CY8544 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 1 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 1 Zoll Beschreibung

Entdecken Sie außergewöhnliche Qualität und Zuverlässigkeit mit unserem Silizium(Si)-Kristallsubstrat (111), das mit einem Durchmesser von 1 Zoll für mikro- und optoelektronische Präzisionsanwendungen entwickelt wurde. Diese Substrate, die mit fortschrittlichen Einkristallzuchtverfahren hergestellt werden, bieten ein äußerst einheitliches Kristallgitter und einen überragenden Reinheitsgrad, der minimale Defekte und eine hervorragende Ladungsträgerbeweglichkeit gewährleistet. Die (111)-Orientierung bietet ausgeprägte elektrische und mechanische Eigenschaften und ist damit ideal für Forschungslabors, die Halbleiterfertigung und die Entwicklung modernster Bauelemente.

Jedes Substrat erfüllt die strengen Industriestandards für Oberflächenebenheit und Defektdichte, was eine gleichbleibende Leistung und geringere Abweichungen bei der Herstellung von Bauelementen ermöglicht. Ganz gleich, ob Sie Prototypen für innovative Nanotechnologie herstellen oder robuste integrierte Schaltkreise entwickeln möchten, unser Silizium(Si)-Kristallsubstrat (111) bietet zuverlässige Qualität, Stabilität und Reproduzierbarkeit zur Unterstützung Ihrer Fertigungs- und Forschungsbemühungen.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 1 Zoll Anwendungen

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø. 1 Zoll wird wegen seiner präzisen Molekularstruktur und seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit geschätzt. Dieses robuste Substrat eignet sich für verschiedene Konfigurationen und ist daher für Branchen, die Hochleistungskomponenten benötigen, unverzichtbar. Seine gleichmäßige Oberfläche in Verbindung mit zuverlässigen mechanischen Eigenschaften ermöglicht die Herstellung modernster Bauelemente, während die (111)-Orientierung das Kristallwachstum und die Abscheidungsprozesse in zahlreichen Anwendungen verbessert.

1. industrielle Anwendungen

-Herstellung von mikroelektronischen Hochfrequenzbauteilen, bei denen die (111)-Ausrichtung die Präzisionsschichtung unterstützt und die Leistung verbessert

-Herstellung von MEMS-Sensoren, wobei die außergewöhnliche thermische und mechanische Stabilität des Substrats für einen zuverlässigen Sensorbetrieb genutzt wird

2) Forschungsanwendungen

-Fortgeschrittene Epitaxiestudien, bei denen die konstante kristalline Orientierung zur Erforschung neuer Halbleitermaterialien genutzt wird

-Grundlegende materialwissenschaftliche Experimente mit Schwerpunkt auf Dotierungsprofilen und Kristallgittertechnik für die Elektronik der nächsten Generation

3. kommerzielle Anwendungen

-Hochauflösende Bildgebungstechnologie, die von der Gleichmäßigkeit und der hervorragenden Leitfähigkeit des Substrats profitiert, um die Effizienz der Sensoren zu verbessern

-Komponenten der Unterhaltungselektronik, die eine stabile Plattform für integrierte Schaltungen in Smartphones und anderen tragbaren Geräten bieten

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 1 Zoll Verpackung

Jedes Silizium-(Si-)Kristallsubstrat (111) Dia. 1 Zoll ist einzeln in einer statikfreien Schaumstoffeinlage gepolstert und in einem feuchtigkeitsundurchlässigen Beutel in Reinraumqualität versiegelt. Die Verpackung wird bei kontrollierter Temperatur und Luftfeuchtigkeit gelagert, um Oxidation und Partikelbildung zu minimieren. Ein Außenkarton bietet zusätzlichen Schutz vor Stößen und verhindert Verunreinigungen während des Transports. Zu den optionalen Anpassungsmöglichkeiten gehören kundenspezifisches Branding und Barcode-Etiketten, die eine präzise Rückverfolgbarkeit für spezielle Anwendungen gewährleisten.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Durchm. 1 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø. 1 Zoll?

