CY8927 CVD-Platin-Diselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2-Film 10x10 mm

CVD-Platin-Diselenid-Film auf C-Ebene-Saphir-Substrat PtSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Erleben Sie die außergewöhnliche Leistung unserer CVD-Platin-Diselenid (PtSe2)-Folie auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat, die präzise für die Spitzenforschung und die Herstellung von Bauelementen gefertigt wurde. Mit einer Standardabmessung von 10×10 mm bietet dieser hochwertige PtSe2-Film eine hervorragende Kristallinität und eine gleichmäßige Abdeckung. Das streng kontrollierte CVD-Verfahren gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke, die zuverlässige elektrische und optische Messungen ermöglicht und gleichzeitig die Variabilität der Proben verringert.

Die einzigartige Schichtstruktur von PtSe2 zeigt ein vielversprechendes Potenzial für Anwendungen in der fortgeschrittenen Elektronik, Spintronik und Sensortechnik. Seine niedrige Austrittsarbeit, hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und robuste chemische Stabilität machen es zu einer idealen Wahl für Hochleistungstransistoren, Photodetektoren und Gassensoren. Diese CVD-gewachsene PtSe2-Schicht wurde nach strengen Qualitätsstandards getestet und bietet eine hervorragende Reproduzierbarkeit, die Vertrauen in alle experimentellen und kommerziellen Bemühungen gewährleistet.

CVD-Platindiselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2-Film 10x10 mm Anwendungen

CVD-Platin-Diselenid-Folie auf C-Ebenen-Saphir-Substrat (PtSe2-Folie 10x10 mm) bietet eine bemerkenswerte elektrische Leitfähigkeit, chemische Stabilität und modifizierbare Bandlücke, was sie zu einer vielseitigen Option für moderne Technologien macht. Seine hochwertige kristalline Struktur und gleichmäßige Dicke ermöglichen eine zuverlässige Leistung in schwierigen Umgebungen. Von industriellen Sensoren bis hin zu fortschrittlichen Forschungseinrichtungen eignet sich dieses Dünnschichtmaterial für zahlreiche Innovationen, die Effizienz, Nachhaltigkeit und Präzision fördern.

1. industrielle Anwendungen

-Abgassensoren für Kraftfahrzeuge, die auch unter rauen Bedingungen funktionieren

-Chemische Prozessüberwachung zur Echtzeit-Erkennung flüchtiger Verbindungen

2. wissenschaftliche Anwendungen

-Erforschung von 2D-Materialien für elektronische Geräte der nächsten Generation

-Entwicklung hochempfindlicher Sensorprototypen für Laborexperimente

3. kommerzielle Anwendungen

-Moderne Unterhaltungselektronik mit verbesserter Leitfähigkeit und Haltbarkeit

-Telekommunikationskomponenten, die eine stabile Leistung unter verschiedenen Bedingungen erfordern

CVD-Platin-Diselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2-Film 10x10 mm Verpackung

Jede 10x10 mm große CVD-Platin-Diselenid-Folie auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat wird sorgfältig in einem versiegelten, statikarmen Behälter verpackt, der mit Schaumstoff ausgekleidet ist, um physische Schäden zu vermeiden. Ein zusätzlicher feuchtigkeitsresistenter Beutel hilft, die Trockenheit aufrechtzuerhalten, während Anti-Rost-Papier Verunreinigungen abmildert. Für eine langfristige Lagerung sollten sie bei Raumtemperatur in einer sauberen, staubfreien Umgebung aufbewahrt werden. Zu den Anpassungsmöglichkeiten gehören spezielle Kartongrößen, Vakuumversiegelung oder Stickstoffspülung für zusätzlichen Schutz je nach den spezifischen Anwendungsanforderungen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

CVD-Platin-Diselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2-Film 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD-Platin-Diselenid-Film auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2 Film 10x10 mm?

