CY8542 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 1 Zoll

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 1 Zoll Beschreibung

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 1 Zoll wurde sorgfältig entwickelt, um eine außergewöhnliche Einheitlichkeit und Reinheit zu bieten, was es zu einer idealen Grundlage für eine breite Palette von mikroelektronischen und photonischen Anwendungen macht. Mit seiner geringen Defektdichte und engen Dickentoleranz gewährleistet dieser einkristalline Wafer gleichbleibende Ergebnisse bei Prozessen wie Epitaxiewachstum, Dünnschichtabscheidung und Bauelementeherstellung. Seine kristallographische Orientierung (100) bietet optimale elektrische und mechanische Eigenschaften sowie eine stabile Gitterstruktur, die für hochpräzise Anwendungen geeignet ist.

Das unter strengen Qualitätskontrollstandards hergestellte Substrat erfüllt oder übertrifft die branchenüblichen Standards für Oberflächenrauhigkeit, Maßgenauigkeit und Materialzusammensetzung. Seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und robuste mechanische Festigkeit garantieren eine zuverlässige Leistung auch unter schwierigen Bedingungen. Ob in der Forschung, bei der Herstellung von Prototypen oder in der Großserienproduktion - dieses hochwertige Silikonsubstrat bietet die Konsistenz und Langlebigkeit, die die Hightech-Innovationen von heute erfordern.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 1 Zoll Anwendungen

In der Spitzenelektronik und der modernen Materialforschung zeichnet sich das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 1 Zoll zeichnet sich durch seine einheitliche Struktur, hohe Reinheit und ausgezeichnete thermische Stabilität aus. Diese Eigenschaften gewährleisten eine effiziente Ladungsträgerbeweglichkeit und eine robuste mechanische Integrität. Folglich ermöglicht dieses Substrat Herstellern, Forschern und Unternehmern, die Grenzen der Geräteleistung, der wissenschaftlichen Entdeckung und innovativer Produktlösungen zu erweitern.

1. industrielle Anwendungen

-Herstellung von Halbleiterbauelementen: Nutzt die einheitliche Kristallorientierung und hohe Reinheit zur Herstellung zuverlässiger integrierter Schaltungen mit optimierter Leistung.

-Hochpräzise Sensorproduktion: Nutzt die hervorragende thermische Stabilität für Sensoren, die präzise und konsistente Messungen in anspruchsvollen Umgebungen erfordern.

2. forschungsanwendungen

-Untersuchungen zum Quantencomputing: Nutzt die überlegene Ladungsträgerbeweglichkeit zur Erforschung von Quantenprozessen und zur Entwicklung von Rechenarchitekturen der nächsten Generation.

-Optische und photonische Experimente: Bietet eine stabile Plattform für die Erforschung lichtbasierter Technologien und bahnbrechender materialwissenschaftlicher Entwicklungen.

3. kommerzielle Anwendungen

-Fortschritte in der Unterhaltungselektronik: Ermöglicht schnellere, kleinere und energieeffizientere Geräte dank robuster mechanischer Integrität und konsistenter Dotierungsmöglichkeiten.

-Dünnschicht-Solarzellen: Bietet ein zuverlässiges Substrat für bahnbrechende Photovoltaik-Designs, die auf eine Maximierung der Energieumwandlungseffizienz abzielen.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Durchm. 1 Zoll Verpackung

Jedes Silizium(Si)-Kristallsubstrat (100) mit einem Durchmesser von 1 Zoll ist in einer Reinraumumgebung versiegelt und mit einem doppellagigen antistatischen Polyethylenbeutel geschützt. In einem gepolsterten Kunststoffhalter oder einem mit Schaumstoff ausgekleideten Behälter bleibt das Substrat vor mechanischer Belastung und Verunreinigungen geschützt. Lagern Sie es in einem trockenen, temperaturgeregelten Bereich, um die Integrität des Wafers zu erhalten. Zusätzliche Schutzmaßnahmen, wie z. B. versiegelte, stickstoffgespülte Gehäuse, sind auf Anfrage erhältlich und gewährleisten vollständig maßgeschneiderte Verpackungslösungen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 1 Zoll FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia. 1 Zoll?