A1: Das kristalline Silizium (Si)-Substrat (111) Ø. 1 Zoll zeichnet sich in der Regel durch eine kristalline Ausrichtung aus, die eine hohe Elektronenbeweglichkeit, minimale Gitterdefekte und eine hervorragende Gleichmäßigkeit fördert. Mit einer Bandlücke von etwa 1,12 eV bietet es eine gute Wärmeleitfähigkeit und eine stabile mechanische Festigkeit. Die 111-Orientierung des Substrats ist besonders nützlich für fortschrittliches Epitaxiewachstum und die Herstellung von Bauelementen, da sie eine gleichmäßige Schichtdicke, eine geringe Verformung des Wafers und eine präzise Dotierungskontrolle gewährleistet.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Die richtige Handhabung erfordert das Tragen von Reinraumhandschuhen und die Verwendung einer nicht-metallischen Pinzette, um Verunreinigungen zu vermeiden. Lagern Sie das Substrat in einer staubfreien Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und stabiler Raumtemperatur, idealerweise in einem antistatischen Waferbehälter. Vermeiden Sie direkten Hautkontakt oder den Kontakt mit aggressiven Chemikalien. Überprüfen Sie die Oberfläche regelmäßig auf Schäden oder Partikelansammlungen. Behandeln Sie nur die Kanten, um die makellose Kristalloberfläche zu erhalten, die für eine zuverlässige Geräteleistung und Messgenauigkeit erforderlich ist.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 1 Zoll?

A3: Diese Substrate entsprechen in der Regel den SEMI-Normen (Semiconductor Equipment and Materials International) für Maßtoleranzen, Dickengleichmäßigkeit und Fehlerdichte. Sie können auch dem Qualitätsmanagement nach ISO 9001 für Produktionskonsistenz und Zuverlässigkeit entsprechen. Weitere Zertifizierungen können die Einhaltung der REACH- und RoHS-Richtlinien umfassen, um sicherzustellen, dass sie den Umwelt- und Sicherheitsvorschriften entsprechen. Die Hersteller unterziehen jede Substratcharge strengen Prüfprotokollen, um Reinheit, Orientierungsgenauigkeit und geringe Partikelkontamination zu gewährleisten.

Weiterführende Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø ist auf die hohen Anforderungen der Halbleiterindustrie zugeschnitten. 1 Zoll bietet eine außergewöhnliche mechanische Stabilität und Gleichmäßigkeit über seine gesamte Oberfläche. Mit einer streng kontrollierten kristallinen Struktur weist es eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und konsistente Gitterparameter auf, was es zu einer zuverlässigen Grundlage für mikroelektronische Präzisionsanwendungen macht.

Die (111)-Orientierung dieses nach hochreinen Standards hergestellten Substrats bietet eine ideale Ebene für komplexes epitaktisches Wachstum und die Schichtung von Bauelementen. Durch die Minimierung von Versetzungen und Defektdichten gewährleistet der Wafer eine optimierte elektrische Leistung in kritischen Komponenten wie Leistungsbauelementen, Sensoren und modernen integrierten Schaltungen.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Ø zeichnet sich durch seine hervorragende kristalline Ausrichtung aus. Aufgrund seiner hervorragenden kristallinen Ausrichtung wird das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (111) Dia. 1 Zoll in der Entwicklung von Spitzenprodukten in Bereichen wie Quantencomputing, Luft- und Raumfahrtinstrumenten und fortschrittlichen Energiesystemen eingesetzt. Seine präzise Struktur und seine stabilen elektronischen Eigenschaften ermöglichen es Forschern und Herstellern, innovative Geräte zu entwickeln, die anspruchsvolle Materialspezifikationen erfordern.

Die Integration dieses Substrats in Technologien der nächsten Generation ermöglicht eine höhere Empfindlichkeit bei Sensoren, eine größere Zuverlässigkeit bei Hochspannungsanwendungen und eine effizientere Photovoltaik. Seine einzigartigen kristallographischen Eigenschaften in Verbindung mit einer strengen Maßkontrolle liefern die Präzision, die für Innovationen im Wafer-Maßstab und neue Hochleistungslösungen erforderlich ist.