CY8924 CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm Beschreibung

Erleben Sie den Höhepunkt der zweidimensionalen Halbleiterforschung mit unserem CVD-Monolayer-Molybdändiselenid (MoSe2) auf einem SiO2/Si-Substrat im praktischen 10×10 mm-Format. Diese ein Atom dicke MoSe2-Schicht wird sorgfältig durch chemische Gasphasenabscheidung hergestellt, um eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit und hohe kristalline Qualität zu erzielen. Die direkte Bandlücke und die exzellente Ladungsträgerbeweglichkeit ermöglichen eine präzise Steuerung des optischen und elektronischen Verhaltens und sind somit ideal für die fortgeschrittene Forschung und das Prototyping von Bauelementen.

Die nach strengen Qualitätsstandards hergestellte MoSe2-Monolayer-Schicht weist eine robuste chemische Stabilität und Reproduzierbarkeit auf, so dass bei verschiedenen Experimenten konsistente Ergebnisse erzielt werden. Ob bei der Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation, Photodetektoren oder flexibler Elektronik, unser Produkt zeichnet sich durch seine überragende Zuverlässigkeit und Leistung aus. Erweitern Sie die Grenzen Ihrer Forschung mit diesem bahnbrechenden Material an der Spitze der Nanotechnologie.

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm Anwendungen

CVD-Monolayer-Molybdändiselenid (MoSe2) auf einem SiO2/Si-Substrat ist ein 2D-Material der nächsten Generation, das für seine außergewöhnlichen halbleitenden, optischen und mechanischen Eigenschaften bekannt ist. Seine große Bandlücke und robuste Struktur ermöglichen fortschrittliche Funktionalitäten in zahlreichen Branchen. Mit Anwendungen, die von der Elektronik bis zur Katalyse reichen, bietet diese hochwertige MoSe2-Schicht neue Möglichkeiten für innovative Forschung, Produktentwicklung und effiziente Fertigung.

1. elektronik- und halbleiteranwendungen

-Dient als ultradünnes Kanalmaterial in Hochleistungstransistoren und ermöglicht schnellere und energieeffizientere Schaltungen.

-Erleichtert die empfindliche Fotodetektion für hochmoderne Bildgebungsgeräte und verbessert die Auflösung in Verbraucher- und Industriekameras.

2. medizinische und gesundheitliche Anwendungen

-Ermöglicht fortschrittliche Biosensor-Plattformen für die Schnelldiagnostik und verbessert die Genauigkeit und Geschwindigkeit von Patiententests.

-Integrierbar in tragbare Gesundheitsüberwachungssysteme, die eine kontinuierliche Beobachtung der Lebenszeichen und eine frühzeitige Erkennung von Anomalien ermöglichen.

3. forschungs- und wissenschaftliche Instrumente

-Bietet ein robustes Testsubstrat für die Untersuchung von 2D-Quantenphänomenen in der Elektronik und Optoelektronik.

-Unterstützt grundlegende Studien über niedrigdimensionale Materialien, die es Forschern ermöglichen, neuartige Gerätearchitekturen und Funktionalitäten zu erforschen.

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm Verpackung

Jeder 10x10 mm große CVD-Monolayer-Molybdändiselenid-Film auf einem SiO2/Si-Substrat ist sorgfältig in einem versiegelten, antistatischen Behälter verpackt, um die Qualität der Proben zu erhalten. Umgeben von Schaumstoffeinlagen und Kieselgel ist sie vor Erschütterungen, Feuchtigkeit und Verunreinigungen geschützt. Es wird empfohlen, sie in einer trockenen, sauberen Umgebung zu lagern, um eine Zersetzung zu verhindern. Kundenspezifische Verpackungen sind auf Anfrage erhältlich, um spezielle Handhabungs- und Versandanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm?