A1: Diese CVD-Platin-Diselenid (PtSe2)-Folie auf einem 10x10 mm großen C-Ebenen-Saphir-Substrat weist eine hohe kristalline Qualität, eine gleichmäßige Oberflächenmorphologie und eine präzise Dickensteuerung auf. PtSe2 bietet eine bemerkenswerte elektrische Leitfähigkeit, stabile chemische Eigenschaften und eine gute thermische Stabilität, die für fortschrittliche elektronische oder sensorische Anwendungen geeignet sind. Die Schichtstruktur des Films ermöglicht abstimmbare Bandlückencharakteristiken, während das Saphirsubstrat mechanische Robustheit, minimale Gitterfehlanpassung und zuverlässige Leistung unter verschiedenen experimentellen und industriellen Bedingungen gewährleistet.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Es wird empfohlen, diese PtSe2-Folie mit Handschuhen zu handhaben, da Öle oder Partikel ihre Oberflächenintegrität beeinträchtigen können. Lagern Sie das Substrat in einem sauberen, trockenen Behälter oder vakuumversiegelten Beutel, um Verunreinigungen und Feuchtigkeitsschäden zu vermeiden. Vermeiden Sie übermäßige mechanische Beanspruchung, indem Sie die Kanten anfassen, anstatt die aktive Oberfläche zu berühren. Verwenden Sie nicht scheuernde Werkzeuge und stellen Sie sicher, dass die Umgebung frei von statischer Aufladung ist, um eine optimale Filmqualität zu erhalten und Defekte zu vermeiden.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Platin-Diselenid-Folie auf C-Ebene Saphir-Substrat PtSe2-Folie 10x10 mm?

A3: Die Hersteller halten sich in der Regel an die Grundsätze des Qualitätsmanagements nach ISO 9001, um eine einheitliche Produktherstellung und -prüfung zu gewährleisten. Die PtSe2-Folie wird gründlichen messtechnischen Prüfungen unterzogen, einschließlich Röntgenbeugung (XRD), Rasterkraftmikroskopie (AFM) und Raman-Spektroskopie, um die kristalline Struktur, Gleichmäßigkeit und Dicke zu überprüfen. Zusätzliche Qualitätsprüfungen können Rasterelektronenmikroskopie (SEM) zur Oberflächeninspektion und elektrische Messungen umfassen. Diese Standards bestätigen die Eignung der Folie für Forschung, Prototyping und industrielle Anwendungen, die reproduzierbare, hochwertige Materialien erfordern.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Die Herstellung der 10x10 mm großen CVD-Platin-Diselenid-Schicht auf c-ebenen Saphir-Substraten erfordert sorgfältig kontrollierte Abscheidungsschritte, um eine gleichmäßige Dicke und kristalline Qualität zu erreichen. Unter Verwendung einer genau geregelten chemischen Gasphasenabscheidung reagieren platin- und selenhaltige Vorläufergase bei erhöhten Temperaturen, wodurch die Bildung einer reinen PtSe2-Schicht mit minimalen Defekten gewährleistet wird. Das für seine Stabilität bekannte c-plane Saphirsubstrat bietet eine optimale Wachstumsoberfläche, die die Integrität der Schicht während des gesamten Prozesses bewahrt.

Unter Berücksichtigung der Reinigung des Substrats und des Temperaturanstiegs wird die Wachstumssequenz genauestens verfeinert, um die strengen Anforderungen an die Abmessungen zu erfüllen. Das Ergebnis ist eine äußerst reproduzierbare PtSe2-Beschichtung mit hervorragender Haftung auf der Saphiroberfläche. Die Techniker kalibrieren häufig die Gasdurchflussraten und den Kammerdruck, um die Gleichmäßigkeit der Schicht über die Fläche von 10 x 10 mm aufrechtzuerhalten, was eine bessere Skalierbarkeit und Konsistenz des Prozesses ermöglicht.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Die PtSe2-Schicht auf c-ebenem Saphir geht über die herkömmliche Elektronik hinaus und eröffnet Möglichkeiten in Bereichen wie Hochleistungssensoren und optoelektronischen Systemen der nächsten Generation. Da Platindiselenid eine starke elektrische Leitfähigkeit und abstimmbare Bandlückeneigenschaften aufweist, kann es eine verbesserte Signalerfassung in kommerziellen Sensoranordnungen ermöglichen. So können beispielsweise fortschrittliche Photodetektoren, die in industriellen Automatisierungsprozessen zum Einsatz kommen, stark von der stabilen Reaktion des Materials unter verschiedenen Temperaturbedingungen profitieren.

Als robuste Plattform für elektronische Hochgeschwindigkeitsverbindungen ebnet dieser PtSe2-Film auch den Weg für Innovationen in flexiblen Gerätearchitekturen. Die Fähigkeit, die Leistung bei kompakten Abmessungen aufrechtzuerhalten, macht sie zu einer attraktiven Wahl für hochmoderne integrierte Schaltkreise und spezialisierte photonische Komponenten. Folglich bevorzugen Ingenieurteams, die anspruchsvolle Geräteanwendungen erforschen, häufig die 10x10 mm große CVD-Platindiselenidschicht aufgrund ihrer konsistenten elektrischen Eigenschaften und ihrer Anpassungsfähigkeit.