CY8585 Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat 10x10x0,5 mm

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm Beschreibung

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm ist ein fortschrittliches keramisches Material, das für seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, hohe elektrische Isolierung und ausgezeichnete chemische Stabilität bekannt ist. Diese Eigenschaften machen es ideal für elektronische und optoelektronische Hochleistungsanwendungen, einschließlich LED-Herstellung, Leistungselektronik und Mikrowellengeräte. Seine hervorragende Dimensionsstabilität und sein geringer dielektrischer Verlust gewährleisten eine zuverlässige Leistung, selbst in anspruchsvollen Umgebungen, in denen die Wärmeableitung entscheidend ist.

Dieses AlN-Substrat wird unter Einhaltung strenger Qualitätsstandards hergestellt und zeichnet sich durch gleichmäßige Dickensteuerung, minimale Oberflächenrauhigkeit und enge Toleranzen aus. Jedes Stück wird einer strengen Prüfung unterzogen, um Fehler zu reduzieren und eine gleichbleibende Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Verlassen Sie sich für ein effizientes Wärmemanagement, eine geringere Verlustleistung und eine zuverlässige Leistung bei der Herstellung modernster Geräte auf die überlegenen Eigenschaften und die tadellose Qualität unserer AlN-Einkristallsubstrate.

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm Anwendungen

Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrate in der Größe 10x10x0,5 mm bieten eine bemerkenswerte Kombination aus hoher Wärmeleitfähigkeit, starker elektrischer Isolierung und Korrosionsbeständigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einer hervorragenden Wahl für verschiedene Anwendungen in Industrie, Forschung und Handel. Die überragende strukturelle Stabilität des Substrats steigert seine Leistung weiter und trägt zu zuverlässigen Geräten und Prozessen bei.

1. industrielle Anwendungen

-Hochtemperatur-Sensorkomponenten in Montagelinien der Automobilindustrie, wo thermische Stabilität entscheidend ist

-Robustes Substrat für chemische Verarbeitungsanlagen, das korrosiven Umgebungen widersteht

-Fortschrittliches wärmeverteilendes Material für leistungselektronische Module, das die Betriebssicherheit erhöht

2. forschung und entwicklung

-Ideale Plattform für die Prüfung neuer Halbleitermaterialien, die präzise und konsistente Messungen gewährleistet

-Hervorragend geeignet für die Herstellung von Prototypen in akademischen Labors zur Erforschung von Hochfrequenzgeräten

-Zuverlässige Basis für Photonikexperimente, die zu einer effizienten Lichtübertragung und zur Minimierung von Verlusten beitragen

3. kommerzielle Elektronik

-Kritische Komponente in LED-Beleuchtungsmodulen, die eine hervorragende Wärmeableitung für eine längere Produktlebensdauer bietet

-Leistungsstarke Plattform für RF- und Mikrowellen-Kommunikationsgeräte, die die Signalintegrität verbessert

-Stabiles Substrat für Unterhaltungselektronik, die ein effektives Wärmemanagement und Isolierung erfordert

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm Verpackung

Jedes Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrat mit den Abmessungen 10x10x0,5 mm wird sorgfältig in einem versiegelten, staubfreien Behälter verpackt, mit ESD-sicherem Schaumstoff ausgekleidet und in einen feuchtigkeitsbeständigen Beutel gelegt. Eine Trockenmittelpackung ist enthalten, um feuchtigkeitsbedingte Schäden zu verhindern. Lagern Sie die versiegelte Verpackung in einer sauberen, kontrollierten Umgebung, um eine Kontamination zu minimieren. Kundenspezifische Verpackungsoptionen, wie z. B. Vakuumversiegelung oder spezielle Schalen, sind ebenfalls erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Versandanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Aluminiumnitrid (AlN) Einkristall-Substrat 10x10x0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm?

