CY8552 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 4 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 4 Zoll Beschreibung

Diese hochreinen Silizium-(Si-)Kristallsubstrate mit einer (110)-Ausrichtung und einem Durchmesser von 4 Zoll sind ideal für die moderne Halbleiterforschung und -produktion. Sie werden aus einkristallinem Silizium mit einem gleichmäßig kontrollierten Dotierungsprofil hergestellt und weisen eine ausgezeichnete kristallografische Einheitlichkeit, eine geringe Defektdichte und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit auf. Die (110)-Orientierung ermöglicht einzigartige elektronische Eigenschaften, die für spezialisierte MEMS-Bauelemente und Transistorarchitekturen wünschenswert sind, und ermöglicht präzises Ätzen und detaillierte Mikrobearbeitungsprozesse.

Jeder Wafer wird nach strengen Qualitätsstandards hergestellt und erfüllt oder übertrifft die SEMI-Richtlinien für Oberflächenrauhigkeit, Ebenheit und Fehlerkontrolle. Strenge Inspektionsverfahren gewährleisten eine gleichbleibende Dicke und optimale Oberflächenqualität und bieten die Zuverlässigkeit, die in der modernen Materialforschung und Bauelementeherstellung erforderlich ist. Vertrauen Sie darauf, dass diese (110)-orientierten Si-Substrate eine hohe Leistung für eine breite Palette wissenschaftlicher und industrieller Anwendungen bieten.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 4 Zoll Anwendungen

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) mit einem Durchmesser von 4 Zoll bietet eine robuste und präzise orientierte Plattform, die für zahlreiche High-Tech-Innovationen entscheidend ist. Seine einzigartige Kristallstruktur bietet eine überragende Elektronenbeweglichkeit, Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit, die es für hochmoderne Anwendungen von unschätzbarem Wert macht. Ob für fortschrittliche Halbleitergeräte oder Präzisionsinstrumente, dieses Substrat erfüllt zuverlässig die strengen Leistungsanforderungen der modernen Technologie.

1. industrielle Anwendungen

-Elektronik und Halbleiter: Ermöglicht zuverlässige integrierte Schaltungen und Sensorarrays, die eine hervorragende Ladungsträgerbeweglichkeit nutzen.

-Präzisionssensoren für die Automobilindustrie: Bietet konsistente mechanische Eigenschaften für fortschrittliche Bewegungsdetektoren und verbessert die Fahrzeugsicherheit.

-Chemische Verarbeitungsanlagen: Widersteht rauen Umgebungen und gewährleistet stabile Leistung in industriellen Reaktoren.

2) Forschungsanwendungen

-Prototypen für biomedizinische Geräte: Bietet eine biokompatible und stabile Basis für die Entwicklung von Diagnoseinstrumenten der nächsten Generation.

-Studien zur Dünnschichtabscheidung: Erleichtert genaue Experimente in der Materialwissenschaft dank seiner gut definierten Kristallorientierung.

-Optische und photonische Untersuchungen: Unterstützt aufgrund der gleichbleibenden Brechungseigenschaften präzise Wellenleiter- und Laserstudien.

3. kommerzielle Anwendungen

-Komponenten für die Telekommunikation: Bietet Hochfrequenzleistung, die für Netzwerksysteme und Signalverarbeitung entscheidend ist.

-Lösungen für erneuerbare Energien: Dient als Grundlage für die Entwicklung von Solarzellen und verbessert die Effizienz und Haltbarkeit.

-Produktion von Unterhaltungselektronik: Sorgt für zuverlässige und hochwertige Substratmaterialien für Flachbildschirme und Sensoren.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 4 Zoll Verpackung

Jedes 4-Zoll-Siliziumkristallsubstrat (110) ist einzeln in einem statikfreien Beutel versiegelt, der zum Schutz vor Stößen und Verunreinigungen von Schaumstoffeinlagen umgeben ist. Sie sollten in einer sauberen, feuchtigkeitsarmen Umgebung gelagert werden, idealerweise zwischen 15°C und 25°C, um die Oberflächenintegrität zu erhalten. Eine zusätzliche Schutzschicht verhindert die Ablagerung von Partikeln. Kundenspezifische Beschriftungen, spezielle Markierungen oder einzigartige Verpackungskonfigurationen sind auf Anfrage erhältlich, um spezifische Handhabungs- oder Betriebsanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 4 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Dia. 4 Zoll?

