CY8586 Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Durchm. 2 Zoll

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Durchm. 2 Zoll Beschreibung

Unser Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 2 Zoll bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, einen hohen elektrischen Isolationsfaktor und eine bemerkenswerte mechanische Stabilität. Dieses Substrat wurde mit Hilfe fortschrittlicher Kristallzüchtungsmethoden entwickelt und weist eine geringe Defektdichte auf, die eine hervorragende Leistung und Zuverlässigkeit bei anspruchsvollen elektronischen Anwendungen im Hochleistungs- und Hochfrequenzbereich gewährleistet. Seine breite Bandlücke und chemische Stabilität machen es ideal für optoelektronische Geräte, während seine zuverlässigen Wärmemanagementfähigkeiten eine effiziente Wärmeableitung unterstützen und so die Langlebigkeit der Geräte erhöhen.

Wir halten uns an strenge Industriestandards und Qualitätskontrollmaßnahmen, um eine gleichmäßige Dicke, präzises Schneiden und minimale Oberflächenfehler zu gewährleisten. Jedes AlN-Einkristallsubstrat wird einer sorgfältigen Prüfung unterzogen, um die strengen Spezifikationen für Reinheit und Ebenheit zu erfüllen. Daher bietet unser 2-Zoll-AlN-Substrat die Präzision, Zuverlässigkeit und Stabilität, die für modernste Elektronik, LEDs und andere fortschrittliche Halbleitergeräte unerlässlich sind.

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Durchm. 2 Zoll Anwendungen

Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrate mit einem Durchmesser von 2 Zoll bieten eine hervorragende Wärmeleitung, eine ausgezeichnete elektrische Isolierung und eine hohe strukturelle Stabilität. Aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften wird AlN in der modernen Elektronik, in Halbleitern und in einer Reihe von Präzisionsanwendungen eingesetzt. Seine außergewöhnlichen Wärmeableitungsfähigkeiten machen es ideal für Hochleistungsgeräte und gewährleisten Robustheit und Zuverlässigkeit in verschiedenen Branchen, vom Gesundheitswesen bis zur Telekommunikation.

1. elektronik- und halbleiteranwendungen

-Hohe Wärmeleitfähigkeit für effizientes Wärmemanagement in LED-Gehäusen

-Hervorragende elektrische Isolierung für zuverlässige Leistung in Hochfrequenzschaltungen

2. medizinische und gesundheitliche Anwendungen

-Biokompatibilität für die Entwicklung fortschrittlicher medizinischer Geräte und Diagnostik

-Stabile Plattform für empfindliche biomedizinische Sensoren, die präzise Messungen erfordern

3. industrielle und Forschungsanwendungen

-Robustes Substrat für hochmoderne Lasersysteme in wissenschaftlichen Experimenten

-Hervorragende chemische Stabilität, geeignet für hochreine Umgebungen in Fertigung und F&E

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Durchm. 2 Zoll Verpackung

Jedes Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 2 Zoll ist in einem antistatischen Beutel versiegelt, der mit Schaumstoffschichten gepolstert ist, um mechanische Schäden zu vermeiden. Das Paket wird in einem feuchtigkeitssperrenden Beutel verpackt und in einer sauberen, temperaturkontrollierten Umgebung gelagert, um Verunreinigungen zu vermeiden. Zu den zusätzlichen Schutzmaßnahmen gehören die Vakuumversiegelung und die doppelte Verpackung, die auf Wunsch auch mit speziellen Etiketten oder zusätzlichen Schutzschichten versehen werden kann.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Dia. 2 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Dia. 2 Zoll?

