CY8923 CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm

CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf C-Ebene-Saphir-Substrat MoSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Erleben Sie die außergewöhnliche Qualität unserer CVD-Monolayer-Molybdändiselenid (MoSe2)-Folie, die sorgfältig auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat gezüchtet wurde, um eine hervorragende Gleichmäßigkeit und Kristallinität zu gewährleisten. 10×10 mm groß, verfügt diese atomar dünne Schicht über bemerkenswerte elektronische und optische Eigenschaften, die sie ideal für die Spitzenforschung und Entwicklung in Bereichen wie Optoelektronik, Photovoltaik und Nanoelektronik machen. Jeder Film wird einer strengen Qualitätskontrolle unterzogen, um die Glätte der Oberfläche, die Defektdichte und die Konsistenz der Schichtdicke zu überprüfen und so eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Anwendungen zu gewährleisten.

Dank des fortschrittlichen CVD-Verfahrens weist das einlagige MoSe2 eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit, ein starkes exzitonisches Verhalten und eine ausgezeichnete thermische Stabilität auf. Ganz gleich, ob Sie an Transistoren der nächsten Generation, Photodetektoren oder flexibler Elektronik forschen, unsere MoSe2-Folie bietet die Zuverlässigkeit und Präzision, die Sie für eine erfolgreiche Bauelementeherstellung benötigen. Dieses hochmoderne Produkt bietet die ultimative Plattform für Innovatoren, die die Zukunft der zweidimensionalen Materialien erforschen.

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm Anwendungen

CVD-Monolayer-Molybdändiselenid (MoSe2) auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat bietet eine Kombination aus bemerkenswerten elektronischen, optischen und mechanischen Eigenschaften. Mit einer großen, gleichmäßigen Fläche von 10x10 mm bietet diese hochwertige Dünnschicht eine überragende Bauelementleistung in verschiedenen zivilen, kommerziellen und industriellen Bereichen. Die außergewöhnliche Ladungsträgerbeweglichkeit, die abstimmbare Bandlücke und die thermische Stabilität machen sie zu einer idealen Wahl für Technologien der nächsten Generation in verschiedenen Bereichen.

1. elektronische und Halbleiteranwendungen

-Hochleistungstransistoren: Nutzen Sie die hervorragende Elektronenbeweglichkeit des Films für schnellere, energieeffiziente Geräte

-Photodetektoren und Sensoren: Nutzung der abstimmbaren Bandlücke für die empfindliche Erfassung optischer Signale

-Flexible Elektronik: Nutzung der mechanischen Flexibilität der Monolage für tragbare oder biegbare Geräte

2. energie und erneuerbare technologie

-Solarzellen: Verbesserung der photovoltaischen Umwandlung durch die starke Lichtabsorption und Stabilität des Materials

-Energiespeicherung: Verbesserung von Batteriekomponenten mit überlegener elektrischer Leitfähigkeit und chemischer Widerstandsfähigkeit

3. forschung und wissenschaftliche Anwendungen

-Fortgeschrittene 2D-Materialstudien: Erforschung einzigartiger quanten- und optoelektronischer Phänomene

-Prototyping von Bauelementen: Testen neuartiger Schaltungen oder Sensorkonfigurationen in hochmodernen Labors

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2-Film 10x10 mm Verpackung

Diese MoSe₂-Folie ist in einer antistatischen Polypropylenbox verpackt, die vakuumversiegelt ist, um das Eindringen von Feuchtigkeit und Partikeln zu verhindern. Ein robustes Schaumstoffpolster schützt vor mechanischer Beanspruchung, während die gesamte Einheit in einem feuchtigkeitsundurchlässigen Beutel verpackt ist, um eine langfristige Stabilität zu gewährleisten. Es sollte in einer sauberen, trockenen Umgebung unter sauerstoffarmen Bedingungen gelagert werden. Maßgeschneiderte Schutzschichten und Beschriftungen sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Anforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

CVD-Monolayer Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD Monolayer Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm?

