CY8548 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 3 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 3 Zoll Beschreibung

Unser (100)-orientiertes Siliziumkristall-Substrat wird aus hochreinem monokristallinem Silizium hergestellt und zeichnet sich durch außergewöhnliche kristalline Einheitlichkeit und hervorragende Oberflächenqualität aus. Mit einem Durchmesser von 3 Zoll ist es präzise auf minimale Gitterdefekte, exzellente Dickenkontrolle und gleichmäßige Dotierung ausgelegt, was es zu einer idealen Plattform für modernste Halbleiterforschung und -entwicklung macht. Sein niedriger elektrischer Widerstand und seine hohe Wärmeleitfähigkeit gewährleisten eine hervorragende Wärmeableitung und stabile Leistung, die für fortschrittliche Mikroelektronik, Sensoren und photonische Geräte entscheidend sind.

Jedes Substrat wird einer strengen Prüfung unterzogen, um die strengen Industrieprotokolle und Qualitätsstandards zu erfüllen, was zu einer optimalen Ebenheit der Wafer, einer geringen Oberflächenrauhigkeit und einem hohen Reinheitsgrad führt. Ganz gleich, ob Sie integrierte Schaltkreise, Prototypen oder MEMS-Komponenten herstellen, unser Silizium(Si)-Kristallsubstrat ist eine zuverlässige Grundlage für jede Hochleistungsanwendung.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 3 Zoll Anwendungen

Silizium (Si)-Kristallsubstrate mit einer (100)-Ausrichtung und einem Durchmesser von 3 Zoll weisen eine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, Wärmeleitfähigkeit und elektrische Eigenschaften auf. Diese Eigenschaften machen sie zu einer idealen Basis für zahlreiche fortschrittliche Technologien. Durch ein konsistentes Kristallgitter und minimale Defekte unterstützen diese Substrate die Abscheidung von Dünnschichten, die Herstellung von Bauelementen usw. Im Folgenden werden die wichtigsten Anwendungen in Industrie, Forschung und Handel vorgestellt.

1. industrielle Anwendungen

-Halbleiterherstellung: Die gleichmäßige Kristallstruktur von Silizium(100)-Substraten ist entscheidend für die Herstellung von Hochleistungs-Mikrochips und integrierten Schaltkreisen.

-MEMS-Fertigung: Dank der mechanischen Stabilität und der geringen Defektdichte des Substrats eignet es sich für die Herstellung mikroelektromechanischer Systeme mit präzisen Geometrien.

2) Forschungsanwendungen

-Dünnschichtstudien: Forscher nutzen diese Substrate aufgrund ihrer zuverlässigen Oberflächeneigenschaften zur Untersuchung neuer Materialien, wie z. B. fortschrittliche dielektrische oder supraleitende Schichten.

-Charakterisierung im Nanomaßstab: Die glatte Oberfläche und die gut definierte kristallografische Ausrichtung erleichtern die hochauflösende Bildgebung und Analyse in nanotechnologischen Experimenten.

3. kommerzielle Anwendungen

-Solarzellen: Die hohe Reinheit der Silizium(100)-Wafer gewährleistet eine effiziente Lichtabsorption für erneuerbare Energielösungen.

-LED-Herstellung: Die hervorragende Wärmeleitfähigkeit des Substrats unterstützt eine effektive Wärmeableitung, was zu einer konstanten LED-Leistung und einer längeren Produktlebensdauer führt.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 3 Zoll Verpackung

Diese Siliziumkristallsubstrate mit einem Durchmesser von 3 Zoll (100) werden sorgfältig in robusten, statikfreien, mit Schaumstoff ausgekleideten Schalen verpackt, um Beschädigungen und Kratzer zu vermeiden. Jedes Substrat wird dann in reinraumtauglichen Beuteln vakuumversiegelt, um die Kontamination durch Feuchtigkeit und Partikel zu minimieren. Die Lagerung erfolgt in einer kontrollierten Umgebung mit stabiler Temperatur und niedriger Luftfeuchtigkeit. Für zusätzlichen Schutz sind kundenspezifische Beschriftungen, Doppelbeutel und Schaumstoffverpackungen auf Anfrage erhältlich, um speziellen Handhabungs- und Transportanforderungen gerecht zu werden.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 3 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 3 Zoll?

