CY8545 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 2 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 2 Zoll Beschreibung

Das hochreine Silizium-(Si-)Kristallsubstrat (100) mit einem Durchmesser von 2 Zoll zeichnet sich durch seine gleichmäßige Kristallstruktur und außergewöhnliche Oberflächenqualität aus. Seine (100)-Ausrichtung sorgt für optimale Gleichmäßigkeit und macht es zu einer zuverlässigen Plattform für die fortschrittliche Mikrofabrikation und die Entwicklung von Halbleiterbauelementen. Mit seiner minimalen Defektdichte und seinem präzise kontrollierten spezifischen Widerstand eignet sich dieses Substrat für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter integrierte Schaltungen, Sensoren und Photovoltaiktechnologien.

Jedes Substrat wird einer strengen Qualitätskontrolle unterzogen, um die Konformität mit den Industriestandards zu gewährleisten. Die polierte Oberfläche und die genauen Dickentoleranzen ermöglichen wiederholbare, ertragreiche Verarbeitungsergebnisse, während die hervorragenden thermischen und elektrischen Eigenschaften eine stabile Leistung der Geräte unterstützen. Ob im Forschungslabor oder in der Großserienfertigung, unser Silizium(Si)-Kristallsubstrat (100) bietet die Konsistenz und Zuverlässigkeit, die für elektronische Komponenten der nächsten Generation erforderlich sind.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 2 Zoll Anwendungen

Silizium-(Si-)Kristallsubstrate mit einer (100)-Ausrichtung und einem Durchmesser von 2 Zoll sind für ihre hervorragenden elektrischen Eigenschaften, ihre ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit und ihre überlegene strukturelle Perfektion bekannt. Ihre gleichmäßigen Dotierungsprofile und minimalen Defekte gewährleisten hochwertige Ergebnisse in einer Vielzahl von Anwendungen, von der Mikroelektronik bis zur Sensorentwicklung, und machen sie zur idealen Wahl für die präzise Herstellung von Geräten und innovative technologische Fortschritte.

1. industrielle Anwendungen

-Leistungsstarke integrierte Schaltungen: Die geringe Defektdichte des Substrats und die konsistente Kristallstruktur erhöhen die Zuverlässigkeit der Bauelemente in fortschrittlichen Herstellungsprozessen.

-Leistungselektronik-Module: Die überragende Wärmeleitfähigkeit ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung, was zu einer verbesserten Leistung in leistungsintensiven Systemen führt.

2) Forschungsanwendungen

-Neuartige Halbleiterbauelemente: Präzise Dotierungskontrolle und hervorragende Kristallinität unterstützen das Experimentieren mit modernsten Halbleiterarchitekturen.

-Studien zur Dünnschichtabscheidung: Die gleichmäßige Substratoberfläche ist ideal für die Analyse innovativer Beschichtungen und neuer Materialschichten.

3. kommerzielle Anwendungen

-Sensoren für die Unterhaltungselektronik: Geringe Verunreinigungen und eine stabile Kristallstruktur sorgen für genaue Sensormessungen in alltäglichen Geräten.

-Photonische Komponenten: Hohe optische Klarheit und Gittergleichmäßigkeit ermöglichen die Entwicklung fortschrittlicher photonischer Schaltungen und integrierter Optiken.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 2 Zoll Verpackung

Jedes Silizium-(Si-)Kristallsubstrat (100) Ø. 2 Zoll wird sorgfältig mit schützenden Schaumstoffeinlagen und vakuumversiegelten, antistatischen Beuteln verpackt. Die Verpackung ist so konzipiert, dass Beschädigungen und Verunreinigungen vermieden werden, indem das Eindringen von Feuchtigkeit und Partikeln minimiert wird. Bewahren Sie die Substrate in einer trockenen, temperaturgeregelten Umgebung auf und tragen Sie Handschuhe, um die Reinheit zu bewahren. Für spezielle Forschungs- oder Produktionsanforderungen sind maßgeschneiderte Verpackungslösungen erhältlich, die einen sicheren Transport und optimalen Schutz der Substrate gewährleisten.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 2 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 2 Zoll?

A1: Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Ø 2 Zoll ist bekannt für seine hohe Kristallqualität. 2 Zoll ist bekannt für seine hohe Kristallinität, gleichmäßige Dotierung und hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Die einkristalline Struktur sorgt für minimale Defekte und ist damit ideal für die Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die (100)-Orientierung sorgt für ein vorhersehbares Ätzverhalten und gleichbleibende elektrische Eigenschaften. Diese Wafer zeichnen sich durch eine geringe Oberflächenrauhigkeit, eine hohe Zugfestigkeit und einen stabilen Wärmeausdehnungskoeffizienten aus, was eine zuverlässige Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen gewährleistet.