A1: Dieses Monolayer-MoSe2 weist typischerweise eine direkte Bandlücke von etwa 1,5 bis 1,6 eV auf und zeigt aufgrund seiner zweidimensionalen Kristallstruktur eine starke Photolumineszenz. Die einheitliche, etwa 0,7 nm dicke Schicht bildet ein hexagonales Gitter auf dem Saphirsubstrat. Aufgrund der hohen Ladungsträgerbeweglichkeit und der ausgezeichneten optischen Transparenz eignet es sich für Anwendungen in der Elektronik, der Optoelektronik und der Entwicklung anderer Geräte im Nanobereich.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Die einlagigen MoSe2-Proben sollten in einem Reinraum oder einer ähnlich kontrollierten Umgebung gehandhabt werden, um Partikelkontamination und Oberflächenschäden zu vermeiden. Lagern Sie sie in einem Behälter mit niedriger Luftfeuchtigkeit und inerter Atmosphäre, um die Oxidation oder feuchtigkeitsbedingte Zersetzung zu minimieren. Verwenden Sie bei der Handhabung der Filme nicht scheuernde Werkzeuge und tragen Sie puderfreie Handschuhe. Legen Sie die Proben nach jeder Inspektion oder Messung umgehend in die Schutzverpackung zurück, um die Integrität und Leistungsfähigkeit zu erhalten.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Monolayer-Molybdändiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat MoSe2 Film 10x10 mm?

A3: Diese Folien werden in der Regel im Rahmen strenger ISO 9001-Qualitätsmanagementsysteme hergestellt, die auf Prozesskonsistenz und Rückverfolgbarkeit Wert legen. Fortschrittliche Materialcharakterisierungstechniken wie Raman-Spektroskopie, Röntgenbeugung und Photolumineszenzmessungen gewährleisten Gleichmäßigkeit, Dickenkontrolle und kristallographische Qualität. Die Hersteller befolgen außerdem Reinraumprotokolle, standardisierte Prüfkriterien und dokumentierte Produktionsmethoden, um die hohen Standards zu erfüllen, die für die Forschung, die Optoelektronik und die kommerzielle Herstellung von Geräten erforderlich sind.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Die Techniker verlassen sich auf eine gut kontrollierte chemische Gasphasenabscheidung (CVD), um die einlagige Molybdändiselenidschicht auf C-Ebenen-Saphir zu erzeugen. Bei diesem präzisen Verfahren werden die Temperatur, der Druck und die Durchflussmengen der Reagenzien fein abgestimmt, um sicherzustellen, dass die MoSe2-Schicht auf dem 10 x 10 mm großen Substrat eine gleichmäßige Dicke aufweist. Die Saphirbasis bietet eine stabile Plattform, die eine hohe Kristalltreue fördert und scharf definierte, defektarme Monoschichten erzeugt, die sich ideal für Halbleiteranwendungen eignen.

Während des sorgfältig überwachten Wachstumszyklus werden Ausgangsmaterialien und Trägergase in eine Hochtemperaturkammer eingeleitet, wo sich die Reaktanten zersetzen und auf dem Saphir abscheiden. Dieses CVD-Verfahren ermöglicht eine hervorragende Kontrolle über die Reinheit der Schichten, die Muster der atomaren Ausrichtung und die Kontinuität des Films, die alle für elektronische oder optoelektronische Anwendungen unerlässlich sind. Die konsequente Wiederholung der sorgfältig strukturierten Schritte führt zu reproduzierbaren Ergebnissen bei der Serienproduktion und fördert die Zuverlässigkeit der Geräteleistung.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Flexible Elektronik profitiert von der extrem dünnen Beschaffenheit der CVD-Monoschicht MoSe2 auf Saphir, da das geringe Profil und die mechanische Elastizität dieser Schicht die Herstellung von biegsamen Geräten der nächsten Generation ermöglichen. Forscher nutzen diese Monoschichten, um eine optimale Ladungsträgerbeweglichkeit und eine hohe Stromdichte zu erreichen, die beide für Sensor-, Transistor- und Displaytechnologien, bei denen es auf Tragbarkeit und Betriebseffizienz ankommt, von entscheidender Bedeutung sind.

Weitere Bereiche wie die optische Kommunikation und die Photonik nutzen die einzigartige Bandlücke und die starken Licht-Materie-Wechselwirkungen von MoSe2, um schnellere, energieeffizientere Komponenten zu entwickeln. Die 10x10-mm-Substrate können in Prozesse auf Waferebene integriert werden, ohne dass ein umfangreiches Redesign erforderlich ist, was sie ideal für Labore und kommerzielle Fertigungslinien macht. Diese Anpassungsfähigkeit trägt dazu bei, Innovationen zu beschleunigen und gleichzeitig eine gleichbleibende Produktqualität aufrechtzuerhalten, was das Interesse an einlagigen MoSe2-Filmen in der globalen Technologielandschaft weiter steigert.