CY9434 Silizium-Wafer mit 100 nm Golddurchmesser 2 Zoll x 525 μm dick

Silizium-Wafer mit 100 nm Gold-Dia. 2 Zoll x 525 μm dick Beschreibung

Dieses Produkt besteht aus einem kristallinen Silizium-Wafer, der durch Sputtern gleichmäßig mit einer 100 nm dicken Goldschicht beschichtet wurde. Der Durchmesser von 2 Zoll und die Dicke von 525 μm entsprechen den Standard-Halbleiterwerkzeugen und gewährleisten die Kompatibilität mit den gängigen Verarbeitungsanlagen. Die Goldschicht verbessert die elektrische Leitfähigkeit und bietet gleichzeitig chemische Inertheit. Durch die kontrollierte Abscheidung werden Schichtspannungen und Oberflächenanomalien minimiert, was eine präzise Leistung bei der Herstellung moderner mikroelektronischer und sensorischer Geräte gewährleistet.

Silizium-Wafer mit 100 nm Gold-Dia. 2 Zoll x 525 μm dick Anwendungen

Elektronik und Halbleiterherstellung
- Verwendung als leitende Schicht in integrierten Schaltkreisen zur Herstellung stabiler elektrischer Kontakte unter Ausnutzung der inerten Eigenschaften von Gold.
- Anwendung in Sensorgeräten, um durch die gleichmäßige Abscheidung auf Siliziumsubstraten niederohmige Leiterbahnen zu gewährleisten.

Industrielle Mikrofabrikation
- Dient als Substrat in MEMS-Bauteilen zur Aufrechterhaltung der Dimensionsstabilität und Konsistenz durch Nutzung der Standard-Waferabmessungen.
- Wird häufig in der Forschung eingesetzt, um Prototypen zu entwickeln, die präzise Goldzwischenschichten für eine verbesserte Signalintegrität erfordern.

Siliziumwafer mit 100 nm Golddurchmesser. 2 Zoll x 525 μm dick Verpackung

Der Wafer ist einzeln in einem gepolsterten, antistatischen Behälter verpackt, um mechanische Beschädigungen und elektrostatische Entladungen zu verhindern. Er ist in feuchtigkeitsundurchlässigem Polyethylen versiegelt und wird von speziellen Schaumstoffeinlagen gestützt. Die empfohlene Lagerung in einer Umgebung mit kontrollierter Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit minimiert Verunreinigungen und Oxidation. Die Verpackung kann mit zusätzlicher Beschriftung und Unterteilung in Fächer an die spezifischen Handhabungsanforderungen angepasst werden.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Welche Prüfmethoden werden eingesetzt, um die Gleichmäßigkeit der 100 nm Goldschicht zu gewährleisten?
A1: Die Gleichmäßigkeit der Oberfläche wird mit Hilfe der Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und der Rasterkraftmikroskopie (AFM) überprüft. Mit diesen Techniken werden Abweichungen in der Schichtdicke oder mikrostrukturelle Defekte aufgespürt, um sicherzustellen, dass der Abscheidungsprozess präzise technische Toleranzen einhält.

F2: Wie wirkt sich die Schichtdicke von 525 μm auf die Leistung des Wafers während der Verarbeitung aus?
A2: Die Dicke von 525 μm sorgt für mechanische Stabilität, minimiert den Verzug bei thermischen Zyklen und ermöglicht die Kompatibilität mit Standard-Wafer-Verarbeitungsanlagen. Diese Abmessung trägt dazu bei, die strukturelle Integrität während der nachfolgenden Mikrofabrikationsschritte zu erhalten.

F3: Gibt es spezielle Handhabungsverfahren, die für goldbeschichtete Siliziumwafer empfohlen werden?
A3: Ja, es ist ratsam, den Wafer mit antistatischen Werkzeugen in einer sauberen Umgebung zu bearbeiten. Durch die Minimierung des direkten Kontakts wird eine Verunreinigung durch Partikel und eine Beschädigung der Oberfläche verhindert, was für die Aufrechterhaltung der Integrität der Goldschicht bei der weiteren Verarbeitung von entscheidender Bedeutung ist.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer sind aufgrund ihrer gut charakterisierten Materialeigenschaften und ihrer Kompatibilität mit einer Vielzahl von Abscheidungsprozessen grundlegende Komponenten in der Halbleitertechnologie. Die Integration einer Goldschicht, deren Dicke genau kontrolliert wird, führt zu vorteilhaften elektrischen und Oberflächeneigenschaften, die für die Verbesserung der Verbindungsleistung in mikroelektronischen Bauelementen unerlässlich sind.

Das Verständnis der Materialwechselwirkungen zwischen Silizium und dünnen Metallschichten ist der Schlüssel für die Entwicklung fortschrittlicher Bauelemente. Das Zusammenspiel von Wärmeausdehnung, Adhäsionseigenschaften und Abscheidequalität sind entscheidende Faktoren für die langfristige Zuverlässigkeit elektronischer Komponenten und Sensoranordnungen.