CY8553 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 4 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 4 Zoll Beschreibung

Unser 4-Zoll-(111)-Silizium(Si)-Kristallsubstrat zeichnet sich durch seine außergewöhnliche kristallografische Gleichmäßigkeit und hochreine Zusammensetzung aus, was es zur ersten Wahl für fortschrittliche Forschung und industrielle Anwendungen macht. Die (111)-Orientierung bietet einzigartige strukturelle Eigenschaften, die eine präzise Kontrolle des Epitaxiewachstums und der Dotierungsprozesse ermöglichen, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen unerlässlich sind. Dieses Substrat ist auf eine spiegelglatte Oberfläche poliert, was minimale Oberflächenfehler und eine hervorragende Schichthaftung gewährleistet.

Jeder Wafer wird nach strengen Qualitätsstandards hergestellt und einer gründlichen Inspektion und Prüfung unterzogen, um eine gleichbleibende Dicke, Ebenheit und Widerstandsfähigkeit zu gewährleisten. Das Ergebnis ist eine verlässliche Plattform für die Herstellung von Hochleistungselektronik, Sensoren und Photonikgeräten. Mit seinen ausgezeichneten thermischen und elektrischen Eigenschaften ist dieses Si(111)-Substrat so konzipiert, dass es in einer Reihe von kritischen Forschungs- und kommerziellen Unternehmungen zuverlässige Ergebnisse liefert.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 4 Zoll Anwendungen

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 4 Zoll ist weithin bekannt für seine Stabilität, seine gleichmäßige Dotierbarkeit und seine hervorragenden mechanischen Eigenschaften, die es in einer Vielzahl von Branchen unverzichtbar machen. Seine ausgeprägte kristallografische Ausrichtung sorgt für hervorragende elektronische Eigenschaften, weniger Defekte und ein effizientes Wärmemanagement. Von der Präzisionselektronik bis hin zu modernsten Lösungen für erneuerbare Energien findet dieses hochwertige Substrat seinen Platz in zahlreichen zivilen Anwendungen, bei denen Zuverlässigkeit, Leistung und Skalierbarkeit von größter Bedeutung sind.

1. elektronik und halbleiteranwendungen

-Fortschrittliche Transistorherstellung: Die (111)-Ausrichtung gewährleistet eine hervorragende Defektkontrolle und Dotierungsgleichmäßigkeit für eine verbesserte Leistung der Bauelemente.

-Integrierte Hochgeschwindigkeitsschaltungen: Seine überlegene kristalline Struktur unterstützt die schnelle Signalverarbeitung in der Verbraucher- und Industrieelektronik.

2) Medizinische Geräte und Geräte für das Gesundheitswesen

-Sensor-Arrays: Das einheitliche Kristallgitter ermöglicht präzise Erkennung und Messung in Patientenüberwachungssystemen.

-Implantierbare Elektronik: Ausgezeichnete Biokompatibilität und Wärmeleitfähigkeit führen zu einer zuverlässigen und sicheren Langzeitleistung.

3. erneuerbare Energielösungen

-Photovoltaische Zellen: Die stabile Substratstruktur fördert die effiziente Umwandlung von Sonnenenergie in Strom.

-Komponenten für konzentrierte Solarenergie: Die hohe Wärmeleitfähigkeit hilft bei der Beherrschung des Wärmeflusses und erhöht die Zuverlässigkeit des Systems.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 4 Zoll Verpackung

Jedes 4-Zoll-Silizium-(Si-)Kristallsubstrat (111) ist einzeln in einem antistatischen Beutel mit weicher Schaumstoffpolsterung zum Schutz vor mechanischen Stößen und Verunreinigungen versiegelt. Zu den von uns empfohlenen Lagerungsbedingungen gehört eine saubere, temperaturkontrollierte Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit. Um Verunreinigungen zu vermeiden, werden vakuumversiegelte Verpackungen und ein versiegelter Kantenschutz verwendet. Kundenspezifische Verpackungs- und Etikettierungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich und gewährleisten einen sicheren Transport und eine einfache Identifizierung für verschiedene Forschungs- und Industrieanwendungen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 4 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 4 Zoll?

