackung minimiert die Partikelexposition. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich zusätzlicher Polsterung und spezieller Etikettierung, sind erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Lagerungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wird der angestrebte Widerstandsbereich bei diesen Wafern erreicht?
A1: Der kontrollierte P-Dotierungsprozess moduliert die Ladungsträgerkonzentration, um einen spezifischen Widerstand zwischen 1 und 10 Ohm-cm zu erreichen. Die Prozessüberwachung während der thermischen Behandlung und der chemischen Verarbeitung gewährleistet gleichmäßige elektrische Eigenschaften auf dem gesamten Wafer.

F2: Welche Prüfmethoden werden zur Erhaltung der Oberflächenqualität eingesetzt?
A2: Die Oberflächenqualität wird mit Hilfe fortschrittlicher Messtechniken wie der optischen Mikroskopie und der Rasterkraftmikroskopie überprüft. Diese Methoden helfen bei der Erkennung von Oberflächendefekten und gewährleisten, dass der Wafer die strengen Ebenheits- und Rauheitsspezifikationen erfüllt, die für hochpräzise Halbleiteranwendungen erforderlich sind.

F3: Können sich Abweichungen bei den Waferabmessungen auf die Halbleiterverarbeitung auswirken?
A3: Ja, präzise 100-mm-Waferabmessungen sind entscheidend. Die Maßgenauigkeit wird mit kalibrierten Messsystemen bestätigt, um die Kompatibilität mit Standardgeräten zu gewährleisten, Prozessschwankungen zu reduzieren und die Integration in nachfolgende Fertigungsschritte zu verbessern.

Zusätzliche Informationen

Silizium-Wafer sind ein grundlegendes Material für die Halbleiterherstellung. Ihre Eigenschaften, wie z. B. die kristallografische Ausrichtung und die kontrollierte Dotierstoffkonzentration, wirken sich direkt auf die Leistung integrierter Schaltungen aus. Fortschritte bei den Dotierungstechniken und der Oberflächenbehandlung haben die Gleichmäßigkeit der Wafer und das Defektmanagement erheblich verbessert.

Das Verständnis der Beziehung zwischen den elektrischen Eigenschaften von Silizium und der Leistung der Bauelemente ist von entscheidender Bedeutung. Die Hersteller wenden strenge Mess- und Qualitätskontrollprotokolle an, um die Konsistenz der Wafer zu gewährleisten, was eine präzise Kontrolle der Bauelementeigenschaften ermöglicht und die Entwicklung von hochleistungsfähiger, miniaturisierter Elektronik unterstützt.