CY8926 Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm

Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Dieser Wolframdiselenid (WSe₂)-Film auf einem 10×10 mm großen SiO₂/Si-Substrat bietet außergewöhnliche elektronische und optische Eigenschaften, die ihn zu einer vielseitigen Wahl für die Spitzenforschung und die Herstellung von Bauelementen machen. Seine atomar dünne, geschichtete Struktur gewährleistet eine direkte Bandlücke in Form einer Monolage, was zu verstärkter Photolumineszenz und hoher Ladungsträgerbeweglichkeit führt. Darüber hinaus erleichtert das stabile 2D-Gitter den effizienten Ladungstransfer und ermöglicht so eine hervorragende Leistung in Bereichen wie Photovoltaik, Photodetektoren und flexibler Elektronik.

Der unter strengen Qualitätskontrollen hergestellte WSe₂-Film weist eine gleichmäßige Dicke und minimale Verunreinigungen auf und erfüllt damit die Anforderungen von akademischen und industriellen Anwendungen. Ihre ausgezeichnete chemische und thermische Stabilität fördert die Zuverlässigkeit bei strengen Experimenten, während die kalibrierte Substratausrichtung Präzision bei der Integration von Bauelementen garantiert. Mit dieser WSe₂-Folie können Forscher getrost die Grenzen fortschrittlicher Materialien und elektronischer Technologien erforschen.

Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Anwendungen

Wolframdiselenid (WSe2)-Filme auf SiO2/Si-Substraten bieten eine vielseitige 2D-Halbleiterlösung mit bemerkenswerten elektrischen, optischen und mechanischen Eigenschaften. Mit einer praktischen Abmessung von 10x10 mm unterstützen diese Schichten die präzise Herstellung von Bauelementen. Ihre Schichtstruktur, die Abstimmbarkeit der Bandlücke und die hohe Ladungsträgerbeweglichkeit machen sie ideal für verschiedene Hochleistungsanwendungen in der Elektronik, der erneuerbaren Energie und der Spitzenforschung.

1. industrielle Anwendungen

-Fortschrittliche Halbleiterherstellung: Die hohe Ladungsträgerbeweglichkeit von WSe2 hilft bei der Herstellung schnellerer und effizienterer industrieller Mikrochips.

-Photovoltaische Module: Die abstimmbaren Bandlückeneigenschaften ermöglichen verbesserte Solarzellendesigns, die zu einer höheren Energieausbeute führen.

-Chemische Sensoren: Robuste Oberflächenwechselwirkungen unterstützen die präzise Erkennung von Chemikalien in der Prozessüberwachung.

2) Forschungsanwendungen

-Quantenbauelemente: Die atomar dünnen Schichten von WSe2 bieten eine Plattform für die Erforschung von Quantenphänomenen der nächsten Generation in Labors.

-Optoelektronische Studien: Die starken Photolumineszenzeigenschaften machen WSe2 ideal für die Untersuchung von Licht-Materie-Wechselwirkungen.

-Materialwissenschaftliche Untersuchungen: Forscher setzen WSe2 ein, um die mechanischen und elektronischen Eigenschaften von 2D-Materialien zu untersuchen.

3. kommerzielle Anwendungen

-Unterhaltungselektronik: Die hervorragende elektrische Leitfähigkeit dieses Films ermöglicht kleinere, vielseitigere und zuverlässigere elektronische Geräte.

-Energiegewinnungsgeräte: Ihre Fähigkeit, die Umwandlung von Solarenergie zu optimieren, unterstützt die Entwicklung effizienterer und kompakterer Module.

-Wearable Sensors: Langlebige und flexible WSe2-Schichten ermöglichen eine fortschrittliche Gesundheitsüberwachung in Smartwatches und Fitnessarmbändern.

Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Verpackung

Die WSe₂-Folie ist in einem antistatischen, vakuumversiegelten Beutel mit Schaumstoffeinlagen verpackt, um die mechanische Belastung zu minimieren. Jedes 10×10 mm Wolframdiselenid auf SiO₂/Si-Substrat ist einzeln in einem reinraumtauglichen Kunststoffbehälter eingeschlossen, der Schutz vor Feuchtigkeit, Staub und Oberflächenbeschädigung gewährleistet. Für eine optimale Unversehrtheit sollten sie in einer trockenen Umgebung unter 25°C gelagert werden. Zusätzliche Maßnahmen zum Schutz vor Kontamination umfassen eine versiegelte Sekundärverpackung. Kundenspezifische Anpassungen, wie z. B. andere Abmessungen oder Substratwahlen, sind auf Anfrage erhältlich.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm?

