CY9450 Kupfer-Einkristall-Substrate Cu-Substrat (110), 5x5x1 mm, SSP

Kupfer-Einkristallsubstrate Cu-Substrat (110), 5x5x1 mm, SSP Beschreibung

Bei dem Produkt handelt es sich um ein hochreines Kupfersubstrat mit der kristallographischen Orientierung (110) und den Nennabmessungen 5x5x1 mm. Hergestellt durch kontrolliertes Kristallwachstum und Glühprozesse, minimiert die Einkristallstruktur die Korngrenzeneffekte. Die definierte Oberflächenbeschaffenheit und die Maßhaltigkeit unterstützen detaillierte Analysen in der Halbleiterforschung und Materialcharakterisierung. Die Gleichmäßigkeit des Substrats trägt zur Erzielung konsistenter Elektronenstreuungs- und Wärmeleitfähigkeitsmessungen bei.

Kupfer-Einkristall-Substrate Cu-Substrat (110), 5x5x1 mm, SSP-Anwendungen

Elektronische Anwendungen
- Verwendung als leitende Schicht in mikroelektronischen Geräten zur Verbesserung der Signalintegrität durch Ausnutzung der kontrollierten kristallographischen Ausrichtung.

Forschung und Entwicklung
- Wird als Substrat in oberflächenwissenschaftlichen Studien zur Untersuchung der Kupferanisotropie eingesetzt und ermöglicht eine detaillierte Analyse des Elektronenverhaltens bei minimaler Defektinterferenz.

Industrielle Verarbeitung
- Wird häufig in Kalibrierungssystemen für die Qualitätskontrolle verwendet, um Messgeräte zu validieren, indem seine präzisen Abmessungen und seine kristalline Einheitlichkeit genutzt werden.

Kupfer-Einkristall-Substrate Cu-Substrat (110), 5x5x1 mm, SSP-Verpackung

Jedes Substrat ist einzeln in einem antistatischen, mit Schaumstoff ausgekleideten Träger gesichert und in einem feuchtigkeitsbeständigen Beutel versiegelt, um Oxidation und Verunreinigung zu vermeiden. Die Verpackung enthält eine zweite Schutzschicht und eine klare Kennzeichnung zur Identifizierung. Die Lagerung in einer temperaturgeregelten und sauberen Umgebung wird empfohlen. Kundenspezifische Verpackungsoptionen sind erhältlich, um speziellen Handhabungs- oder Transportanforderungen gerecht zu werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Kontrollmaßnahmen gewährleisten die Genauigkeit der Kristallorientierung?
A1: Der Produktionsprozess umfasst Röntgenbeugungs- und Lichtmikroskopieprüfungen, mit denen die (110)-Orientierung mit einer Toleranz im atomaren Bereich überprüft wird, um eine minimale Abweichung von den gewünschten kristallografischen Parametern zu gewährleisten.

F2: Wie wird die Qualität der Substratoberfläche während der Herstellung aufrechterhalten?
A2: Während der Herstellung werden sequenzielle Polier- und Reinigungsverfahren sowie Rasterkraftmikroskopie eingesetzt, um eine geringe Oberflächenrauheit zu erzielen, was für Anwendungen, die eine präzise Bewertung des Elektronenverhaltens erfordern, von entscheidender Bedeutung ist.

F3: Können diese Substrate Hochtemperaturprozesse unterstützen?
A3: Die Substrate wurden unter den für die Halbleiterverarbeitung typischen erhöhten Temperaturbedingungen getestet. Thermische Zyklen und metallurgische Bewertungen bestätigen, dass das Material seine mikrostrukturelle Integrität beibehält, ohne dass es zu Phasenveränderungen kommt.

Zusätzliche Informationen

Kupfereinkristalle bieten einen eindeutigen Vorteil für Studien zur anisotropen elektrischen Leitung und zur Analyse von Materialdefekten. Ihre intakte Kornstruktur ermöglicht eine präzise Untersuchung der Elektronendynamik und der Oberflächenwechselwirkungen, was sowohl für die akademische Forschung als auch für die industrielle Materialentwicklung von entscheidender Bedeutung ist.

Fortschritte in der Kristallzüchtungstechnologie haben die Reproduzierbarkeit und Reinheit von Kupfersubstraten verbessert. Verbesserte Herstellungsverfahren führen zu Substraten mit einer kontrollierten kristallografischen Ausrichtung, was die Genauigkeit von Messungen in der Elektronenmikroskopie, Spektroskopie und Wärmeleitfähigkeitsuntersuchungen erhöht.