CY8921 CVD Monolayer Wolframdiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat WSe2 Film 10x10 mm

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf C-Ebene-Saphir-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Beschreibung

Diese hochwertige CVD-Monolayer-Schicht aus Wolframdiselenid (WSe₂) wird auf einem 10×10 mm großen Saphir-Substrat in C-Ebene aufgewachsen und bildet eine äußerst gleichmäßige und atomar dünne Halbleiterschicht. Das präzise Verfahren der chemischen Gasphasenabscheidung gewährleistet eine ausgezeichnete Kristallinität, eine geringe Defektdichte und minimale Korngrenzen, was es ideal für die Forschung und Entwicklung der nächsten Generation von Elektronik macht. Seine direkte Bandlücke und starke Photolumineszenz bieten eine verbesserte Leistung in optoelektronischen Bauelementen, während die inhärent hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und Flexibilität seine Einsatzmöglichkeiten in neu entstehenden 2D-Anwendungen erweitern.

Bei der Herstellung unterliegt jeder WSe₂-Film strengen Qualitätssicherungsprotokollen und wird einer gründlichen Charakterisierung unterzogen, um die Gleichmäßigkeit der Dicke, die strukturelle Integrität und die Reinheit der Monolagen zu bestätigen. Dieser strenge Ansatz führt zu konsistenten und wiederholbaren Ergebnissen und macht unser CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf Saphirsubstrat zu einer außergewöhnlichen Wahl für die Spitzenforschung in den Bereichen Photovoltaik, Sensorik und Nanoelektronik.

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat WSe2-Film 10x10 mm Anwendungen

Das mit modernsten CVD-Techniken hergestellte Monolayer-Wolframdiselenid (WSe2) auf einem C-Ebenen-Saphir-Substrat bietet außergewöhnliche elektronische und optische Leistungen in einem praktischen 10x10-mm-Format. Dieses hochreine 2D-Material bietet eine überragende Ladungsträgerbeweglichkeit, eine starke Spin-Orbit-Kopplung und eine robuste Flexibilität, wodurch es sich gut für die Herstellung fortschrittlicher Bauelemente eignet. Seine hochwertige kristalline Struktur unterstützt die zuverlässige Leistung in verschiedenen Umgebungen und treibt Innovationen in der Elektronik, Forschung und bei verbraucherorientierten Produkten voran.

1. elektronik- und halbleiteranwendungen

-Integration in ultradünne Transistoren zur Verringerung des Platzbedarfs und Verbesserung der Schaltgeschwindigkeit

-Verwendung in hochempfindlichen Photodetektoren aufgrund der starken Lichtabsorption und des effizienten Ladungstransports

2. forschung und wissenschaftliche Instrumente

-Untersuchung neuartiger Quantenphänomene, die sich aus der ausgeprägten Bandstruktur von einschichtigem WSe2 ergeben

-Erforschung neuer optoelektronischer Eigenschaften für akademische und industrielle F&E-Initiativen

3) Innovationen für Verbraucher und Industrie

-Mögliche Integration in flexible Displays oder tragbare Elektronik für verbesserte Haltbarkeit und Leistung

-Entwicklung von Sensoren für die Chemie- und Umweltüberwachung unter Ausnutzung der hervorragenden Oberflächenempfindlichkeit

CVD-Monolayer Wolframdiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat WSe2 Film 10x10 mm Verpackung

Dieses Produkt ist sorgfältig in einer speziellen Schutzbox mit antistatischer Schaumstoffpolsterung zum Schutz vor Stößen und Vibrationen verpackt. Ein stabiles Kunststoffgehäuse mit einem Trockenmittelpaket sorgt für Trockenheit, während eine versiegelte Plastiktüte eine Staubkontamination verhindert. Lagern Sie sie in einer kühlen, trockenen Umgebung und schützen Sie sie vor direktem Sonnenlicht. Kundenspezifische Beschriftungen und spezielle Schutzschichten sind auf Anfrage erhältlich, um besonderen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf C-Ebene-Saphir-Substrat WSe2 Film 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von CVD Monolayer Tungsten Diselenide on C-plane Sapphire Substrate WSe2 Film 10x10 mm?

