CY8549 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 3 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 3 Zoll Beschreibung

Dieses hochwertige Silizium (Si)-Kristallsubstrat weist eine (110)-Kristallorientierung und einen Durchmesser von 3 Zoll auf und ist damit die erste Wahl für die moderne Halbleiterforschung und -produktion. Seine gleichmäßig orientierte Gitterstruktur gewährleistet eine hervorragende Ladungsträgerbeweglichkeit und minimale Defekte, die für gleichbleibende elektrische Eigenschaften sorgen und ideal für die Entwicklung von MEMS, die Herstellung von Sensoren und modernste Mikroelektronik sind.

Unser nach strengen Qualitätsstandards hergestelltes Substrat wird einer strengen Prüfung auf Ebenheit, gleichmäßige Dicke und Oberflächenpolitur unterzogen. Seine hervorragende thermische Stabilität ermöglicht die Verarbeitung bei hohen Temperaturen, ohne die strukturelle Integrität zu beeinträchtigen. Die geringe Defektdichte und die außergewöhnliche kristallografische Genauigkeit gewährleisten reproduzierbare Ergebnisse bei verschiedenen Abscheidungs- und Ätzverfahren. Ob in der Forschung, bei der Herstellung von Prototypen oder in der Großserienproduktion - dieses Silizium(110)-Substrat bietet zuverlässige Leistung und unterstützt Innovationen in der modernen Elektronik und Optoelektronik.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 3 Zoll Anwendungen

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Dia. 3 Zoll bietet eine stabile Oberflächenorientierung und außergewöhnliche kristallografische Eigenschaften, die ideal für eine Reihe von Hochleistungsanwendungen sind. Die (110)-Orientierung ermöglicht eine erhöhte Elektronenbeweglichkeit und einen verbesserten Wirkungsgrad der Bauteile, was dieses Substrat zu einer bevorzugten Wahl für fortschrittliche Technologien macht. Sein präziser Durchmesser von 3 Zoll gewährleistet zudem Einheitlichkeit bei Dünnschichtprozessen und der Herstellung von Bauteilen.

1. industrielle Anwendungen

-Anwendung 1: Mikroelektronikgehäuse - Die gleichmäßige Dicke unterstützt die zuverlässige Integration von Bauelementen und die effiziente Montage im Mikroelektronikgehäuse.

-Anwendung 2: Herstellung von Leistungsbauelementen - Die (110)-Oberflächenausrichtung eignet sich hervorragend für hohe Spannungen und steigert die Leistung der Leistungselektronik.

2. forschungsanwendungen

-Anwendung 1: Erforschung von Quantenbauelementen - Die hohe Kristallinität begünstigt die fortgeschrittene Erforschung neuartiger Quantenstrukturen und -bauelemente.

-Anwendung 2: Photonik-Studien - Die geringe Defektdichte unterstützt die Erforschung modernster optischer und photonischer Technologien.

3. kommerzielle Anwendungen

-Anwendung 1: Sensorentwicklung - Die erhöhte Elektronenbeweglichkeit hilft bei der Entwicklung empfindlicher und genauer Sensorelemente.

-Anwendung 2: Display-Komponenten - Der 3-Zoll-Durchmesser entspricht den Industriestandards für die nächste Generation von Display-Panels und Bildgebungssystemen.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Durchm. 3 Zoll Verpackung

Jedes 3-Zoll-Silizium-(Si-)Kristallsubstrat mit (110)-Ausrichtung wird in einem antistatischen Polyethylenbeutel geliefert, der in einem mit Schaumstoff ausgekleideten Karton eingeschlossen ist, um mechanische Beschädigungen zu verhindern. Die versiegelte Verpackung verhindert eine Verunreinigung durch Staub und Feuchtigkeit. Um die Qualität zu erhalten, sollten Sie das Substrat in einer Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und vor direkter Sonneneinstrahlung geschützt lagern. Weitere kundenspezifische Optionen, wie z. B. spezielle Verpackungen oder Beschriftungen, sind auf Anfrage erhältlich, um spezifischen Labor- oder Produktionsanforderungen gerecht zu werden.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Dia. 3 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Ø. 3 Zoll?