A1: Bei diesem Produkt handelt es sich um einen Monolayer-MoSe2-Film, der auf einem SiO2/Si-Substrat abgeschieden wurde und außergewöhnlich dünn für fortgeschrittene optische und elektronische Studien ist. Er weist eine direkte Bandlücke von etwa 1,55 eV, eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und eine einheitliche Oberflächenmorphologie auf, die durch Raman-Spektroskopie und Rasterkraftmikroskopie bestätigt wurde. Das Substrat hat eine Größe von 10x10 mm und bietet eine geeignete Plattform für die Herstellung von Bauelementen, die Materialcharakterisierung und die Grundlagenforschung im Bereich zweidimensionaler Halbleiter.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden, um seine Integrität zu erhalten?

A2: Zur ordnungsgemäßen Handhabung gehört das Tragen von Reinraumhandschuhen und die Verwendung einer nichtmetallischen Pinzette, um ein Verkratzen der empfindlichen Monolayer-Oberfläche zu vermeiden. Lagern Sie die Probe in einer Kammer mit niedriger Luftfeuchtigkeit oder einem Vakuum-Exsikkator, um die Adsorption von Feuchtigkeit und Verunreinigungen zu verhindern. Setzen Sie die Probe möglichst wenig direktem Licht und übermäßiger Hitze aus, um die optischen und elektrischen Eigenschaften zu erhalten. Wenn nötig, wird eine sanfte Reinigung mit einem geeigneten Lösungsmittel empfohlen.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm?

A3: Die Herstellung dieser MoSe2-Folie erfolgt in der Regel nach anerkannten internationalen Normen wie ISO 9001 für Qualitätsmanagementsysteme und ISO 14001 für Umweltmanagement. Das Substrat und die Dünnschichtmaterialien werden häufig gemäß den einschlägigen ASTM-Protokollen getestet, um die Einheitlichkeit der Dicke, die chemische Reinheit und die optischen/elektrischen Eigenschaften zu überprüfen. Diese Maßnahmen tragen dazu bei, eine gleichbleibende Leistung und Zuverlässigkeit in kommerziellen und industriellen Anwendungen zu gewährleisten.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Eine herausragende Eigenschaft des CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2-Films (10x10 mm) ist seine außergewöhnliche optische Absorption, die ihn besonders für photonische Geräte geeignet macht. Die gleichmäßige Dicke der Monoschicht trägt zu einer stabilen und konsistenten Bandlücke über die gesamte Oberfläche bei, was eine zuverlässige Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen gewährleistet.

Aufgrund der zweidimensionalen Beschaffenheit dieser Monoschicht weist sie eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und minimale Streuung auf, was einen effizienten Ladungstransport in Transistorarchitekturen ermöglicht. Darüber hinaus verbessert die robuste Kristallstruktur des Films seine Umweltstabilität und macht ihn bemerkenswert widerstandsfähig gegen Degradation unter Umgebungsbedingungen.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Spitzenforschungsinstitute und Halbleiterhersteller verwenden zunehmend CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf SiO2/Si-Substrat MoSe2-Filme (10x10 mm) für optoelektronische Systeme der nächsten Generation, darunter hochempfindliche Fotodetektoren und Feldeffekttransistoren mit niedrigem Stromverbrauch. Die kompakte Größe und die gleichmäßige Dicke der Monoschicht tragen dazu bei, die Leistung zu optimieren und gleichzeitig den Materialverbrauch zu minimieren - ein Vorteil bei der Suche nach kleineren und effizienteren Geräten.

Demonstrationen der erfolgreichen Integration dieser Schicht in flexible Elektronik zeigen vielversprechende Anwendungen in neuen Wearables, Sensoren und faltbaren Displays. Der hohe Grad an Kontrolle über die Oberflächeneigenschaften ermöglicht eine präzise Geräteentwicklung und fördert Innovationen in verschiedenen Bereichen wie biomedizinische Instrumente, Telekommunikation und Unterhaltungselektronik.