CY8537 Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) 5x5 mm

Silizium (Si) Kristallsubstrat (110) 5x5 mm Beschreibung

Unser 5 × 5 mm großes Silizium-(110)-Kristallsubstrat wurde für die fortschrittliche Mikrofabrikation und Photonikforschung entwickelt und bietet unübertroffene Präzision und Einheitlichkeit. Die (110) Miller-Index-Ausrichtung dieses Substrats bietet einzigartige anisotrope Eigenschaften, die es für die Entwicklung von Geräten im Nanomaßstab äußerst wertvoll machen. Jedes Substrat wird nach strengen Qualitätsstandards hergestellt, die minimale Oberflächenfehler, geringe Rauheit und außergewöhnliche Reinheit gewährleisten. Dies führt zu einer hervorragenden Epitaxiewachstumsleistung und einem zuverlässigen Betrieb in Umgebungen mit hohen Temperaturen und hoher Belastung. Zu den beliebten Anwendungen gehören mikroelektromechanische Systeme (MEMS), Dünnschichtabscheidung und Sensorentwicklung.

Unser sorgfältiger Produktionsprozess und unsere strengen Qualitätskontrollen gewährleisten eine hervorragende Ebenheit und Maßgenauigkeit. Dieses Substrat ist die perfekte Lösung für Forscher und Ingenieure, die eine stabile und zuverlässige Plattform für ihre anspruchsvollsten Halbleiterprojekte suchen.

Silizium (Si) Kristallsubstrat (110) 5x5 mm Anwendungen

Silizium-(110)-Kristallsubstrate mit einer Größe von 5x5 mm werden wegen ihrer einzigartigen strukturellen Eigenschaften und ihrer gleichmäßigen Kristallorientierung geschätzt, die eine fortschrittliche Geräteleistung ermöglichen. Diese Substrate ermöglichen eine präzise Strukturierung und unterstützen verschiedene Industrie-, Forschungs- und Handelsaktivitäten. Mit ihrer hohen Reinheit und ihren hervorragenden elektrischen Eigenschaften dienen sie als ideale Plattformen für eine Vielzahl von Anwendungen in der Mikroelektronik und der Nanofabrikation.

1. industrielle Anwendungen

-Anwendung 1: Leitfähiges Wafer-Level-Packaging von Hochleistungs-Mikroelektronik, wobei die (110)-Ausrichtung für zuverlässige Verbindungen und minimale Signalverzerrungen genutzt wird.

-Anwendung 2: Hochpräzise Sensoren für die Automobil- und Luft- und Raumfahrtindustrie, die die Stressreaktionscharakteristik der (110)-Ebene für gleichbleibende Zuverlässigkeit nutzen.

-Anwendung 3: Robuste Mikrofabrikation von MEMS-Bauteilen, die eine gleichmäßige Dicke erfordern und stabile mechanische Eigenschaften unter industriellen Betriebsbedingungen gewährleisten.

2. forschungsanwendungen

-Anwendung 1: Epitaxiestudien für fortgeschrittene Halbleiterforschung und -entwicklung unter Verwendung des (110)-Substrats zur Untersuchung von Gitterdehnung und Defektausbreitung.

-Anwendung 2: Prototypen von Quantenbauelementen, bei denen eine präzise Oberflächenausrichtung für eine verbesserte Elektronenbeweglichkeit und geringere Streuung entscheidend ist.

-Anwendung 3: Physikalische Grundlagenexperimente zur Untersuchung der thermischen und elektrischen Transporteigenschaften in wohldefinierten Kristallorientierungen.

3. kommerzielle Anwendungen

-Anwendung 1: Integrierte photonische Komponenten, die die einzigartigen Brechungsindizes der (110)-Ebene für eine effiziente Lichtausbreitung nutzen.

-Anwendung 2: Spezialisierte Dünnfilm- und Schutzschichten, die von einer einheitlichen Substratqualität und verbesserter Haftung profitieren.

-Anwendung 3: Sensoren in der Unterhaltungselektronik (z. B. Druck- oder Berührungssensoren), die die Stabilität des Substrats unter verschiedenen Umgebungsbedingungen nutzen.

Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) 5x5 mm Verpackung

Jedes 5×5 mm große Si (110)-Substrat wird in einer sauberen, statikfreien Umgebung mit gepolsterten, partikelarmen Materialien verpackt, um Sicherheit und Produktintegrität zu gewährleisten. Die Oberflächen werden mit versiegelten, kontaminationshemmenden Schutzfolien vor Feuchtigkeit und Staub geschützt. Der versiegelte Behälter wird bei kontrollierter Temperatur und Feuchtigkeit gelagert, um die Oxidation zu minimieren. Kundenspezifische Optionen, wie z. B. doppellagige, vakuumversiegelte Verpackungen oder Spezialträger, sind ebenfalls erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Versandanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Häufig gestellte Fragen zum Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) 5x5 mm

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Silizium (Si)-Kristallsubstrat (110) 5x5 mm?