Q2: Welche Handhabungs- und Lagerungspraktiken werden für Silizium (Si)-Kristallsubstrate (100) Dia. 2 Zoll?

A2: Aufgrund ihrer hohen Reinheit und präzisen Oberflächenbeschaffenheit sollten diese Substrate mit Reinraumhandschuhen angefasst und in einer trockenen, staubfreien Umgebung gelagert werden. Vermeiden Sie den direkten Kontakt mit bloßen Fingern und verwenden Sie nur spezielle Pinzetten oder Werkzeuge zur Handhabung von Wafern. Halten Sie stabile Temperatur- und Feuchtigkeitsbedingungen aufrecht, um Kontaminationen zu vermeiden und Stress zu reduzieren. Lagern Sie Wafer in speziellen Trägern, um mechanische Beschädigungen zu minimieren.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium (Si)-Kristallsubstrate (100) Dia. 2 Zoll?

A3: Hochwertige Silizium (Si)-Kristallsubstrate (100) Dia. 2-Zoll-Wafer entsprechen in der Regel den SEMI-Normen für Dickentoleranz, Ebenheit und Oberflächengüte. Viele Lieferanten sind auch nach ISO 9001 zertifiziert, um konsistente Herstellungsprozesse und Rückverfolgbarkeit zu gewährleisten. Zusätzliche Zertifizierungen können die Einhaltung von RoHS und REACH für eingeschränkte Substanzen beinhalten. Labortests überprüfen den spezifischen Widerstand, die kristallografische Ausrichtung und die Defektdichte in Übereinstimmung mit den Normen der Halbleiterindustrie.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 2 Zoll weist eine außergewöhnliche thermische Stabilität auf, die es zu einer idealen Wahl für Hochtemperaturanwendungen in der Halbleiterverarbeitung macht. Diese Stabilität trägt dazu bei, die Integrität des Wafers während der Herstellungsschritte zu bewahren, die extreme Bedingungen beinhalten können. Die gut definierte (100)-Kristallorientierung sorgt für einheitliche elektrische Eigenschaften und ermöglicht konsistente Ätzprofile, die bei der Herstellung von Mikro- und Nanobauteilen entscheidend sind.

Die robuste mechanische Festigkeit des Substrats gewährleistet eine zuverlässige Handhabung und verringert das Risiko einer Beschädigung während des Transports oder der Verarbeitung. Dank seiner ausgezeichneten Ladungsträgerbeweglichkeit und geringen Defektdichte unterstützt dieses Siliziumsubstrat eine schnellere Elektronenbewegung und eine höhere Bauelementleistung in Anwendungen wie Leistungselektronik, Sensoren und integrierten Schaltungen. Darüber hinaus erleichtert seine glatte Oberfläche die präzise Fotolithografie und verbessert die Dünnschichthaftung in komplexen Bauteilstrukturen.

2. Maßnahmen zur Qualitätskontrolle

Während des gesamten Produktionszyklus werden gezielte Messprotokolle eingesetzt, um strenge Toleranzwerte für Dicke, Durchmesser und Ebenheit einzuhalten. Hochentwickelte Prüfverfahren, wie z. B. automatisches Oberflächenscannen und Defektkartierung, helfen bei der Erkennung von Mikrokratzern oder kristallinen Mängeln, die die Ausbeute der Bauteile beeinträchtigen könnten. Diese strengen Inspektionsverfahren gewährleisten ein qualitativ hochwertiges Substrat, das in der Lage ist, komplizierte Gerätearchitekturen zu unterstützen.

Hochauflösende Geräte werden eingesetzt, um den spezifischen Widerstand zu messen und die Dotierungskonzentration zu überprüfen, die für die Erzielung der gewünschten elektrischen Eigenschaften für die Endanwendung entscheidend ist. Diese Sicherheitsebene gewährleistet die Zuverlässigkeit und Konsistenz der Produkte über verschiedene Fertigungsläufe hinweg. Darüber hinaus zeichnen integrierte Rückverfolgbarkeitssysteme jede Phase der Waferherstellung auf, so dass die Hersteller schnell auf Abweichungen reagieren und eine gleichbleibend zuverlässige Versorgung mit Silizium(Si)-Kristallsubstraten (100) Dia. 2-Zoll-Wafer.