A1: Das Substrat weist typischerweise eine monokristalline Struktur auf, die auf die (100)-Orientierung für einheitliche Dotierungsprofile ausgerichtet ist. Es ist bekannt für seine hohe elektronische Mobilität, seine gleichmäßige Dicke und seinen präzisen spezifischen Widerstand, der oft im Ohm-cm-Bereich liegt. Die Wärmeleitfähigkeit ist ebenfalls bemerkenswert und erleichtert die Wärmeableitung. Der geringe Gehalt an Verunreinigungen sorgt für minimale Defekte, wodurch es sich für Hochleistungs-Halbleiteranwendungen eignet.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Für eine sichere Handhabung sollte man stets Reinraumhandschuhe oder Fingerlinge tragen, um eine Verunreinigung durch Öle oder Partikel zu vermeiden. Vermeiden Sie es, die polierte Oberfläche direkt zu berühren, und verwenden Sie saubere, antistatische Pinzetten oder Saugnäpfe, wenn Sie das Substrat bewegen. Lagern Sie den Wafer in einem schützenden Träger oder versiegelten Behälter in einer feuchtigkeitskontrollierten Umgebung, um die Oxidation und die Ansammlung von Partikeln zu minimieren. Überprüfen Sie regelmäßig die Lagerbedingungen, um die Qualität des Substrats zu erhalten.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium(Si)-Kristallsubstrate (100) Dia. 1 Zoll?

A3: Die Hersteller halten sich in der Regel an ISO 9001 für das Qualitätsmanagement, um einheitliche Produktionsprozesse und eine strenge Dokumentation zu gewährleisten. Die Substrate entsprechen häufig den SEMI-Normen für Waferabmessungen, Ebenheit und Oberflächenbeschaffenheit, was die Vergleichbarkeit in der gesamten Halbleiterindustrie gewährleistet. Zusätzliche Zertifizierungen, wie z. B. ISO 14001, können ebenfalls relevant sein und unterstreichen die Verantwortung für die Umwelt. Jede Charge wird häufig mit Materialprüfungsdaten geliefert, mit denen Spezifikationen wie Ausrichtung, Dicke, Oberflächenrauheit und spezifischer Widerstand überprüft werden.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) wird mit einem konstanten Durchmesser von 1 Zoll hergestellt und wegen seines gleichmäßigen Kristallgitters und seiner hohen Reinheit geschätzt. Seine einzigartige kristallografische Ausrichtung gewährleistet ein stabiles elektrisches Verhalten, das für hochpräzise Anwendungen wie mikroelektronische Komponenten und optoelektronische Geräte unerlässlich ist. Die mechanische Steifigkeit ist ein weiteres wichtiges Merkmal, das eine größere Widerstandsfähigkeit gegen Verformung und thermische Belastung während längerer Herstellungsprozesse ermöglicht.

Im Gegensatz zu größeren Wafern bietet dieses Substrat mit kleinerem Durchmesser eine größere Vielseitigkeit bei der Entwicklung von Prototypen oder der Produktion im Labormaßstab. Seine kompakte Größe vereinfacht die Handhabung und verringert die Wahrscheinlichkeit von Beschädigungen, was es zu einer idealen Wahl für Forschungseinrichtungen macht, die spezielle Halbleiterdesigns erforschen. In Verbindung mit einer zuverlässigen Ebenheit und einer genauen Dickensteuerung bietet es eine robuste Grundlage für präzise Ergebnisse bei Experimenten mit fortschrittlichen Bauelementen.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) Dia ist für seine präzisen Oberflächen bekannt. 1 Zoll ist ein wesentlicher Bestandteil modernster Bereiche wie Photonik, Nanotechnologie und Sensortechnik. In der Photonik unterstützt die konsistente Ausrichtung des Substrats die gleichmäßige Wellenausbreitung und gewährleistet eine hervorragende Lichtmanipulation, die für optische Systeme der nächsten Generation unerlässlich ist. In Nanotech-Labors ermöglicht seine starre atomare Struktur eine zuverlässige Nanofabrikation, die Innovationen bei miniaturisierten Schaltkreisen und biomolekularen Nachweisplattformen vorantreibt.

Ingenieure in der Elektronikbranche haben dieses Substrat in Leistungsgeräte, Transistor-Arrays und fortschrittliche drahtlose Module integriert. Die stabile (100)-Orientierung reduziert Kristalldefekte und ermöglicht so eine höhere Ausbeute an Bauelementen und eine verbesserte Leistung bei Hochfrequenzanwendungen. Sein kompakter Durchmesser in Verbindung mit der gleichmäßigen Oberfläche macht es zu einer bevorzugten Option für präzises Wafer-Bonden und Schichtabscheidungsprozesse, was seine zentrale Rolle im modernen Halbleiterfortschritt weiter unterstreicht.