CY9432 Silizium-Wafer mit 50 nm Golddurchmesser 4 Zoll x 525 μm dick

Silizium-Wafer mit 50 nm Golddurchmesser. 4 Zoll x 525 μm dick Beschreibung

Dieser Siliziumwafer weist eine 50 nm dicke Goldschicht auf, die auf einem 4-Zoll-Wafer mit einer Dicke von 525 μm abgeschieden wurde. Die Goldschicht wird mit einem kalibrierten physikalischen Aufdampfverfahren aufgebracht, das eine gleichmäßige Bedeckung erreicht. Dicke und Durchmesser entsprechen den Standardspezifikationen für die Halbleiterherstellung, so dass die Kompatibilität mit den üblichen Verarbeitungsanlagen gewährleistet ist. Die inerte Goldschicht dient als wirksame leitende Schnittstelle und als Barriere gegen Oxidation während der Bauelementeherstellung.

Siliziumwafer mit 50 nm Golddurchmesser. 4 Zoll x 525 μm dick Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Verwendung als Metallisierung in mikroelektronischen Schaltungen zur Verbesserung der Signalleitung durch Nutzung der gleichmäßigen Goldbeschichtung.
- Verwendung als Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen zur Verringerung des Kontaktwiderstands durch kontrollierte Schichtabscheidung.

Sensoren und Optoelektronik
- Dient als leitende Schicht in Sensoranordnungen zur Minimierung der Oxidation durch Ausnutzung der inerten Natur der Goldschicht.
- Wird in Fotodetektormodulen eingesetzt, um stabile elektrische Schnittstellen mit einheitlichen Dickenprofilen zu gewährleisten.

Siliziumwafer mit 50 nm Golddurchmesser. 4 Zoll x 525 μm dick Verpackung

Der Wafer ist in einem antistatischen Behälter mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um Stöße zu absorbieren und mechanische Schäden zu vermeiden. Eine Feuchtigkeitsbarriere und Kontaminationskontrollen sind in die Verpackung integriert, um die Goldoberfläche zu schützen. Der Behälter ist für kontrollierte Lagerbedingungen ausgelegt, um Temperaturschwankungen zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, einschließlich thermischer Isolierung und spezieller Beschriftung, sind auf Anfrage erhältlich.

Häufig gestellte Fragen

Q1: Wie wirkt sich der Goldabscheidungsprozess auf die Leistung des Wafers bei der Halbleiterherstellung aus?
A1: Das Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung gewährleistet eine gleichmäßige 50 nm dicke Goldschicht, die eine gleichmäßige elektrische Leitfähigkeit und Oberflächenpassivierung gewährleistet. Durch die präzise Kontrolle der Schichtdicke werden Verunreinigungen und Oberflächenunregelmäßigkeiten minimiert, was für die anschließenden Fotolithografie- und Ätzprozesse unerlässlich ist.

Q2: Welche Lagerungsbedingungen werden empfohlen, um die Oberflächenintegrität des Wafers zu erhalten?
A2: Der Wafer sollte in einer kontrollierten Umgebung mit stabiler Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert werden. Die antistatische und feuchtigkeitsgeschützte Verpackung trägt dazu bei, die Verunreinigung durch Partikel und den Kontakt mit Chemikalien zu begrenzen, so dass die Goldschicht intakt und über lange Zeit funktionsfähig bleibt.

F3: Können Änderungen der Wafergröße oder der Metalldicke für spezielle Fertigungsanforderungen berücksichtigt werden?
A3: Für die Anpassung der Abmessungen oder der Metalldicke stehen Anpassungsmöglichkeiten zur Verfügung. Der technische Support kann Sie über mögliche Änderungen beraten, um die Standardtoleranzen bei der Halbleiterverarbeitung einzuhalten und gleichzeitig die Integrität des Abscheidungsprozesses zu wahren.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer bilden das wesentliche Substrat bei der Herstellung integrierter Schaltungen. Die Präzision bei der Waferherstellung, einschließlich der Oberflächenbehandlungen und der kontrollierten Abscheidung von leitfähigen Schichten, wirkt sich direkt auf die Ausbeute und Leistung der Bauelemente aus. Eine detaillierte Kontrolle der Abscheidungsparameter stellt sicher, dass die Metallisierungsschicht eine effektive Verbindung und einen geringen Kontaktwiderstand unterstützt.

Die Metallisierung mit Gold ist aufgrund seiner chemischen Inertheit und hervorragenden Leitfähigkeit in der Halbleiterherstellung weit verbreitet. Die für diese Beschichtungen verwendeten Dünnschichtabscheidungsprozesse werden optimiert, um die Verunreinigung durch Partikel zu reduzieren und eine gleichmäßige Beschichtung zu erreichen. Dieser kontrollierte Ansatz unterstützt die gleichbleibende Leistung in den nachfolgenden Fertigungsschritten und trägt zu einer verbesserten Stabilität der Bauelemente über längere Nutzungszeiträume bei.