A1: Silizium (Si)-Kristallsubstrat mit (110)-Ausrichtung bietet im Vergleich zur häufigeren (100)-Ausrichtung ausgeprägte anisotrope Eigenschaften. Es hat eine kubische Diamantkristallstruktur, einen hohen Reinheitsgrad (oft 99,9999%) und eine Wärmeleitfähigkeit von etwa 150 W/m-K bei Raumtemperatur. Die (110)-Ebene weist eine andere Bruchfestigkeit und eine andere elektronische Bandstruktur auf, wodurch sie sich ideal für die Herstellung spezieller Bauelemente eignet, einschließlich fortschrittlicher Transistorkanäle und mikroelektromechanischer Systeme (MEMS).

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Fassen Sie diese Substrate an ihren Kanten oder mit Reinraumhandschuhen an, um Verunreinigungen und Beschädigungen zu vermeiden. Lagern Sie sie in einer staubfreien, temperaturgeregelten Umgebung, um die Oberflächenintegrität zu erhalten und Oxidation zu vermeiden. Verwenden Sie Schutzträger oder Waferboxen, um sie vor mechanischer Belastung zu schützen. Regelmäßige Inspektionen mit einem Mikroskop oder einem Oberflächenprofilometer werden empfohlen, um die Sauberkeit und die Oberflächenqualität vor jeder Bearbeitung zu bestätigen. Vermeiden Sie übermäßige Kraft oder Biegung, um die Integrität der Kristalle zu erhalten.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Silizium(Si)-Kristallsubstrate (110) 5x5 mm?

A3: Silizium (110)-Substrate entsprechen in der Regel den SEMI M1-Spezifikationen für Wafergeometrie, Ebenheit und Oberflächenqualität. Die Hersteller halten sich häufig an die ISO 9001 für Qualitätsmanagementsysteme, um eine gleichmäßige Produktion und strenge Prüfprotokolle zu gewährleisten. Epitaxie- und Dotierungstoleranzen werden mit Methoden wie der Vier-Punkt-Sondenmessung oder der Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) überprüft. Diese Zertifizierungen garantieren Rückverfolgbarkeit, Reproduzierbarkeit und die Einhaltung internationaler Normen, wodurch sich die Substrate für hochpräzise Forschungs- und Industrieanwendungen eignen.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Die Herstellung eines Siliziumkristallsubstrats (110) 5x5 mm beginnt in der Regel mit dem Wachstum eines hochreinen Siliziumblocks, der dann sorgfältig ausgerichtet und in Scheiben geschnitten wird, um die kristallographische Ebene (110) zu erhalten. Während dieser Schritte werden fortschrittliche Säge- und Polierverfahren angewandt, um die Ebenheit des Substrats zu erhalten, Defekte zu minimieren und seine gleichmäßige Dicke zu bewahren, damit die (110)-Orientierung auf der gesamten Oberfläche von 5x5 mm genau dargestellt wird.

Bei der weiteren Veredelung des Substrats sind Präzisionstechniken von entscheidender Bedeutung. Nach dem Schneiden werden die Oberflächen einer umfassenden Reinigung unterzogen, um Verunreinigungen zu entfernen, gefolgt von Ätzprozessen, die die Glätte des Kristallgitters verbessern. Diese sorgfältige Vorgehensweise trägt dazu bei, gleichbleibende elektrische und mechanische Eigenschaften aufrechtzuerhalten, so dass das Silizium(Si)-Kristallsubstrat (110) 5x5 mm den hohen Anforderungen spezieller Anwendungen in der Mikroelektronik und Nanotechnologie gerecht wird.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das Siliziumkristallsubstrat (110) 5x5 mm wird in großem Umfang in elektronischen Geräten der nächsten Generation verwendet, wo die kristallografische Ausrichtung bestimmte elektrische Eigenschaften für bestimmte Transistorkonfigurationen bietet. Seine präzise strukturelle Ausrichtung unterstützt auch fortschrittliche Sensortechnologien, insbesondere bei der Herstellung von MEMS-Bauteilen und hochentwickelten Photodetektoren.

Die robuste Leistung unter schwierigen Bedingungen macht dieses Substrat ideal für andere hochpräzise Bereiche wie die Optoelektronik und das Quantencomputing. Durch die Nutzung der erhöhten Ladungsträgerbeweglichkeit der kristallographischen (110)-Ebene können Ingenieure Komponenten mit höherer Geschwindigkeit und Empfindlichkeit entwickeln und damit Innovationen in einer Reihe von Spitzenindustrien vorantreiben.