CY8929 CVD-Zinndiselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat SnSe2-Film 10x10 mm

CVD-Zinndiselenid-Film auf C-Ebenen-Saphir-Substrat SnSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Unser CVD-gewachsener Zinndiselenid (SnSe₂)-Film auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat bietet außergewöhnliche Materialgleichmäßigkeit und kristalline Qualität. Mit einer Größe von 10×10 mm weist dieser dünne Film eine hohe Reinheit, eine präzise Dickenkontrolle und ausgezeichnete elektronische Eigenschaften auf. Durch den Einsatz chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) weist die resultierende Schicht eine einheitliche Oberflächenmorphologie und optimale Ladungsträgerbeweglichkeit auf. Das robuste Saphirsubstrat dient als zuverlässige Grundlage und bietet eine hervorragende thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und Beständigkeit gegen Umwelteinflüsse.

Diese Eigenschaften machen die Zinndiselenidschicht ideal für fortschrittliche Forschungs- und kommerzielle Anwendungen in der Optoelektronik, Photovoltaik und Halbleitertechnik. Strenge Qualitätskontrollen während des gesamten Herstellungsprozesses gewährleisten reproduzierbare Ergebnisse und die Einhaltung strenger Industriestandards. Ganz gleich, ob Sie neuartige elektronische Strukturen erforschen oder Geräte der nächsten Generation entwickeln, unser SnSe₂-on-Saphir-Produkt ist so konzipiert, dass es die anspruchsvollen Leistungsanforderungen erfüllt und konsistente, zuverlässige Ergebnisse liefert.

CVD-Zinndiselenid-Film auf C-Ebenen-Saphir-Substrat SnSe2-Film 10x10 mm Anwendungen

Zinndiselenid-(SnSe2)-Filme, die mit Hilfe der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) auf Saphirsubstraten in der C-Ebene aufgewachsen werden, bieten außergewöhnliche elektrische, optische und chemische Eigenschaften. Die Gleichmäßigkeit, kristalline Qualität und Stabilität des Films machen ihn zu einem vielversprechenden Kandidaten für fortschrittliche Halbleiter, photovoltaische Zellen und optoelektronische Geräte. Der Formfaktor von 10x10 mm bietet eine gleichmäßige Leistung über die gesamte Oberfläche und ermöglicht eine zuverlässige Integration in verschiedene kommerzielle, industrielle und Forschungsanwendungen.

1: Elektronik- und Halbleiteranwendungen

-Anwendung 1: Hochleistungs-Feldeffekttransistoren (FETs), bei denen die gleichmäßige SnSe2-Schicht einen effizienten Ladungstransport und geringere Leckagen gewährleistet.

-Anwendung 2: Dünnschichtsensoren und -detektoren, die von der stabilen und hochkristallinen Struktur der Schicht profitieren.

2: Medizinische Geräte und Geräte für das Gesundheitswesen

-Anwendung 1: Miniaturisierte Biosensor-Plattformen, die die hervorragende elektrische Leitfähigkeit von SnSe2 für eine präzise Signalerkennung nutzen.

-Anwendung 2: Fortschrittliche optische Komponenten in diagnostischen Bildgebungssystemen, die sich das optoelektronische Verhalten des Films zunutze machen.

3: Energie- und Forschungsanwendungen

-Anwendung 1: Entwicklung von Prototyp-Solarzellen, die die starken Absorptionsfähigkeiten von SnSe2 für eine verbesserte Lichtausbeute nutzen.

-Anwendung 2: Thermoelektrische Forschung, wo die einzigartigen thermischen und elektrischen Eigenschaften der Schicht eine effizientere Energieumwandlung ermöglichen.

CVD-Zinn-Diselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat SnSe2-Film 10x10 mm Verpackung

Jede CVD-Zinndiselenid (SnSe2)-Folie auf C-Ebenen-Saphir wird sorgfältig in einem antistatischen Beutel verpackt, mit Schaumstoffeinlagen gepolstert und dann in einem feuchtigkeitsbeständigen Behälter versiegelt, um sie vor Verunreinigungen zu schützen. Für eine optimale Aufbewahrung sollten Sie sie in einer kontrollierten Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und vor direkter Sonneneinstrahlung geschützt lagern. Wir bieten auch eine optionale Stickstoffspülung an, um die Partikelexposition zu minimieren. Kundenspezifische Verpackungskonfigurationen sind möglich, um spezifische Anforderungen zu erfüllen und eine sichere Lieferung Ihrer 10×10 mm Folie zu gewährleisten.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

CVD-Zinndiselenid-Folie auf C-Ebenen-Saphir-Substrat SnSe2-Folie 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD-Zinndiselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat SnSe2 Film 10x10 mm?

