CY8922 CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Erleben Sie die außergewöhnliche Leistung unserer CVD-Monolayer-Schicht aus Wolframdiselenid (WSe2), die präzise auf einem 10×10 mm großen SiO₂/Si-Saphir-Substrat abgeschieden wurde. Diese ultradünne Schicht weist eine bemerkenswerte Gleichmäßigkeit auf, die eine konstante Dicke bis in den atomaren Bereich gewährleistet. Ihre direkte Bandlücke und die starke Spin-Bahn-Kopplung machen sie ideal für fortschrittliche elektronische und optoelektronische Geräte wie Transistoren, Photodetektoren und flexible Schaltungen.

Unsere WSe2-Monoschicht wurde in einem strengen Wachstumsverfahren hergestellt und erfüllt strenge Qualitätsstandards für Reinheit, Kristallinität und Reproduzierbarkeit. Das Ergebnis ist eine stabile, effiziente Plattform für Forscher und Hersteller, die die Grenzen der Nanotechnologie erweitern wollen. Investieren Sie in eine zuverlässige Lösung, die für ihre Robustheit, Mobilität und Kompatibilität mit verschiedenen Anwendungen in der modernen Halbleiterforschung und Produktentwicklung bekannt ist.

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2 Film 10x10 mm Anwendungen

Monolayer Wolframdiselenid (WSe2), das mittels CVD auf einem SiO2/Si-Substrat gewachsen ist, ist ein robuster 2D-Halbleiter, der für seine stabile, geschichtete Struktur und seine direkte Bandlücke bekannt ist. Dieser 10x10 mm große Film weist außergewöhnliche elektronische und optische Eigenschaften auf, die ihn für verschiedene Anwendungen der nächsten Generation sehr geeignet machen. Die geringe Dicke des Materials in Verbindung mit der ausgezeichneten Ladungsträgerbeweglichkeit und optischen Absorption ermöglicht Hochleistungslösungen in zahlreichen Branchen, von der Elektronik über den Energiesektor bis hin zu fortschrittlichen Forschungsinitiativen.

1. industrielle Anwendungen

-Hochempfindliche chemische Sensoren in petrochemischen Umgebungen, die die hervorragende Oberflächenreaktivität von WSe2 nutzen.

-Langlebige, leistungsstarke Automobilelektronik, die von der überragenden Ladungsträgerbeweglichkeit der Schicht profitiert.

-Moderne Fertigungsanlagen, bei denen stabile Halbleiterschichten die Effizienz der Geräte verbessern.

2. forschungsanwendungen

-Grundlegende 2D-Materialstudien zur Erforschung von Quanteneffekten und elektronischen Bandstrukturen, die für WSe einzigartig sind

2.

-Entwicklung von Prototypen photonischer Bauelemente für die optische Kommunikation und laserbasierte Forschung.

-Untersuchungen zu Halbleiterarchitekturen der nächsten Generation, die die Skalierbarkeit von Monolagen nutzen.

3. kommerzielle Anwendungen

-Intelligente, am Körper zu tragende Geräte mit dünnen, flexiblen WSe2-Filmen für verbesserten Benutzerkomfort.

-Hochauflösende Display-Komponenten, die von der starken optischen Absorption und Klarheit profitieren.

-Unterhaltungselektronik, die kompakte, energieeffiziente Transistoren auf Basis ultradünner Halbleiter benötigt.

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Verpackung

Jede 10×10 mm WSe₂-Folie wird sorgfältig in einer antistatischen Hülle mit inerter Polsterung verpackt und dann vakuumversiegelt, um den Kontakt mit Feuchtigkeit und Partikeln zu minimieren. Sie sollte in einer staubfreien Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit gelagert werden, idealerweise unter Stickstoff oder Argon, um Oxidation zu vermeiden. Eine strenge Kontaminationskontrolle, einschließlich der Verwendung sauberer Handschuhe und steriler Oberflächen, wird empfohlen. Individuelle Verpackungsoptionen, einschließlich zusätzlicher Schutzschichten oder Etikettierung, sind auf Anfrage erhältlich.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2-Film 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD Monolayer Tungsten Diselenide on SiO2/Si Substrate WSe2 Film 10x10 mm?