A1: Das Silizium(Si)-Kristallsubstrat in der Ausrichtung (100) mit einem Durchmesser von 3 Zoll zeichnet sich in der Regel durch eine Dicke von 375-525 µm, einen niedrigen spezifischen Widerstand (<1 Ω-cm bei stark dotierten Wafern oder höher bei leicht dotierten Wafern) und eine hohe Reinheit (99,9999 % oder höher) aus. Die einkristalline Struktur sorgt für einheitliche elektrische und mechanische Eigenschaften, während die (100)-Orientierung eine hervorragende Oberflächenebenheit bietet. Die Wärmeleitfähigkeit von etwa 149 W/m-K gewährleistet eine effiziente Wärmeableitung während der Verarbeitung der Bauteile.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Das Substrat sollte mit sauberen, fusselfreien Handschuhen angefasst werden, um Partikelverunreinigungen oder Oberflächenunregelmäßigkeiten zu vermeiden. Es wird empfohlen, die Wafer in einer Reinraumumgebung der Klasse 100 oder besser zu lagern und spezielle Waferträger zu verwenden, die Vibrationen und Kontakt minimieren. Die Temperaturen sollten konstant zwischen 18-24 °C und die relative Luftfeuchtigkeit unter 40-50 % liegen, um elektrostatische Entladungen zu verhindern und die Oberflächenintegrität über die Zeit zu erhalten.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium (Si)-Kristallsubstrate (100) Dia. 3 Zoll?

A3: Diese Substrate erfüllen in der Regel die SEMI M1-Spezifikationen in Bezug auf Durchmesser, Dickentoleranzen, Oberflächenqualität und Ausrichtungsgenauigkeit. Viele Hersteller sind auch nach ISO 9001 zertifiziert, um konsistente Produktionsprozesse und Rückverfolgbarkeit zu gewährleisten. Zusätzliche Qualitätsprüfungen, wie z. B. niedrige Gesamtdickenabweichungen (TTV) und strenge Schwellenwerte für die Defektdichte, tragen dazu bei, dass jeder Wafer die strengen Anforderungen der Industrie für Mikrofabrikation, Photovoltaik und moderne Halbleiteranwendungen erfüllt.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Ø wird mit einer sehr geringen Konzentration an metallischen Verunreinigungen hergestellt. 3 Zoll eine ideale Grundlage für leistungsstarke Halbleiterbauelemente. Seine gut definierte Kristallorientierung ermöglicht ein vorhersehbares elektrisches Verhalten und eine minimale Defektdichte, was zu einer verbesserten Ladungsträgerbeweglichkeit und einem geringeren Risiko von leistungseinschränkenden Versetzungen führt. Diese Eigenschaften stellen sicher, dass die Waferstruktur fortschrittliche Lithografieprozesse und komplexe Abscheidetechniken unterstützt und gleichzeitig eine gleichbleibende Qualität für jede Charge gewährleistet.

Bei den Dotierungsverfahren wird sehr sorgfältig darauf geachtet, dass die Widerstandsbereiche genau eingehalten werden, um sicherzustellen, dass das Substrat die strengen Anforderungen der Mikroelektronikfertigung erfüllt. Insbesondere die (100)-Orientierung bietet eine ausgezeichnete Ätzgleichmäßigkeit und eine gleichmäßige Waferdicke, was für die Herstellung hochpräziser Schaltkreismuster von entscheidender Bedeutung ist. Diese Kombination aus Dimensionsstabilität, geringer Oberflächenrauhigkeit und robuster mechanischer Festigkeit erhöht die Eignung des Substrats für die Herstellung hochmoderner integrierter Schaltkreise zusätzlich.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Führende Halbleiterhersteller nutzen diese 3-Zoll (100)-Orientierungswafer für Forschungs- und Entwicklungsinitiativen, die darauf abzielen, die Grenzen der Transistorskalierung und Chipleistung zu erweitern. In spezialisierten Bereichen wie der Optoelektronik und der Sensortechnik sorgt die präzise orientierte kristalline Struktur des Substrats für eine zuverlässige Signalerfassung und -übertragung und trägt so zu einer verbesserten Empfindlichkeit und Genauigkeit der Geräte bei. Darüber hinaus erweitert die Stabilität dieses Wafers bei der Verarbeitung bei hohen Temperaturen seine Einsatzmöglichkeiten in neuartigen Anwendungen, einschließlich Leistungselektronik und mikroelektromechanischen Systemen.

Darüber hinaus bietet das Substrat mit einem Durchmesser von 3 Zoll Platz für eine breite Palette von Prozesswerkzeugen und Testgeräten, was es zu einer beliebten Wahl sowohl für Prototypen als auch für kleine Produktionsläufe macht. Spezielle Beschichtungsprozesse und Dotierungsprofile können angewandt werden, um maßgeschneiderte Materialien für neu entstehende Nanoelektronik und Quantencomputerexperimente zu schaffen. Diese einzigartigen Fähigkeiten unterstreichen die Vielseitigkeit des Substrats in verschiedenen Bereichen und stellen sicher, dass es bei der Herstellung von elektronischen Geräten der nächsten Generation an vorderster Front steht.