A1: Silizium(Si)-Kristallsubstrat (110) mit einem Durchmesser von 3 Zoll weist in der Regel eine hohe Reinheit, eine präzise kristalline Ausrichtung und eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit auf. Insbesondere die (110)-Ausrichtung bietet einzigartige anisotrope Eigenschaften, die fortschrittlichen elektronischen Anwendungen zugute kommen. Die Dichte des Substrats beträgt etwa 2,33 g/cm³ mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 2,6×10^-6/K. Die Oberfläche ist häufig hochglanzpoliert, was eine zuverlässige Herstellung von Bauteilen für die Mikroelektronik und MEMS ermöglicht.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Zur ordnungsgemäßen Handhabung gehört das Tragen von Reinraumhandschuhen, um Verunreinigungen zu vermeiden, und die Verwendung von geerdeten Handgelenkschlaufen, um elektrostatische Schäden zu vermeiden. Halten Sie das Substrat immer an den Kanten, um den Kontakt mit der polierten Oberfläche zu minimieren. Lagern Sie die Siliziumwafer in einer sauberen, trockenen Umgebung, vorzugsweise in speziellen Waferträgern oder Kassetten. Die Aufrechterhaltung stabiler Temperatur- und Feuchtigkeitsniveaus ist entscheidend für die Erhaltung der Oberflächenintegrität und der kristallografischen Eigenschaften des Substrats.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium(Si)-Kristallsubstrate (110) Dia. 3 Zoll?

A3: Dieses Substrat entspricht in der Regel den SEMI M1-Spezifikationen, die Materialeigenschaften, Maßtoleranzen und Oberflächenqualität festlegen. Die Hersteller sind häufig nach ISO 9001 zertifiziert, um eine einheitliche Qualitätskontrolle und Rückverfolgbarkeit während der gesamten Produktion zu gewährleisten. Die Inspektion erfolgt nach standardisierten Messverfahren für Dicke und Oberflächenebenheit, und für bestimmte Anwendungen kann die Einhaltung von Umweltrichtlinien wie RoHS erforderlich sein. Diese Zertifizierungen tragen dazu bei, dass die Wafer die strengen Industriestandards für Leistung und Zuverlässigkeit erfüllen.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Dieses (110)-orientierte Siliziumkristallsubstrat mit einem Durchmesser von 3 Zoll ist für seine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit und stabile Gitteranordnung bekannt, die direkt zu einer höheren Leistung und Zuverlässigkeit der Geräte beiträgt. Die Ausrichtung des Substrats entlang der (110)-Ebene sorgt für eine minimale Versetzungsdichte, was zu einer gleichmäßigeren Kristallstruktur führt, die höheren Temperaturen und Hochdruckumgebungen standhält. Die verbesserte chemische Reinheit unterstützt darüber hinaus eine präzise Dotierungskontrolle, die hervorragende elektrische Leitungseigenschaften ermöglicht, die für modernste Halbleiteranwendungen unerlässlich sind.

Die einzigartige Kombination aus gleichmäßiger Dicke und minimalen Oberflächendefekten auf diesem Siliziumsubstrat sorgt für eine hervorragende Durchschlagsfestigkeit bei kritischen Fertigungsprozessen. Diese Eigenschaft ermöglicht es, die Dimensionsstabilität während komplizierter Schritte wie der Dünnschichtabscheidung und der Fotolithografie beizubehalten. Die robuste mechanische Dichte des (110)-orientierten Wafers bietet auch eine hohe Toleranz gegenüber mechanischer Beanspruchung und verbessert so die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit komplexer elektronischer Schaltungen und Systeme.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) Dia. 3 inch wird in der Produktion von Hochleistungstransistoren und Sensoren eingesetzt. 3 Zoll wird besonders in Bereichen wie Telekommunikation und Luft- und Raumfahrt geschätzt. Die Ausrichtung dieses Wafers trägt zu einer geringeren Fehlerquote bei der Herstellung von Mikroprozessorkomponenten bei und sorgt dafür, dass die Geräte schneller und energieeffizienter arbeiten können. Dieser Vorteil senkt die Gesamtwärmeentwicklung in verschiedenen integrierten Schaltkreisen und verringert so die Wahrscheinlichkeit von Systemausfällen in unternehmenskritischen Anwendungen.

Unternehmen, die sich auf mikroelektromechanische Systeme (MEMS) und optoelektronische Geräte der nächsten Generation konzentrieren, profitieren ebenfalls erheblich von der zuverlässigen kristallographischen Struktur des Substrats. Die (110)-Orientierung ermöglicht ein effektiveres anisotropes Ätzen, was ein Schlüsselfaktor für die Schaffung von präzise gefertigten Kanälen und Hohlräumen für MEMS-Sensoren und -Aktoren ist. Da die Nachfrage nach kleineren, effizienteren elektronischen Bauteilen weiter steigt, bleibt dieses Siliziumsubstrat ein zentrales Material für forschungsorientierte Aktivitäten und die Großproduktion in fortschrittlichen Technologiebereichen.