A1: Das einkristalline Siliziumsubstrat mit einem Durchmesser von 4 Zoll und einer Orientierung von (111) hat eine Gitterkonstante von etwa 5,43 Å und eine Dicke von etwa 525 µm. Es zeichnet sich durch einen hohen Reinheitsgrad (99,9999 % oder höher) und eine außergewöhnliche kristallografische Einheitlichkeit aus. Der Widerstand kann je nach Dotierung von einigen Milli-Ohm-cm bis zu mehreren hundert Ohm-cm reichen. Diese Orientierung wird aufgrund ihrer einzigartigen atomaren Anordnung für fortschrittliche Geräteanwendungen bevorzugt.

F2: Welche Handhabungsverfahren und Lagerungsbedingungen werden für 4-Zoll-(111)-orientierte Siliziumsubstrate empfohlen?

A2: Diese Substrate sollten in einer Reinraumumgebung mit puderfreien Handschuhen gehandhabt werden, um eine Verunreinigung durch Partikel oder Ionen zu vermeiden. Benutzen Sie eine Waferpinzette mit fester Kante oder eine Vakuumzange, um Kontaktschäden zu vermeiden. Lagern Sie die Wafer in Waferträgern oder Kassetten, um mechanische Belastungen und Oberflächenkratzer zu minimieren. Achten Sie auf eine niedrige Luftfeuchtigkeit und stabile Temperaturen, in der Regel um 21 °C, um eine minimale Oxidation und Partikelansammlung zu gewährleisten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für das Silizium (Si) Kristallsubstrat (111) Dia. 4 Zoll?

A3: Die Hersteller halten sich häufig an die SEMI M1-Spezifikationen für die Wafergeometrie, -dicke und -oberflächenqualität sowie an die Zertifizierungen des Qualitätsmanagementsystems ISO 9001. Einige Lieferanten halten auch die RoHS- und REACH-Richtlinien ein, um die Einhaltung der Umweltvorschriften zu gewährleisten. Zu den zusätzlichen Unterlagen kann ein Analysezertifikat gehören, das die kristallografische Ausrichtung, die Dotierungskonzentration, den spezifischen Widerstand und die Defektdichte bestätigt. Diese Standards tragen dazu bei, Einheitlichkeit, Rückverfolgbarkeit und eine gleichbleibende Leistung der Geräte zu gewährleisten.

Verwandte Informationen

1. Industrienormen und Zertifizierungen

Eine breite Palette internationaler Benchmarks stellt sicher, dass Silizium (Si)-Kristallsubstrate (111) Dia. 4-Zoll-Wafer die strengen Anforderungen an die Materialqualität erfüllen. Unter Einhaltung der SEMI-Spezifikationen werden diese Substrate in der Regel einer sorgfältigen Prüfung auf kristallografische Ausrichtung, Dickentoleranz und Oberflächenebenheit unterzogen, um ihre Übereinstimmung mit führenden globalen Standards zu bestätigen.

B-Zertifizierungsstellen wie die ISO und andere in der Branche anerkannte Institutionen bieten eine Validierung der Herstellungspraktiken und Qualitätskontrollverfahren durch Dritte. Für 4-Zoll (111)-orientierte Siliziumwafer garantieren diese Zertifizierungen den Kunden, dass jedes Substrat in einer kontrollierten Umgebung hergestellt wird und spezifische Leistungskriterien für fortschrittliche Anwendungen erfüllt.

2. Maßnahmen zur Qualitätskontrolle

Umfassende Qualitätskontrollen werden in mehreren Phasen der Waferproduktion durchgeführt, vom Kristallwachstum bis zum abschließenden Polieren. Mit zerstörungsfreien Bewertungsverfahren, einschließlich Röntgenbeugung und optischer Profilometrie, wird überprüft, ob jedes Substrat die geforderte Gleichmäßigkeit der Dicke und Oberflächenbeschaffenheit aufweist.

D-Präzisionsinstrumente überwachen die Ebenheit der 4-Zoll (111)-Siliziumsubstrate, um die Durchbiegung oder Verformung der Wafer zu minimieren. Diese Liebe zum Detail trägt zur Aufrechterhaltung enger elektrischer Eigenschaften bei und verringert die Wahrscheinlichkeit von Defekten, so dass die Endnutzer die konsistenten, leistungsstarken Materialien erhalten, die sie für kritische Halbleiterprozesse benötigen.