CY9486 100 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 Ohm-cm

100 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Beschreibung

Das Substrat wird aus hochreinem monokristallinem Silizium unter Verwendung eines Bor-Dotierungsverfahrens hergestellt, mit dem ein spezifischer Widerstand im Bereich von 1-10 Ohm-cm erreicht wird. Die (100)-Oberflächenausrichtung unterstützt optimale Verarbeitungsbedingungen für die Herstellung von Halbleiterbauelementen. Der Durchmesser von 100 mm gewährleistet die Kompatibilität mit Standard-Wafer-Verarbeitungsanlagen, und die SSP-Oberfläche bietet eine glatte, defektminimierte Oberfläche, die für moderne mikroelektronische Anwendungen entscheidend ist.

100 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Anwendungen

1: Elektronik und Halbleiterherstellung
- Wird als Substrat in integrierten Schaltungen verwendet, um durch kontrollierte Dotierstoffverteilung eine gleichmäßige Abmessung zu erreichen.
- Wird als Basis für die Transistorherstellung verwendet, um vorhersehbare elektrische Eigenschaften zu erhalten, die eine präzise Gerätekalibrierung ermöglichen.

2. forschung und entwicklung
- Dient als Plattform für die Prozessentwicklung in der Halbleiterforschung, um die Dotierungseffizienz zu testen, indem die glatte, defektarme Oberfläche genutzt wird.
- Wird in Studien zur Materialcharakterisierung verwendet, um die Auswirkungen von Dotierungsniveaus auf die elektrische Leistung zu bewerten, was eine vergleichende Analyse erleichtert.

100 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-10 ohm-cm Verpackung

Die Wafer werden in statisch-dissipativen Trägern verpackt und in kontaminationsgeschützten Schalen versiegelt, um die Exposition gegenüber Partikeln und Feuchtigkeit zu minimieren. Die Lagerung erfolgt bei konstanter Raumtemperatur, um die Integrität des Substrats zu erhalten. Zusätzliche Polstermaterialien schützen vor mechanischen Stößen während des Transports, und es sind kundenspezifische Optionen für Verpackungskonfigurationen verfügbar, um die spezifischen Handhabungsprotokolle zu erfüllen.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Widerstandsbereich von 1-10 Ohm-cm auf die Integration von Halbleiterprozessen aus?
A1: Der spezifizierte Widerstandsbereich ermöglicht eine kontrollierte Ladungsträgerkonzentration und gewährleistet so ein konsistentes Materialverhalten während der Bauelementeherstellung. Dies trägt dazu bei, reproduzierbare elektrische Eigenschaften zu erreichen, die für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung erforderlich sind.

F2: Welche Verarbeitungsvorteile bietet die kristallografische Orientierung (100)?
A2: Die (100)-Orientierung bietet eine einheitliche atomare Anordnung, die vorhersehbare Ätz- und Dotierprofile unterstützt. Dies verbessert die Präzision der Musterübertragung und die Qualität der Bauteilarchitekturen bei der Halbleiterherstellung.

F3: Wie wird die Oberflächenqualität während der Herstellung sichergestellt?
A3: Die Oberflächenqualität wird durch sorgfältige Reinigung, präzise thermische Behandlungen und spektroskopische Überprüfungen sichergestellt. Diese Schritte reduzieren die Defektdichte und erhalten eine glatte Oberfläche, die für elektronische Hochleistungsanwendungen unerlässlich ist.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafersubstrate dienen als grundlegende Elemente bei der Halbleiterherstellung. Die kontrollierten Dotierungstechniken, die bei diesen Substraten eingesetzt werden, passen die elektrischen Eigenschaften an, was sich direkt auf die Leistung der Bauelemente auswirkt. Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Dotierstoffkonzentration und resultierendem spezifischen Widerstand ist entscheidend für die Optimierung der Prozessausbeute und der Einheitlichkeit der Bauelemente.

Die (100)-Orientierung von Siliziumsubstraten ist für die Standard-Mikrofabrikationstechniken von entscheidender Bedeutung, da sie eine reproduzierbare Plattform für verschiedene Halbleiterprozesse bietet. Detaillierte Kenntnisse über thermische Behandlungen und Methoden zur Oberflächencharakterisierung tragen ebenfalls dazu bei, die in der Elektronikindustrie geforderten technischen Benchmarks zu erreichen.