CY8580 Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI)

Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI) Beschreibung

Unser 12-Zoll-4H-Siliziumkarbid (SiC)-Substrat wurde sorgfältig entwickelt, um außergewöhnliche Materialeigenschaften zu bieten, die für die nächste Generation von Leistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen unerlässlich sind. Dank der hochreinen, halbisolierenden (HPSI) Technologie verfügt dieser Wafer über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, ausgezeichnete chemische Stabilität und überragende Elektronenbeweglichkeit. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, Leistungsverluste zu minimieren und die Effizienz in anspruchsvollen Anwendungen zu erhöhen, was sie ideal für fortschrittliche Leistungselektronik, HF-Verstärker und Hochspannungs-Schaltsysteme macht.

Jedes Substrat wird unter Einhaltung der strengen SEMI-Normen hergestellt, wodurch eine gleichmäßige Dicke, eine geringe Fehlerdichte und eine hervorragende Oberflächenqualität gewährleistet werden. Strenge interne Prüfungen und strenge Prozesskontrollen garantieren eine reproduzierbare Leistung und Zuverlässigkeit. Wenn Sie sich für unser 4H-SiC-Substrat entscheiden, erhalten Sie Zugang zu einem hochmodernen Material, das die Herstellung von Hochleistungsbauteilen unterstützt und technologische Durchbrüche bei Halbleiteranwendungen mit großem Bandabstand ermöglicht.

Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI) Anwendungen

Die 12-Zoll-Substrate aus Siliziumkarbid (SiC) des Typs 4H SEMI (HPSI) zeichnen sich durch ihre außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit, chemische Stabilität und breite Bandlücke aus. Diese besonderen Merkmale ermöglichen eine hervorragende Leistung bei Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen und machen sie in verschiedenen zivilen Branchen unverzichtbar. Diese Substrate eignen sich ideal für raue Umgebungen und bilden die Grundlage für die Elektronik der nächsten Generation, Systeme für erneuerbare Energien und andere innovative kommerzielle Vorhaben.

1: Elektronik- und Halbleiteranwendungen

-Anwendung 1: Herstellung von Hochspannungsdioden und -transistoren für ein effizientes Energiemanagement in modernen elektronischen Schaltungen

-Anwendung 2: Herstellung von Hochfrequenzkomponenten in Telekommunikationsgeräten für eine schnellere Datenübertragung

2: Medizintechnik und Gesundheitswesen

-Anwendung 1: Entwicklung von ultrapräzisen Sensoren und Diagnoseinstrumenten, die von der chemischen Stabilität des Substrats profitieren

-Anwendung 2: Entwicklung von kompakten, leistungsstarken Bildgebungsgeräten für die genaue Diagnose von Patienten

3: Erneuerbare Energien und industrielle Systeme

-Anwendung 1: Integration in Solarwechselrichter und Leistungswandler zur Verbesserung des Wirkungsgrads und des Wärmemanagements

-Anwendung 2: Einsatz in Hochtemperaturmaschinen und chemischen Prozessanlagen zur Verbesserung der Haltbarkeit und Zuverlässigkeit

Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI) Verpackung

Jeder 12" 4H SEMI-Typ HPSI Siliziumkarbid-Wafer ist sorgfältig in einem ESD-sicheren Waferträger gesichert, der zum Schutz vor mechanischen Stößen mit Schaumstoff ausgekleidet ist. Doppellagige antistatische Beutel und versiegelte Taschen verhindern das Eindringen von Feuchtigkeit und Partikelkontamination. Wir empfehlen die Lagerung in einer Reinraumumgebung mit 40-60% Luftfeuchtigkeit und stabilen Temperaturen. Kundenspezifische Etikettierung, Strichkodierung oder spezielle Verpackungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich und gewährleisten ein Höchstmaß an Schutz und Rückverfolgbarkeit.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI) FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI)?