A1: Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrate sind für ihre hervorragende Wärmeleitfähigkeit bekannt, die typischerweise bei 200 W/m-K liegt, was eine effiziente Wärmeableitung in Hochleistungselektronik ermöglicht. Sie weisen eine breite Bandlücke von etwa 6,2 eV auf, was eine hervorragende elektrische Isolierung und einen minimalen Leckstrom gewährleistet. Zu den weiteren Merkmalen gehören eine hohe mechanische Festigkeit, ein geringer dielektrischer Verlust und eine minimale Gitterfehlanpassung mit bestimmten Halbleitermaterialien. Diese Kombination macht AlN ideal für moderne optoelektronische Anwendungen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Aluminiumnitrid-Substrate sollten mit Handschuhen, einer nicht-metallischen Pinzette und gepolsterten Oberflächen gehandhabt werden, um Absplitterungen oder Verunreinigungen zu vermeiden. Bewahren Sie sie in einer sauberen, trockenen Umgebung auf, fern von direktem Sonnenlicht und extremen Temperaturschwankungen. Verwenden Sie vakuumversiegelte Verpackungen oder mit Inertgas gefüllte Behälter, wenn eine längere Lagerung erforderlich ist. Vermeiden Sie den Kontakt mit aggressiven Chemikalien oder Feuchtigkeit, um die Unversehrtheit der Oberfläche zu bewahren und eine gleichbleibende Leistung bei den nachfolgenden Fertigungsschritten zu gewährleisten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat Dia. 2 Zoll?

A3: Führende Hersteller erfüllen die Normen ISO 9001 für das Qualitätsmanagement und ISO 14001 für das Umweltmanagement. Einige halten sich auch an die RoHS- und REACH-Richtlinien, die die Abwesenheit von Schadstoffen bestätigen. Strenge Messverfahren gewährleisten enge Dickentoleranzen und die Ebenheit der Oberflächen, während fortschrittliche Prüfverfahren (z. B. Röntgentopografie oder optische Interferometrie) die kristallografische Gleichmäßigkeit überprüfen. Den meisten Sendungen liegen Konformitätszertifikate und Sicherheitsdatenblätter bei, die die hohen Qualitätsstandards widerspiegeln.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Ein charakteristisches Merkmal eines Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrats Dia. 2 Zoll ist seine bemerkenswerte Wärmeleitfähigkeit. Diese Eigenschaft sorgt für eine effiziente Wärmeableitung und verringert das Risiko einer Überhitzung in elektronischen und optoelektronischen Geräten mit hoher Leistung. Ein weiterer wichtiger Vorteil ist die große Bandlücke, die es dem Substrat ermöglicht, höheren Spannungen standzuhalten und dabei eine stabile Leistung beizubehalten. Darüber hinaus weisen AlN-Substrate eine hohe chemische Beständigkeit auf, die eine lange Lebensdauer in Umgebungen gewährleistet, in denen andere Materialien korrodieren können.

Aufgrund dieser inhärenten Vorteile bieten AlN-Substrate im Vergleich zu herkömmlichen Substraten eine bessere elektrische Isolierung und mechanische Festigkeit. Außerdem bieten sie einen gleichbleibend niedrigen dielektrischen Verlust, der die Leistung von Hochfrequenzanwendungen verbessert. Diese Eigenschaften machen das 2-Zoll-Einkristall-AlN-Substrat zu einer bevorzugten Wahl für Forscher und Hersteller, die die Effizienz anspruchsvoller elektronischer Systeme optimieren wollen.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das 2-Zoll-Einkristall-AlN-Substrat wird in Branchen eingesetzt, die an der Spitze der Innovation stehen, und ermöglicht Fortschritte der nächsten Generation in der Leistungselektronik, der 5G-Telekommunikation und der ultravioletten (UV) Optoelektronik. Seine Fähigkeit, hohen Temperaturen und rauen Betriebsbedingungen standzuhalten, macht es zu einem ausgezeichneten Kandidaten für die Epitaxie von Galliumnitrid (GaN)-Bauteilen, die die Produktion von Leistungstransistoren, HF-Verstärkern und schnell schaltenden Dioden unterstützen. Mit diesen Anwendungen können die Hersteller höhere Leistungsdichten und eine verbesserte Gesamtsystemzuverlässigkeit erreichen.

Aufgrund der steigenden Nachfrage nach kompakten Designs und höherer Leistung werden AlN-Substrate auch in der fortschrittlichen Sensortechnologie und bei Festkörperbeleuchtungslösungen eingesetzt. Ihre große Bandlücke ermöglicht kurzwellige Strahler, die sich für UV-basierte Desinfektionssysteme und präzise industrielle Aushärtungsprozesse eignen. Daher wird dieses Substrat in verschiedenen Bereichen immer häufiger eingesetzt und festigt seinen Ruf als vielseitiges und zukunftssicheres Material.