CY9485 200 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafer-Substrat Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm

200 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm Beschreibung

Dieses Substrat wird aus hochreinem Silizium hergestellt, das mit Bor dotiert ist, um eine P-Typ-Leitfähigkeit und einen Widerstandsbereich zwischen 1-100 Ohm-cm zu erreichen. Die (100)-Kristallorientierung erleichtert die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Die Abmessung von 200 mm Durchmesser gewährleistet die Integration in aktuelle Produktionslinien, während strenge Dotierungsüberprüfungstechniken einheitliche elektrische Eigenschaften erzeugen, die für die Leistung der Bauelemente wesentlich sind.

200 mm P-Typ (B-dotiert) Silizium-Wafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-100 Ohm-cm Anwendungen

1. elektronische Fertigung
- Verwendung als Basissubstrat in integrierten Schaltungen, um ein kontrolliertes elektrisches Verhalten durch gleichmäßige Bor-Dotierung zu erreichen.
- Anwendung als Träger aktiver Schichten in CMOS-Bauelementen zur Optimierung der Ladungsträgerbeweglichkeit durch präzise (100)-Orientierung.

2) Forschung und Entwicklung von Halbleiterprozessen
- Verwendung als Testmuster in der Prozessentwicklung für Dotierungsexperimente, um wiederholbare experimentelle Ergebnisse mit kontrolliertem Widerstand zu erzielen.
- Einsatz bei der Kalibrierung von Anlagen für Ätz- und Abscheidungsprozesse unter Ausnutzung der konstanten Materialeigenschaften.

200 mm P-Typ (B-dotiert) Siliziumwafersubstrat Prime Grade (100), SSP, 1-100 ohm-cm Verpackung

Die Wafer werden einzeln in antistatischen, reinraumtauglichen Behältern mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um die mechanische Belastung zu minimieren. Sie werden in feuchtigkeitsbeständigen Beuteln versiegelt und unter temperaturkontrollierten Bedingungen gelagert, um Verunreinigungen zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich Inertgasspülung, sind erhältlich, um den spezifischen Anforderungen an die Handhabung während des Transports und der Lagerung gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie beeinflusst die Bor-Dotierung die Leistung des Substrats?
A1: Die Bor-Dotierung passt den spezifischen Widerstand zwischen 1-100 Ohm-cm an und verbessert die P-Typ-Leitfähigkeit, was eine optimale elektrische Leistung während der Herstellung der Bauelemente gewährleistet. Das einheitliche Dotierungsniveau trägt auch zu einem gleichmäßigen Verhalten auf der gesamten Waferoberfläche bei.

F2: Welche Vorteile bietet die (100)-Orientierung für die Halbleiterverarbeitung?
A2: Die kristallografische (100)-Orientierung passt zu den Standardverarbeitungstechniken und erleichtert gut kontrollierte Oxidations- und Ätzprozesse. Diese Orientierung hilft bei der Erzielung von Maßgenauigkeit in der Mikrofabrikation.

F3: Was sollte bei der Lagerung beachtet werden, um die Integrität der Wafer zu erhalten?
A3: Wafer müssen in einer temperaturgeregelten, feuchtigkeitsarmen Umgebung unter Verwendung einer antistatischen Verpackung gelagert werden. Um die Unversehrtheit des Substrats zu erhalten, muss verhindert werden, dass es Verunreinigungen und mechanischen Stößen ausgesetzt wird.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer, insbesondere mit Bor dotierte Wafer, spielen bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen eine entscheidende Rolle. Ihr kontrollierter spezifischer Widerstand und ihre Kristallausrichtung sind entscheidend für ein vorhersehbares elektronisches Verhalten der hergestellten Bauelemente. Jüngste Fortschritte bei den Dotierungstechniken und Qualitätskontrollmaßnahmen haben die Einheitlichkeit der Materialien und die Zuverlässigkeit der Leistung verbessert.

Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen Dotierungskonzentration, Kristallorientierung und Substrateigenschaften ist für die Optimierung der Halbleiterherstellung von entscheidender Bedeutung. Die fortgesetzte Forschung in der Materialwissenschaft fördert die Integration solcher Substrate in verschiedene industrielle Anwendungen und trägt zu einer Verbesserung der Effizienz und Skalierbarkeit der Geräte bei.