CY9433 Silizium-Wafer mit 100 nm Golddurchmesser 4 Zoll x 525 μm dick

Silizium-Wafer mit 100 nm Gold Dia. 4 Zoll x 525 μm dick Beschreibung

Silizium-Wafer mit 100 nm Gold-Durchmesser. 4 Zoll x 525 μm dick besteht aus einem Siliziumsubstrat, das durch kontrollierte physikalische Gasphasenabscheidung gleichmäßig mit einer 100 nm dicken Goldschicht beschichtet ist. Der Durchmesser von 4 Zoll in Verbindung mit einer Dicke von 525 μm gewährleistet die Kompatibilität mit Standard-Halbleiterverarbeitungsanlagen. Die Goldschicht bietet einen niedrigen elektrischen Widerstand und ist chemisch inert, so dass sie sich als Testplattform für elektrische Messungen und Adhäsionsstudien beim Substratprototyping eignet.

Silizium-Wafer mit 100 nm Gold-Dia. 4 Zoll x 525 μm dick Anwendungen

1.elektronik
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen zur Erzielung definierter elektrischer Leistungen durch Ausnutzung der einheitlichen Goldbeschichtung.
- Anwendung bei der Sensorkalibrierung zur Verringerung des Kontaktwiderstandes durch Ausnutzung der gleichmäßigen Metallschichteigenschaften.

2. inForschung und Entwicklung
- Wird als Testwafer bei der Prozessoptimierung eingesetzt, um die Gleichmäßigkeit der Abscheidung zu überwachen, indem die genau kontrollierte Goldschicht genutzt wird.
- Wird häufig als Referenzmaterial in Oberflächenstudien verwendet, um die Haft- und Klebeeigenschaften zu bewerten, indem die chemisch inerte Goldoberfläche genutzt wird.

Siliziumwafer mit 100 nm Golddurchmesser. 4 Zoll x 525 μm dick Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen Behälter mit einer Schaumstoffeinlage geschützt, um mechanische Stöße und Verunreinigungen abzuschwächen. Er ist in einem stickstoffgespülten Beutel eingeschlossen, um die Oxidation und Partikelexposition zu minimieren. Diese Maßnahmen tragen dazu bei, die Integrität des Substrats während des Transports und der langfristigen Lagerung in kontrollierten Umgebungen zu erhalten.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie überprüfen Sie die Gleichmäßigkeit der 100 nm Goldbeschichtung?
A1: Die Goldschichtdicke wird mit Röntgenreflektometrie und Rasterkraftmikroskopie bestätigt. Diese Messverfahren liefern quantitative Daten über die Gleichmäßigkeit der Schicht, die für ein einwandfreies elektrisches Verhalten in Halbleiteranwendungen unerlässlich ist.

F2: Welche Oberflächenrauhigkeit wird auf diesen Wafern beobachtet?
A2: Die Oberflächenrauheit wird mit Hilfe der Rasterkraftmikroskopie charakterisiert und zeigt in der Regel Abweichungen im Sub-Nanometer-Bereich. Eine geringe Oberflächenrauhigkeit unterstützt eine gleichmäßige Schichtabscheidung und konsistente Grenzflächeneigenschaften für die Herstellung von Bauelementen.

F3: Wie schützt die Verpackung den Wafer während der Handhabung und des Versands?
A3: Der Wafer ist in einem antistatischen, stickstoffgespülten Behälter mit Schaumstoffeinlagen gesichert, um Stöße abzufedern und eine Verunreinigung durch Partikel zu verhindern. Diese Maßnahmen tragen dazu bei, den Oberflächenzustand und die strukturelle Integrität des Wafers während des Transports zu erhalten.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer dienen als grundlegende Plattform bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen und unterstützen verschiedene Abscheidungs- und Lithografieprozesse. Das Aufbringen einer dünnen Goldschicht verbessert die elektrische Leitfähigkeit und die chemische Stabilität, Faktoren, die für präzise elektrische Messungen und Verbindungsstudien in Forschungsumgebungen unerlässlich sind.

Die Abscheidung von Gold auf Silizium erfordert eine strenge Kontrolle der Abscheidungsbedingungen und der Haftschichten. Techniken wie Röntgenbeugung und Rasterkraftmikroskopie werden routinemäßig eingesetzt, um die Integrität des Films zu bewerten. Das Verständnis dieser Materialinteraktionen trägt zu einer verbesserten Prozesssteuerung und Geräteleistung in der Mikroelektronik bei.