A1: Dieser einschichtige WSe2-Film weist eine atomar dünne Struktur auf, die eine direkte Bandlücke bei 1,6 eV für eine effiziente optoelektronische Leistung bietet. Er weist eine starke Photolumineszenz mit hohen Exzitonenbindungsenergien auf, was ihn ideal für photonische und elektronische Geräte macht. Das c-ebene Saphir-Substrat gewährleistet eine hervorragende Gitteranpassung, wodurch die Kristallinität verbessert und Defekte reduziert werden. Zu den typischen Eigenschaften gehören eine gleichmäßige Dicke, eine hohe Ladungsträgerbeweglichkeit und ein stabiles thermomechanisches Verhalten für eine zuverlässige Bauelementintegration.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Die einlagige WSe2-Folie sollte gemäß Reinraumprotokollen gehandhabt werden, um eine Verunreinigung durch Partikel zu vermeiden. Tragen Sie Handschuhe, um einen direkten Kontakt mit der Oberfläche zu vermeiden, und verwenden Sie eine nicht scheuernde Pinzette oder einen Staubsaugerstab, um die mechanische Belastung zu minimieren. Lagern Sie das Substrat in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit, idealerweise unter Inertgas oder im Vakuum, um es vor Oxidation zu schützen. Halten Sie moderate Temperaturen ein und vermeiden Sie übermäßiges Licht oder chemische Dämpfe, die das Material zersetzen könnten.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf C-Ebene Saphir-Substrat WSe2 Film 10x10 mm?

A3: Diese WSe2-Filme entsprechen in der Regel den standardisierten Industrieprotokollen für die Dünnschichtabscheidung, wie z. B. ISO 9001 für Qualitätsmanagementsysteme. Die gleichbleibende Schichtdicke, minimale Verunreinigung und robuste Kristallinität werden durch optische Charakterisierung, Raman-Spektroskopie und Rasterkraftmikroskopie überprüft. Darüber hinaus unterstützen die Rückverfolgbarkeit des Produkts und die Dokumentation der Abscheidungsparameter zuverlässige Herstellungspraktiken, die wiederholbare Ergebnisse und die Konformität mit den Qualitätserwartungen von Handel und Forschung gewährleisten.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

CVD-Monolayer-Wolframdiselenid auf einem c-ebenen Saphir-Substrat wird durch eine sorgfältig kontrollierte thermische Abscheidungsmethode hergestellt. Bei diesem Verfahren werden präzise Verhältnisse von Wolfram- und Selenvorläufern in eine Reaktionskammer unter optimierten Temperatur- und Druckbedingungen eingebracht. Das c-ebene Saphir-Substrat wurde aufgrund seines stabilen Kristallgitters ausgewählt, das dazu beiträgt, eine gleichmäßige Monolage aus WSe2 auf der 10 x 10 mm großen Oberfläche zu erzielen. Eine ausgeklügelte Instrumentierung sorgt für konstante Wachstumsraten und ermöglicht eine hochwertige Schichtbildung bei gleichzeitiger Minimierung von Defekten.

Unter sorgfältig kontrollierten Bedingungen wird das Substrat vorbehandelt, um Verunreinigungen zu entfernen und eine optimale Haftung des WSe2-Films zu gewährleisten. Ein entscheidender Aspekt des Verfahrens ist die Aufrechterhaltung gleichmäßiger Temperaturen in der gesamten Kammer, die eine zuverlässige Keimbildung und seitliche Ausdehnung der Wolframdiselenid-Monolage ermöglichen. Durch die Feinabstimmung von Variablen wie Precursor-Fluss, Trägergaszusammensetzung und Ramp-up-Zeiten können Hersteller eine hochreine, atomar dünne Schicht erzielen, die außergewöhnliche optische und elektronische Eigenschaften aufweist, die für fortschrittliche Bauelementanwendungen unerlässlich sind.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Die fortschrittlichen photonischen und optoelektronischen Sektoren profitieren erheblich von den präzisen Eigenschaften dieser einlagigen WSe2-Schicht. Seine direkte Bandlückenstruktur im sichtbaren bis nahen Infrarotbereich ermöglicht eine effiziente Lichtabsorption und -emission, wodurch er sich hervorragend für Fotodetektoren, Leuchtdioden und andere innovative optische Komponenten eignet. Darüber hinaus fördert seine außergewöhnliche Ladungsträgerbeweglichkeit eine verbesserte Leistung und einen geringeren Stromverbrauch in modernen elektronischen Geräten, was das Interesse von Herstellern, die technologische Grenzen überschreiten wollen, verstärkt.

Die steigende Nachfrage nach miniaturisierten und flexiblen elektronischen Systemen hat die Rolle der Folie in Sektoren gestärkt, die kompakte, leistungsstarke Lösungen erfordern. In Bereichen wie flexiblen Displays, Sensoren und Transistoren der nächsten Generation kann die 10x10 mm große WSe2-Monolage auf Saphir in Schlüsselkomponenten integriert werden, die sowohl robust als auch vielseitig einsetzbar sein müssen. Durch die Verbindung von ultradünner Geometrie mit bemerkenswerten elektrischen Eigenschaften ebnet diese CVD-gewachsene Wolframdiselenid-Schicht den Weg für innovative Produkte, die sich in einer sich ständig weiterentwickelnden technologischen Landschaft behaupten können.