A1: Einkristallsubstrate aus Aluminiumnitrid (AlN) weisen in der Regel eine hohe Wärmeleitfähigkeit von etwa 200-280 W/m-K, eine breite Bandlücke von etwa 6,2 eV und eine hervorragende elektrische Isolierung auf. Außerdem haben sie einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, um mechanische Belastungen zu minimieren, eine gute chemische Stabilität und eine hervorragende Oberflächenqualität für das Epitaxiewachstum. Diese Eigenschaften machen sie ideal für Anwendungen in der Hochleistungselektronik, Sensorik und Optoelektronik, die eine effiziente Wärmeableitung und zuverlässige Leistung erfordern.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Da Aluminiumnitrid von Natur aus spröde ist, ist die richtige Handhabung entscheidend. Tragen Sie stets saubere Arbeitshandschuhe und verwenden Sie eine nicht scheuernde Pinzette, um Oberflächenverunreinigungen oder mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Lagern Sie die Substrate in einer sauberen, trockenen Umgebung, die nur minimalen Temperaturschwankungen oder direktem Sonnenlicht ausgesetzt ist. Empfohlen wird die Lagerung in einem Schutzgehäuse oder einer vakuumversiegelten Verpackung. Vermeiden Sie den Kontakt mit aggressiven Chemikalien und treffen Sie Vorkehrungen gegen elektrostatische Entladung (ESD), um die Integrität der Substrate zu erhalten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumnitrid (AlN) Einkristallsubstrat 10x10x0,5 mm?

A3: Die meisten namhaften AlN-Substratlieferanten halten sich an ISO 9001 für Qualitätsmanagement und ISO 14001 für Umweltverantwortung. Viele befolgen auch die SEMI-Normen, um die Ebenheit des Substrats, die Dickentoleranz und minimale Oberflächenfehler zu gewährleisten. Darüber hinaus erfüllt das Produkt in der Regel die RoHS- und REACH-Richtlinien für gefährliche Stoffe. Umfassende Prüfprotokolle, einschließlich Röntgenbeugung und Oberflächenrauhigkeitsmessungen, helfen bei der Überprüfung der Kristallqualität und gewährleisten, dass jedes 10x10x0,5 mm große Substrat die strengen Leistungskriterien erfüllt.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Aufgrund seiner robusten Wärmeleitfähigkeit und hervorragenden elektrischen Isolierung sind Aluminiumnitrid (AlN)-Einkristallsubstrate mit den Abmessungen 10x10x0,5 mm in elektronischen und photonischen Präzisionsanwendungen hoch angesehen. Dieses außergewöhnliche Substrat bietet eine breite Bandlücke von ca. 6,2 eV und ermöglicht eine hervorragende Wärmeableitung bei der Integration in Hochleistungs-Halbleiterbauelemente. In Verbindung mit seiner ausgezeichneten Korrosionsbeständigkeit gewährleistet das AlN-Substrat eine stabile Leistung über eine lange Betriebsdauer, selbst in rauen Umgebungen.

Die mechanische Festigkeit und die niedrige Dielektrizitätskonstante von AlN-Substraten machen sie außerdem ideal für die Herstellung moderner Bauelemente. Diese 10x10x0,5 mm Konfiguration ist besonders vorteilhaft für miniaturisierte Systeme, die eine zuverlässige strukturelle Integrität und konsistente elektrische Eigenschaften erfordern. Durch die Minimierung der Wärmeausdehnungsfehlanpassung verringern diese Substrate auch das Risiko von Geräteausfällen und gewährleisten so eine langfristige Zuverlässigkeit in einer Vielzahl von industriellen und wissenschaftlichen Anwendungen.

2. Vergleichende Analyse mit alternativen Materialien

In Bezug auf die Leistung haben Aluminiumnitrid-Einkristallsubstrate einen klaren Vorteil gegenüber herkömmlichen keramischen Alternativen wie Aluminiumoxid oder Siliziumkarbid, insbesondere wenn es um das Wärmemanagement geht. Das 10x10x0,5 mm große AlN-Substrat eignet sich hervorragend für Hochfrequenz- und Hochleistungsschaltungen, die eine gleichmäßige Energieverteilung gewährleisten und die Lebensdauer empfindlicher elektronischer Bauteile verlängern.

Der Versuch, AlN durch günstigere Materialien zu ersetzen, führt häufig zu Kompromissen bei der Zuverlässigkeit und Effizienz. Auch wenn Substrate auf Siliziumbasis kostengünstig erscheinen mögen, können sie nicht mit den höheren Betriebstemperaturen und dem geringeren Leckstrom von AlN mithalten. Für unternehmenskritische Anwendungen sind die präzisen Abmessungen und die bemerkenswerte Stabilität des 10x10x0,5 mm großen AlN-Substrats die beste Wahl, vor allem wenn die Leistung nicht beeinträchtigt werden darf.