A1: CVD-Monolayer-Schichten aus Wolframdiselenid (WSe2), die auf einem 10×10 mm großen SiO2/Si- oder Saphir-Substrat gewachsen sind, weisen hervorragende elektrische und optische Eigenschaften auf, darunter eine direkte Bandlücke von etwa 1,6 eV, eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und eine starke Photolumineszenz. Außerdem weisen sie eine bemerkenswerte chemische Stabilität und mechanische Flexibilität auf. Aufgrund dieser Eigenschaften eignen sie sich gut für fortschrittliche optoelektronische Geräte, Photodetektoren und flexible Elektronik und bieten hohe Leistung bei geringer Dicke.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Aufgrund ihrer Empfindlichkeit gegenüber Verunreinigungen und mechanischer Belastung sollten diese einlagigen WSe2-Filme in einer sauberen Umgebung mit geringer Luftfeuchtigkeit gehandhabt werden. Vermeiden Sie den direkten Kontakt mit Fingern oder Pinzetten ohne Schutzbeschichtung. Es wird empfohlen, sie in einem antistatischen Behälter unter inerten oder Vakuumbedingungen zu lagern, um Oberflächenreaktionen zu vermeiden. Eine schonende Behandlung bewahrt die Integrität der Folie und maximiert die Leistung der Geräte.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf SiO2/Si-Substrat WSe2 Film 10x10 mm?

A3: Diese CVD-WSe2-Folien entsprechen in der Regel den allgemeinen Industriestandards für Dünnschichtmaterialien, wie z. B. ISO 9001 für das Qualitätsmanagement und ISO 14001 für die Umweltverträglichkeit. Seriöse Lieferanten können auch zusätzliche Unterlagen über Reinheit, Einheitlichkeit und Rückverfolgbarkeit vorlegen. Die Sicherstellung einer gleichmäßigen Schichtdicke, minimaler Defekte und der Einhaltung strenger interner Messprotokolle trägt dazu bei, eine zuverlässige Leistung für fortschrittliche Industrie- und Forschungsanwendungen zu gewährleisten.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Monolayer-Wolframdiselenid (WSe2), das durch chemische Gasphasenabscheidung auf einem SiO2/Si-Substrat hergestellt wird, bietet eine bemerkenswerte Kombination optischer und elektronischer Eigenschaften. Die ultradünne Beschaffenheit dieses 10x10 mm großen Films ermöglicht eine direkte Bandlückenkonfiguration, die eine effiziente Lichtabsorption und -emission erlaubt, was für die Integration optoelektronischer Geräte von großem Vorteil ist. Diese Ein-Atom-Schicht-Konstruktion gewährleistet auch eine ausgezeichnete Ladungsträgerbeweglichkeit, was sie zu einem außergewöhnlichen Kandidaten für Komponenten macht, die eine schnelle elektronische Reaktion und minimale Leitungsverluste erfordern.

Zusammen mit seiner außergewöhnlichen Gleichmäßigkeit weist dieses Material eine hohe thermische Stabilität und mechanische Belastbarkeit auf. Diese Eigenschaften werden durch die starke Grenzflächenbindung an das Substrat noch verstärkt, wodurch die Zuverlässigkeit der Bauelemente auch über längere Betriebszyklen hinweg erhalten bleibt. Im Vergleich zu dickeren oder polykristallinen Schichten weist das einschichtige WSe2 eine geringere Defektdichte, eine glattere Oberflächenmorphologie und eine bessere Schichtkontinuität auf, was die Leistung der Bauelemente verbessert und den Weg für innovative elektronische Strukturen ebnet.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

CVD-Monolayer-WSe2 ist in verschiedenen hochmodernen Industriezweigen ein vielversprechender Kandidat für zukünftige technologische Durchbrüche. Seine direkte Bandlücke und die ausgeprägten exzitonischen Effekte machen es zu einem erstklassigen Kandidaten für Photodetektoren und Leuchtdioden der nächsten Generation, die zu einer schnellen Datenübertragung und einer verbesserten Farbreinheit in der Displaytechnologie beitragen. Die Dicke des Films auf atomarer Ebene ermöglicht zudem die Entwicklung von Transistoranordnungen mit hoher Dichte und minimalem Stromverbrauch.

Forschungs- und Entwicklungsteams, die sich mit flexibler und tragbarer Elektronik beschäftigen, schätzen dieses Material auch wegen seiner Biegbarkeit ohne Verlust an Leitfähigkeit oder optischer Effizienz. Diese Anpassungsfähigkeit eröffnet neue Möglichkeiten für kompakte Sensorrahmen, Überwachungsgeräte für die Gesundheitsfürsorge und ultradünne Energiegewinnungssysteme. Zusammengenommen unterstreichen diese fortschrittlichen Anwendungen die Bedeutung von CVD-Monolayer-Wolframdiselenid für die Gestaltung der Zukunft der Elektronik, Photonik und integrierten Schaltungen auf globaler Ebene.