A1: Der 12-Zoll-Wafer aus Siliziumkarbid (SiC) vom Typ 4H SEMI (HPSI) ist bekannt für seine hohe Wärmeleitfähigkeit, seine große Bandlücke (ca. 3,26 eV) und seine ausgezeichnete chemische Stabilität. Seine hexagonale (4H) Kristallstruktur bietet eine überragende Elektronenbeweglichkeit und ist damit ideal für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen. Darüber hinaus ermöglichen seine geringe Defektdichte und seine halbisolierenden Eigenschaften eine stabile Geräteleistung, geringere Signalstörungen und eine verbesserte Gesamtzuverlässigkeit.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um die Integrität des Substrats zu erhalten, ist es wichtig, den Wafer mit Reinraumhandschuhen zu handhaben und nicht-metallische Pinzetten oder Waferhalter zu verwenden, um die Partikelkontamination zu minimieren. Vermeiden Sie es, den Wafer direktem Sonnenlicht oder extremen Temperaturen auszusetzen, und bewahren Sie ihn in einem sicheren, statikfreien Behälter auf. Lagern Sie den Wafer in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit, um feuchtigkeitsbedingte Defekte zu vermeiden und eine gleichbleibende Oberflächenqualität sowie eine lange Lebensdauer des Produkts zu gewährleisten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI)?

A3: Siliziumkarbid-Wafer SiC-Substrat 12 in 4H SEMI-Typ (HPSI) entsprechen in der Regel den SEMI M55-Normen, die Parameter wie Abmessungstoleranzen, Oberflächenqualität und Waferausrichtung festlegen. Die Hersteller sind häufig nach ISO 9001 zertifiziert, um Qualitätsmanagementpraktiken zu gewährleisten. Zu den zusätzlichen Prüfungen gehören Defektinspektionen mittels Röntgentopographie oder Photolumineszenz, die eine minimale Mikroröhrchendichte und eine hohe Kristallgleichmäßigkeit gewährleisten. Diese Maßnahmen garantieren eine zuverlässige Leistung und erfüllen die branchenspezifischen Anforderungen.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Die Herstellung eines 12 in 4H Siliziumkarbid-Wafers vom SEMI-Typ (HPSI) umfasst ein ausgefeiltes Kristallzüchtungsverfahren, das hochreine, halbisolierende Eigenschaften gewährleistet. Zunächst werden in speziellen Anlagen die Temperatur- und Druckparameter so gesteuert, dass sich das SiC-Material in gleichmäßigen Schichten bildet. Diese Technik, die häufig durch chemische Gasphasenabscheidung unterstützt wird, schafft ein Substrat mit extrem geringer Defektdichte. Dadurch erhält der Wafer die strukturelle Integrität, die für elektronische Hochleistungsanwendungen erforderlich ist.

Während des Post-Growth-Verfahrens werden Präzisionsschneid- und Polierschritte sorgfältig durchgeführt, um die gewünschte Dicke und Oberflächenglätte zu erreichen. Verschiedene Inspektionsstufen überprüfen, ob Mikrokristalle oder Oberflächenunregelmäßigkeiten vorhanden sind, um eine minimale Belastung und eine hervorragende Haltbarkeit zu gewährleisten. Diese sorgfältigen Endbearbeitungsverfahren sind für die Herstellung des 12-Zoll-Formats gemäß den SEMI-Normen unerlässlich und ebnen so den Weg für eine gleichmäßige Ausbeute an Bauelementen und eine höhere Zuverlässigkeit.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Moderne Energieumwandlungssysteme verlassen sich auf die robusten elektrischen Eigenschaften des 4H-SEMI-Wafers (HPSI) für Komponenten wie Hochspannungsdioden und Transistoren. Dank der ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid können diese Bauelemente auch unter hoher Belastung effizient arbeiten, wodurch der Bedarf an sperrigen Kühlsystemen minimiert wird. Darüber hinaus unterstützt die überragende Durchbruchfeldstärke des Wafers ultraschnelle Schaltgeschwindigkeiten, was in Leistungsmodulen der nächsten Generation für Elektrofahrzeuge und Technologien für erneuerbare Energien von unschätzbarem Wert ist.

Auch in den Schlüsselsektoren Luft- und Raumfahrt sowie Kommunikation werden diese SiC-Wafer mit großem Durchmesser eingesetzt, um eine schnellere Datenübertragung und höhere Betriebsstabilität zu erreichen. Aufgrund ihrer inhärenten Strahlungsresistenz eignen sie sich gut für Satelliten und Deep-Space-Initiativen, bei denen die Langlebigkeit der Geräte von größter Bedeutung ist. Die verbesserte Leistung unter extremen Bedingungen kommt nicht nur kritischen Missionskomponenten zugute, sondern setzt auch neue Maßstäbe in hoch anspruchsvollen wissenschaftlichen Forschungsanwendungen.