A1: Silizium (Si)-Kristallsubstrate mit (110)-Orientierung sind für ihre einheitliche Kristallstruktur bekannt, was sie für fortschrittliche Halbleiteranwendungen wertvoll macht. Die Wafer mit einem Durchmesser von 4 Zoll haben in der Regel eine streng kontrollierte Dicke (z. B. 525 ± 25 µm) und einen von der Dotierung abhängigen spezifischen Widerstand. Sie weisen eine hohe Wärmeleitfähigkeit (ca. 149 W/m-K) und eine geringe Defektdichte auf. Ihre (110)-Orientierung unterstützt bestimmte spezielle Bauelementdesigns, die unterschiedliche mechanische und elektrische Eigenschaften aufweisen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Diese Wafer sollten in einer Reinraumumgebung mit gefilterter, partikelfreier Luft gehandhabt werden. Direkter Kontakt mit der bloßen Haut muss vermieden werden; verwenden Sie stattdessen antistatische Handschuhe oder Staubsaugerstäbe. Die Wafer werden in der Regel in Waferträgern oder Kassetten gelagert, die die Oberflächen vor Kratzern schützen. Die Aufrechterhaltung einer stabilen, feuchtigkeitsarmen Umgebung (ca. 40 % relative Luftfeuchtigkeit) und einer moderaten Temperatur (ca. 20-25 °C) trägt dazu bei, Verunreinigungen, Oxidation und mechanische Beschädigungen zu vermeiden.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Dia. 4 Zoll?

A3: Die Produktion von Silizium-Wafern unterliegt im Allgemeinen den SEMI M1-Normen, die die Dicke, den Durchmesser und die Ebenheit der Wafer regeln. Viele Zulieferer sind außerdem nach ISO 9001 für das Qualitätsmanagement zertifiziert, was strenge Prozesskontrollen und Rückverfolgbarkeit in jeder Fertigungsstufe gewährleistet. Zusätzliche Normen wie ISO 14001 können für das Umweltmanagement gelten. Die Einhaltung dieser Anforderungen gewährleistet eine gleichbleibende Qualität der Wafer, minimale Defekte und eine zuverlässige Leistung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen oder bei Forschungsanwendungen.

Verwandte Informationen

1. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Spezialisierte Halbleiterbauelemente und fortschrittliche Sensoren sind häufig auf Silizium (Si)-Kristallsubstrate (110) Dia. 4 Zoll, um eine hervorragende Leistung zu erzielen. Die kristalline Ausrichtung (110) bietet ausgeprägte elektrische und mechanische Eigenschaften, wodurch sie sich besonders für Komponenten eignet, die eine Hochgeschwindigkeitssignalverarbeitung erfordern. Da der Wafer einen Durchmesser von 4 Zoll hat, ist er groß genug, um verschiedene komplizierte Entwürfe unterzubringen, und bleibt dennoch kompatibel mit einer breiten Palette von bestehenden Fertigungsanlagen in Spitzentechnologiebereichen.

Viele Spitzentechnologien wie die Herstellung hocheffizienter Solarzellen und Leistungselektronik profitieren von der Robustheit dieses speziellen Substrats. Seine kristalline Struktur unterstützt eine verbesserte elektrische Leitfähigkeit in Anwendungen, bei denen ein gleichmäßiger Stromfluss und ein geringer Energieverlust entscheidend sind. Dies hat den (110)-Siliziumwafer zu einer bevorzugten Lösung für neue Technologien gemacht, die Stabilität, Miniaturisierung und hohe Zuverlässigkeit erfordern.

2. Forschung und Entwicklung

Forschungseinrichtungen erforschen kontinuierlich neue Methoden und Materialien, um die Funktionalität von (110)-Siliziumsubstraten zu verbessern. Zu diesen laufenden Arbeiten gehören die Optimierung des Dotierungsprozesses zur Erzielung präziser Ladungsträgerkonzentrationen sowie die Erforschung neuer Möglichkeiten zur Verbesserung der Oberflächenglätte und zur Reduzierung von Verunreinigungen. Durch diese Bemühungen verschieben Labors auf der ganzen Welt die Grenzen der Leistungsfähigkeit in einer Vielzahl von Anwendungen, die von den einzigartigen elektrischen und mechanischen Eigenschaften von Silizium profitieren.

Spitzenexperimente beinhalten oft die Veränderung der Waferdicke und -ausrichtung, um deren Auswirkungen auf die Effizienz der Bauelemente zu bewerten. Insbesondere (110)-orientiertes Silizium ist von wachsendem Interesse, da es spezielle Wafer-Bonding-Ansätze für fortschrittliche Mikrosysteme und Sensor-Arrays ermöglicht. Diese Innovationen ebnen nicht nur den Weg für hochmoderne Geräte, sondern tragen auch zu höheren Erträgen und gesteigerter Produktivität in zahlreichen Forschungs- und Industrieumgebungen bei.