A1: Eine der wichtigsten Materialeigenschaften des 10x10 mm Wolframdiselenid-Films (WSe2) auf SiO2/Si ist seine direkte Bandlücke bei 1,2 eV, die eine effiziente optische Absorption und Emission für potenzielle photonische Anwendungen ermöglicht. Der Film weist außerdem eine starke Spin-Bahn-Kopplung, eine robuste chemische und thermische Stabilität und eine hervorragende kristalline Qualität auf. In Kombination mit der isolierenden SiO2-Schicht unterstützt diese Struktur die moderne Transistor- und Sensorforschung in der Elektronik.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Achten Sie auf minimale mechanische Belastung, um Risse oder Delaminationen zu vermeiden. Lagern Sie es in einer sauberen, trockenen Umgebung mit stabiler Temperatur und Luftfeuchtigkeit, idealerweise in einer inerten Atmosphäre oder einem Vakuum-Exsikkator. Es wird empfohlen, die Probe mit einer nicht-metallischen Pinzette anzufassen oder Handschuhe zu tragen, um eine Kontamination zu vermeiden. Vermeiden Sie den direkten Kontakt mit Flüssigkeiten oder aggressiven Chemikalien, die die Oberflächeneigenschaften beeinträchtigen oder verändern könnten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Wolframdiselenid-Film auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm?

A3: Diese WSe2-Filme werden in der Regel unter strengen Herstellungs- und Prüfprotokollen hergestellt, um eine gleichmäßige Dicke, Substrathaftung und minimale Fehler zu gewährleisten. Viele Lieferanten halten sich an die Qualitätsmanagementnorm ISO 9001 und legen Wert auf Rückverfolgbarkeit und Dokumentation während des gesamten Produktionsprozesses. Zusätzlich kann die Einhaltung der RoHS- und REACH-Normen gewährleistet werden, um sicherzustellen, dass die Folie die Umwelt- und Sicherheitsanforderungen für kommerzielle und industrielle Forschungsanwendungen erfüllt.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Wolframdiselenid (WSe2)-Filme auf einem SiO2/Si-Substrat weisen eine außergewöhnliche Schichtkristallinität auf, was sie ideal für elektronische und photonische Hochleistungsanwendungen macht. Die Konfiguration von 10x10 mm gewährleistet ein einheitliches Oberflächenprofil, das für die präzise Signalsteuerung in modernen Transistorstrukturen entscheidend ist. Die atomare Anordnung von WSe2 trägt zu einer geringen Defektdichte bei, was den Ladungsträgertransport verbessert und beeindruckende Schaltgeschwindigkeiten bei der Integration in Halbleiterbauelemente der nächsten Generation ermöglicht.

Eine solche ultradünne Schicht bietet aufgrund der inhärenten Inertheit von Wolframdiselenid auch eine bemerkenswerte chemische Stabilität. Diese Stabilität ist von entscheidender Bedeutung, wenn Bauelemente längeren Betriebszyklen oder schwierigen Umweltbedingungen ausgesetzt sind. Darüber hinaus bietet die Synergie mit SiO2/Si eine konsistente Grenzfläche, die dazu beiträgt, die strukturelle Integrität des Films aufrechtzuerhalten, was eine minimale Verformung bei Herstellungsprozessen ermöglicht, bei denen Maßhaltigkeit von größter Bedeutung ist.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Forschungslabors, die sich mit modernster Nanoelektronik beschäftigen, verwenden diese WSe2-Schichten zur Entwicklung von Prototyp-Schaltungen und -Transistoren mit deutlich verbesserter Skalierbarkeit. Durch die Nutzung der Bandstruktur von Wolframdiselenid können Ingenieure Geräte entwerfen, die mit niedrigeren Spannungen arbeiten, was die Energieeffizienz fördert und die ständige Forderung nach einer längeren Batterielebensdauer in der tragbaren Elektronik unterstützt.

Darüber hinaus verspricht dieser 10x10 mm große WSe2-Film vielversprechende Innovationen in der Fotodetektion und Optoelektronik, wo schnelle Reaktionszeiten entscheidend sind. In Sensoren und bildgebenden Komponenten ermöglichen die direkte Bandlücke und die hohen Absorptionskoeffizienten des Materials eine verbesserte Empfindlichkeit, die eine präzise Datenerfassung in industriellen Bildgebungssystemen und modernen wissenschaftlichen Instrumenten gewährleistet.