CY8550 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 3 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 3 Zoll Beschreibung

Dieses Siliziumkristallsubstrat mit einer kristallographischen Orientierung von (111) und einem Durchmesser von 3 Zoll wurde entwickelt, um eine hervorragende Leistung in modernen Halbleiterprozessen zu erzielen. Seine hochgradig geordnete kristalline Struktur bietet eine ausgezeichnete Gleichmäßigkeit und optimale elektrische Eigenschaften, wodurch es sich ideal für fortschrittliche Anwendungen wie Mikroelektronik, Photonik und Sensorherstellung eignet. Durch die geringe Defektdichte und die außergewöhnliche Ebenheit der Oberfläche gewährleistet dieses Substrat zuverlässige Bauelementeigenschaften und konsistente Produktionsergebnisse.

Jeder Wafer wird nach strengen Industriestandards hergestellt und unterliegt strengen Qualitätskontrollprotokollen, einschließlich präziser Dickenmessungen und sorgfältiger Oberflächeninspektionen. Diese sorgfältige Beachtung von Details trägt dazu bei, gleichmäßige Erträge und eine stabile Leistung der Bauelemente zu gewährleisten und ermöglicht es Forschern und Herstellern, präzise Prozessparameter einzuhalten. Wählen Sie dieses Silizium(111)-Kristallsubstrat, um bei Ihren anspruchsvollsten Projekten ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit und Leistung zu erzielen.

Silizium (Si) Kristallsubstrat (111) Durchm. 3 Zoll Anwendungen

Silizium (Si) Kristallsubstrat (111) Ø. 3 Zoll ist ein hochwertiger Wafer, der für seine hervorragende Kristallorientierung, Zuverlässigkeit und Gleichmäßigkeit bekannt ist. Mit präziser Dotierungskontrolle und minimalen Defekten bietet dieses Substrat eine stabile Plattform, die für fortschrittliche Fertigung und Forschung unerlässlich ist. Seine überragende mechanische Festigkeit, Wärmeleitfähigkeit und funktionelle Vielseitigkeit machen es zu einer entscheidenden Komponente in zahlreichen industriellen, wissenschaftlichen und kommerziellen Anwendungen.

1. industrielle Anwendungen

-Hocheffiziente Produktion von Halbleiterbauelementen, die sich die gleichmäßige Dotierung und minimale Defektdichte des Substrats zunutze macht

-Robustes Wafer-Bonding und MEMS-Fertigung, die mechanische Festigkeit und thermische Stabilität gewährleisten

2) Forschungsanwendungen

-Modernste Materialcharakterisierung und Versuche zum Dünnschichtwachstum

-Experimente im Quantenmaßstab, die eine gleichmäßige kristalline Ausrichtung für präzise Messungen erfordern

3. kommerzielle Anwendungen

-Optische Sensoren und Plasmabearbeitung, die auf die hohe Reinheit und Haltbarkeit des Wafers angewiesen sind

-Solarzellenprototypen, bei denen kontrollierte Dotierung und hervorragende kristalline Qualität die Energieumwandlung verbessern

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 3 Zoll Verpackung

Jedes Silizium(Si)-Kristallsubstrat (111) mit einem Durchmesser von 3 Zoll ist einzeln in einem doppellagigen Beutel in Reinraumqualität versiegelt, der mit inertem Prozessgas gefüllt ist. Schaumstoffeinlagen und antistatische Materialien schützen das Substrat vor mechanischer Beanspruchung, während versiegelte Zweischalenbehälter Staub und Feuchtigkeit abhalten. Die Lagerung erfolgt in einer temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebung. Die optionale Anpassung der Verpackung umfasst spezielle Beschriftungen, vakuumversiegelte Beutel und statisch ableitende Schalen zur besseren Vermeidung von Kontaminationen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 3 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø. 3 Zoll?

