CY8539 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm Beschreibung

Unser Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10×10 mm zeichnet sich durch höchste Materialreinheit und kristalline Perfektion aus und ist damit eine ideale Grundlage für die moderne Halbleiterforschung und die Herstellung von Bauelementen. Das präzise auf die (100)-Orientierung geschnittene Substrat weist eine geringe Oberflächenrauhigkeit und hohe Gleichmäßigkeit auf, was für die Erzielung konsistenter Schichtabscheidungs- und Ätzergebnisse unerlässlich ist. Seine ausgezeichneten elektrischen Eigenschaften und seine Wärmeleitfähigkeit gewährleisten eine optimale Leistung sowohl bei konventionellen als auch bei modernsten elektronischen Anwendungen.

Bei der Herstellung unterliegt jedes Substrat strengen Qualitätsstandards und wird einer strengen Prüfung unterzogen, um engere Toleranzen bei Dicke, Widerstand und Oberflächenebenheit einzuhalten. Dieser Fokus auf Präzision und Zuverlässigkeit ermöglicht es Forschern und Ingenieuren, innovative Lösungen in der Mikroelektronik, Photonik und anderen High-Tech-Bereichen zu entwickeln. Ob für das Prototyping oder die Großserienproduktion, unser Si(100)-Substrat erfüllt die anspruchsvollsten Anforderungen der Industrie.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm Anwendungen

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm ist eine wesentliche Plattform für verschiedene Hochpräzisionstechnologien. Seine gut definierte kristalline Ausrichtung, hervorragende Wärmeleitfähigkeit und gleichmäßige Oberflächenqualität unterstützen die fortschrittliche Mikrofabrikation und ermöglichen eine präzise Geräteleistung. Die einzigartigen Eigenschaften dieses Substrats garantieren außerdem minimale Defekte und eine ausgezeichnete Haltbarkeit, was es in Industrie, Forschung und Handel unverzichtbar macht, wo Genauigkeit und Zuverlässigkeit für die Entwicklung von Produkten der nächsten Generation entscheidend sind.

1. industrielle Anwendungen

-Anwendung 1: Einsatz bei der Herstellung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), wobei die kristallografische Konsistenz des Substrats für die hochpräzise Herstellung von Bauteilen genutzt wird

-Anwendung 2: Integration in Halbleiterfertigungsprozesse, um eine stabile Leistung unter hohen Temperaturen und anspruchsvollen Bedingungen zu gewährleisten

2) Forschungsanwendungen

-Anwendung 1: Grundlage für nanotechnologische Experimente, die eine defektfreie Oberfläche erfordern, die für reproduzierbare Ergebnisse entscheidend ist

-Anwendung 2: Entwicklung fortschrittlicher Sensorprototypen, die die hervorragenden intrinsischen Eigenschaften des Substrats für eine genaue Datenerfassung nutzen

3. kommerzielle Anwendungen

-Anwendung 1: Verpackungen mit hoher Dichte in der Unterhaltungselektronik, die von der gleichmäßigen Dicke und den hervorragenden Leitungseigenschaften profitieren

-Anwendung 2: Herstellung optischer Komponenten für die Displaytechnologie, wobei die minimale Oberflächenrauhigkeit für hervorragende Klarheit genutzt wird

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm Verpackung

Jedes 10x10 mm Silizium-(Si-)Kristallsubstrat wird in einem antistatischen, gepolsterten Halter verpackt, der eine maximale Stoßdämpfung gewährleistet. Diese Halterung wird dann in einem reinraumtauglichen Beutel vakuumversiegelt, um das Eindringen von Staub zu verhindern. Um die Reinheit zu erhalten, sollte die versiegelte Verpackung in einer trockenen, kontrollierten Umgebung gelagert werden. Weitere Maßnahmen zum Schutz vor Kontamination sind die Verwendung von Handschuhen und Laminar-Flow-Bänken während der Handhabung. Kundenspezifische Verpackungslösungen, wie Waferträger oder mehrlagige Einsätze, sind auf Anfrage erhältlich.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium(Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm?

