CY9487 100 mm Intrinsisches Silizium-Wafer-Substrat erster Güte (100), SSP, >20000 Ohm-cm

100 mm Intrinsisches Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Beschreibung

Dieser intrinsische Siliziumwafer wird aus hochreinem, monokristallinem Silizium mit einer präzise ausgerichteten (100) Orientierung hergestellt. Sein hoher spezifischer Widerstand von über 20000 Ohm-cm reduziert die Konzentration freier Ladungsträger und minimiert so die Leckströme bei der Halbleiterverarbeitung. Das geringe Defektniveau und die gleichmäßige Oberflächenbeschaffenheit des Substrats unterstützen die kritische Herstellung von Bauelementen und gewährleisten Maßhaltigkeit und vorhersehbares elektrisches Verhalten während der thermischen und chemischen Verarbeitungsschritte.

100 mm Intrinsisches Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, >20000 Ohm-cm Anwendungen

1) Elektronik und Halbleiterherstellung
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltkreise zur Erzielung einer kontrollierten Ladungsträgerdynamik durch Ausnutzung des hohen Widerstandes, wodurch Leckagen in empfindlichen Bauteilen minimiert werden.
- In fotolithografischen Prozessen zur Erzielung einer einheitlichen Oberfläche, die eine präzise Musterübertragung und eine geringere Defektdichte ermöglicht.

2. in Forschung und Entwicklung
- Wird als Basismaterial in experimentellen Halbleiterstudien verwendet, um die intrinsischen Materialeigenschaften zu analysieren und dadurch das Verständnis des Siliziumverhaltens unter verschiedenen Verarbeitungsbedingungen zu verbessern.
- Einsatz bei der Herstellung von Prototyp-Bauteilen zur Validierung von Prozessinnovationen, wobei die Variabilität durch die Verwendung eines gut charakterisierten Substrats reduziert wird.

100 mm Intrinsic Silicon Wafer Substrate Prime Grade (100), SSP, >20000 ohm-cm Verpackung

Der Wafer ist in einem für Reinräume zugelassenen antistatischen Behälter mit speziell zugeschnittenen Schaumstoffeinlagen verpackt und in einer stickstoffgespülten Hülle versiegelt, um eine Kontamination durch Feuchtigkeit und Partikel zu verhindern. Die Lagerbedingungen sollten eine temperaturkontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit gewährleisten. Kundenspezifische Verpackungslösungen, wie z. B. Vakuumversiegelung und spezielle Trägerschalen, sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Messverfahren bestätigen den hohen spezifischen Widerstand des Wafers?
A1: Der Wafer wird während der Produktion einer Vier-Punkt-Sondenprüfung und einem Oberflächenwiderstands-Mapping unterzogen. Diese Verfahren stellen sicher, dass der spezifische Widerstand die Spezifikation von >20000 Ohm-cm erfüllt, was die für Halbleiterprozesse erforderliche intrinsische Qualität bestätigt.

Q2: Wie wird die Oberflächenqualität des Wafers während der Herstellung sichergestellt?
A2: Die Oberflächenqualität wird durch interferometrische Profilometrie und optische Mikroskopie überwacht, die Verunreinigungen und Unregelmäßigkeiten erkennen. Durch diese strenge Qualitätskontrolle werden Defekte minimiert, die sich bei der anschließenden Hochpräzisionsbearbeitung auf die Leistung der Bauteile auswirken könnten.

F3: Können die Substratparameter für bestimmte Anwendungen angepasst werden?
A3: Anpassungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich, einschließlich maßgeschneiderter Waferdicken und maßgeschneiderter Oberflächenbehandlungsprotokolle. Diese Flexibilität unterstützt Entwicklungen in der bauteilspezifischen Prozessintegration und Leistungsoptimierung.

Zusätzliche Informationen

Intrinsische Siliziumwafer sind aufgrund ihrer minimalen Ladungsträgerkonzentration von grundlegender Bedeutung für die Halbleiterherstellung. Die definierte (100) kristallografische Ausrichtung trägt dazu bei, dass bei der Herstellung von Bauelementen ein gleichmäßiges Ätzen und Abscheiden erreicht wird, wodurch die Reproduzierbarkeit des Prozesses verbessert wird. Diese Wafer werden sowohl in herkömmlichen als auch in experimentellen Prozessen eingesetzt und bieten eine einheitliche Plattform für eine Vielzahl von Halbleiteranwendungen.

Die strengen Qualitätskontrollprotokolle, die während der Herstellung eingesetzt werden, unterstreichen die Bedeutung präziser Materialeigenschaften für moderne elektronische Anwendungen. Die Kenntnis dieser Eigenschaften hilft Ingenieuren und Forschern bei der Optimierung von Prozessparametern zur Verbesserung der Geräteleistung und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafer wichtige Industrienormen erfüllen.