A1: Siliziumkristallsubstrate in der Orientierung (111) mit einem Durchmesser von drei Zoll weisen typischerweise einen hohen Grad an kristalliner Perfektion und eine geringe Versetzungsdichte auf. Sie weisen eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit, moderate Dotierungen für einen gezielten elektrischen Widerstand und eine geringe Oberflächenrauheit (unter 1 nm) für die Herstellung von Bauelementen auf. Die (111)-Orientierung eignet sich besonders gut für bestimmte Epitaxieverfahren und gewährleistet eine gleichmäßige Schichtqualität.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Die ordnungsgemäße Handhabung eines Silizium (Si)-Kristallsubstrats (111) Dia. 3 Zoll ist wichtig, um die Oberflächenqualität zu erhalten und Verunreinigungen zu vermeiden. Das Personal sollte Reinraumhandschuhe und eine nicht scheuernde Pinzette verwenden und die Substrate nur an den Kanten anfassen. Das Substrat sollte in einem sicheren, vakuumversiegelten Waferträger oder in einer stickstoffgespülten Umgebung gelagert werden, um die Oxidation zu minimieren. Temperatur- und Feuchtigkeitskontrollen sind von entscheidender Bedeutung, um Verformungen, Rissbildung oder feuchtigkeitsbedingten Oberflächenverschleiß zu vermeiden.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 3 Zoll?

A3: Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø. 3 Zoll erfüllt in der Regel die SEMI M1-Normen für Halbleitermaterialien, die sich auf Maßtoleranzen, Oberflächenebenheit, Dotierungsgleichmäßigkeit und Defektkontrolle beziehen. Zusätzliche Normen wie ISO 9001 sorgen für ein solides Qualitätsmanagement, während strenge Qualifizierungsprozesse der Lieferanten die Reinheit der Substrate garantieren. Die Einhaltung von Umwelt- und Sicherheitsvorschriften, einschließlich RoHS und REACH, unterstreicht zudem das Engagement für Produktzuverlässigkeit, Rückverfolgbarkeit und weltweite Akzeptanz.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das aus einem Einkristall mit einer (111)-Ausrichtung geformte Silizium (Si)-Kristallsubstrat Dia. 3 Zoll weist eine hervorragende atomare Ausrichtung auf, die die Ladungsträgerbeweglichkeit erhöht und Kristalldefekte minimiert. Diese Ausrichtung sorgt auch für eine ausgeprägte Oberflächentopografie, die eine gleichmäßige epitaktische Abscheidung erleichtert, die für zuverlässige elektronische Geräte entscheidend ist. Darüber hinaus trägt die verfeinerte Gitteranordnung des Substrats zu einer gleichmäßigen Dicke und einer minimalen Beschädigung der Oberfläche bei, was eine hervorragende mechanische Stabilität bei Hochtemperaturprozessen gewährleistet.

Durch sorgfältiges Polieren und strenge Maßkontrolle erfüllt dieses Silizium(Si)-Kristallsubstrat anspruchsvolle Qualitätsstandards in Bezug auf Ebenheit und Oberflächenrauhigkeit. Der 3-Zoll-Durchmesser ermöglicht es den Herstellern, die Produktionsausbeute zu optimieren, ohne die Integrität der Wafer zu beeinträchtigen. Durch seine hohe kristalline Reinheit und außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit unterstützt es komplexe Mikrofabrikationsschritte wie Lithografie und Dotierung und bietet so eine hohe Leistung sowohl in der Forschung als auch in industriellen Anwendungen.

2. Anwendungen in fortgeschrittenen Industrien

In der hochspezialisierten Halbleiterforschung spielt das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 3 Zoll eine zentrale Rolle bei der Entwicklung innovativer Technologien für Leistungselektronik und integrierte Hochgeschwindigkeitsschaltungen. Seine Ausrichtung trägt dazu bei, einen hervorragenden Ladungstransport zu gewährleisten, so dass die Entwickler von Bauelementen eine maximale Effizienz in ihren Anwendungen erzielen können. Von Hochfrequenztransistoren bis hin zu fortschrittlichen mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) bildet dieses Substrat eine vielseitige Grundlage für viele innovative Projekte.

Diese Substrate eignen sich für optische Präzisionskomponenten und werden auch in Photonik-Anwendungen und Sensorherstellungsprozessen eingesetzt, die eine erstklassige kristalline Integrität erfordern. Ihre Fähigkeit, komplexe heterogene Integrationen zu unterstützen, eröffnet neue Wege in der Quanteninformatik und Nanotechnologie, wo eine strenge Kontrolle der Grenzflächeneigenschaften von größter Bedeutung ist. Durch die Kombination von hervorragender thermischer Stabilität und gleichbleibender Oberflächenqualität erfüllt das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 3 Inch den wachsenden Anforderungen fortschrittlicher Industrien gerecht, die die Leistungsgrenzen immer weiter hinausschieben wollen.