A1: Silizium (Si)-Kristallsubstrat (100) 10x10 mm hat typischerweise eine kubische Kristallstruktur mit einer (100)-Orientierung, eine hohe Reinheit und einen geringen Anteil an Defekten. Seine Wärmeleitfähigkeit beträgt etwa 150 W/mK bei 300 K, und es weist eine Energiebandlücke von etwa 1,12 eV auf. Dieses Substrat bietet eine ausgezeichnete mechanische Festigkeit, chemische Stabilität und gleichmäßige Dicke für fortschrittliche elektronische und photonische Anwendungen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um die Integrität des Substrats zu erhalten, sollten Sie jedes Stück mit sauberen, fusselfreien Handschuhen oder einer Pinzette anfassen, um Verunreinigungen und Oberflächenbeschädigungen zu vermeiden. Lagern Sie die Substrate bei Umgebungsbedingungen mit minimaler Luftfeuchtigkeit, idealerweise in schützenden Waferboxen oder gepolsterten Behältern. Vermeiden Sie den Kontakt mit aggressiven Chemikalien oder schnelle Temperaturschwankungen, da dies zu Spannungen oder Defekten führen kann. Untersuchen Sie die Substrate regelmäßig auf Verunreinigungen oder Späne, und achten Sie auf eine sorgfältige Kennzeichnung zur Rückverfolgbarkeit und Bestandskontrolle.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium(Si)-Kristallsubstrate (100) 10x10 mm?

A3: Diese Siliziumsubstrate entsprechen in der Regel den SEMI-Normen (Semiconductor Equipment and Materials International) für Waferdicke, Ebenheit und Ausrichtungsgenauigkeit. Sie können nach ISO 9001 zertifiziert sein, was auf strenge Qualitätsmanagementprozesse hinweist. Messtechnische Überprüfungen, wie z. B. Röntgenbeugung (XRD) zur Bestätigung der Kristallorientierung und Reflektivitätsmessungen, gewährleisten die Konsistenz des Substrats. Oberflächenmorphologie- und Defektinspektionen werden gemäß den Branchenspezifikationen durchgeführt. Umfassende Dokumentationen begleiten oft jede Charge, um die Rückverfolgbarkeit und die Produktionsstandards zu bestätigen.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Der aus hochreinem Silizium hergestellte (100) 10x10 mm-Wafer bietet eine außergewöhnlich glatte Oberfläche, die für hochpräzise mikroelektronische Geräte optimal ist. Dieses Substrat weist eine Kristallorientierung von (100) auf, die gleichmäßige elektrische und thermische Eigenschaften über die gesamte quadratische Abmessung gewährleistet, was zu einer gleichbleibenden Leistung und einem geringeren Defektniveau beiträgt.

Dieses Siliziumkristall-Substrat wurde aufgrund seiner ausgezeichneten Wärmeleitfähigkeit ausgewählt und ist in der Lage, die Wärme effizient abzuleiten und die strukturelle Stabilität während komplexer Herstellungsschritte aufrechtzuerhalten. Sein hoher Reinheitsgrad verringert das Kontaminationsrisiko und macht es zu einer idealen Wahl für Anwendungen, bei denen Produktzuverlässigkeit und präziser Signalfluss von größter Bedeutung sind.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das (100) 10x10 mm große Siliziumsubstrat schirmt kritische mikroelektronische Schaltkreise gegen Interferenzen ab und spielt eine zentrale Rolle in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie und der Herstellung medizinischer Geräte. Dieser Kristallwafer unterstützt die Entwicklung von miniaturisierten Sensoren, Präzisionswandlern und spezialisierten optoelektronischen Komponenten und ermöglicht so innovative Lösungen, die rauen Betriebsbedingungen standhalten müssen.

Robuste F&E-Aktivitäten in der Halbleiterforschung sind auf diese hoch standardisierten Wafer angewiesen, um integrierte Schaltungen und photonische Komponenten der nächsten Generation herzustellen. Mit ihrer konsistenten Gitterstruktur und ihrer ausgezeichneten Langzeitzuverlässigkeit tragen diese Siliziumsubstrate zu Durchbrüchen in der Quanteninformatik, fortschrittlichen Bildgebungssystemen und anderen Spitzentechnologien bei, die eine kompromisslose Leistung erfordern.