A1: Diese CVD-gewachsene Zinndiselenid (SnSe2)-Folie auf einem c-ebenen Saphir-Substrat weist eine geschichtete hexagonale Kristallstruktur mit starker Bindung in der Ebene auf. Er weist eine gleichmäßige Dicke, eine einheitliche Morphologie und eine ausgezeichnete stöchiometrische Kontrolle auf. Der Film hat eine Bandlücke zwischen 1,0 eV und 1,2 eV und eignet sich daher für optoelektronische Anwendungen. Die chemische Stabilität, die geringe Defektdichte und die robuste Haftung auf Saphir gewährleisten eine zuverlässige Leistung in Forschung und Industrie.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um die Integrität des Films zu bewahren, sollten Sie das Substrat mit Reinraumhandschuhen und einer nichtmetallischen Pinzette handhaben und den direkten Kontakt mit der aktiven Oberfläche vermeiden. Lagern Sie die Probe in einer sauberen Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit, idealerweise unter inerten Bedingungen oder in einem Exsikkator, um Kontamination und Oxidation zu vermeiden. Vermeiden Sie es, das Substrat extremen Temperaturen oder Feuchtigkeit auszusetzen. Die Einhaltung dieser Richtlinien trägt dazu bei, die Gleichmäßigkeit, Haftung und Leistung der Folie über einen längeren Zeitraum in der Forschung oder Produktion zu erhalten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Zinndiselenid-Folie auf C-Ebene Saphir-Substrat SnSe2-Folie 10x10 mm?

A3: Diese CVD-SnSe2-Filme werden in der Regel nach den branchenrelevanten Normen ISO 9001 und ISO 14001 geprüft, um gleichbleibende Qualität und Umweltverträglichkeit zu gewährleisten. Zu den Charakterisierungsmethoden gehören Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und Röntgen-Photoelektronenspektroskopie, um die Kristallstruktur, die Zusammensetzung und die Sauberkeit der Oberfläche zu überprüfen. Optische oder elektronenmikroskopische Prüfungen helfen, die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke zu bestätigen. Die Einhaltung dieser Verfahren gewährleistet eine zuverlässige, reproduzierbare Produktqualität, die für kommerzielle und industrielle Anwendungen geeignet ist.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Bei der Herstellung der CVD-Zinndiselenid-Schicht auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat SnSe2-Film 10x10 mm sind viele entscheidende Schritte erforderlich, beginnend mit einer sorgfältigen Reinigung des Substrats, um Verunreinigungen zu entfernen. Sobald die Saphir-Oberfläche vollständig vorbereitet ist, werden präzise Mengen an Zinn und Selen in eine kontrollierte Umgebung für die chemische Gasphasenabscheidung eingebracht, in der Temperaturen und Gasdurchflussraten sorgfältig geregelt werden. Dieser Ansatz gewährleistet eine gleichmäßig abgeschiedene SnSe2-Schicht, wodurch eine bemerkenswerte Dickenkonsistenz über das 10x10 mm große Substrat erreicht wird.

Während des Abscheidungsprozesses verfolgen fortschrittliche Überwachungssysteme Parameter wie die Substrattemperatur, den Kammerdruck und die Konzentrationen der Reaktanten. Die in Echtzeit gesammelten Daten tragen dazu bei, die Reinheit der Schicht aufrechtzuerhalten und ermöglichen sofortige Anpassungen, wenn Abweichungen festgestellt werden. Im Ergebnis weist das Endprodukt eine hervorragende kristallografische Qualität und nur minimale Defekte auf, was eine stabile Grundlage für die nachfolgenden Schritte der Bauelementeherstellung bildet.

2. Anwendungen in fortgeschrittenen Industrien

In vielen High-Tech-Bereichen spielt die CVD-Zinn-Diselenid-Schicht auf dem C-Ebenen-Saphir-Substrat SnSe2 Film 10x10 mm aufgrund ihrer hervorragenden elektrischen und optischen Eigenschaften eine zentrale Rolle. Seine abstimmbare Bandlücke und seine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit machen es zu einem attraktiven Kandidaten für Dünnschichttransistoren, Photodetektoren und Energiespeicher. Die Forscher untersuchen auch sein Potenzial für Sensoren der nächsten Generation, wo die Empfindlichkeit des Materials gegenüber äußeren Reizen eine präzise Überwachung in der industriellen Automatisierung und intelligenten Elektronik ermöglichen könnte.

Erhöhte Leistungsanforderungen in fortschrittlichen Bereichen wie der Optoelektronik und der flexiblen Elektronik profitieren in hohem Maße von den besonderen Eigenschaften dieser Schicht. Die robuste Befestigung der Zinndiselenidschicht auf dem Saphirsubstrat erhöht die Zuverlässigkeit unter wechselnden thermischen und mechanischen Bedingungen. Folglich beobachten Hersteller und Forschungseinrichtungen gleichermaßen eine stetige Nachfrage nach diesem einzigartigen Material, was weitere Entwicklungen und die Erforschung neuer Anwendungen vorantreibt.