CY8303 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) Durchm. 50,8 mm x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) Durchm. 50,8 mm x 0,5 mm Beschreibung

Aluminiumoxid (Al₂O₃) Saphirkristall-Substrate zeichnen sich durch außergewöhnliche mechanische Festigkeit, chemische Stabilität und hohe Wärmeleitfähigkeit aus, was sie zu einer idealen Grundlage für verschiedene Hochleistungsanwendungen macht. Dieses R-Ebene (1-102) Saphir-Substrat hat einen Durchmesser von 50,8 mm und eine Dicke von 0,5 mm und bietet damit eine große Oberfläche und eine gleichmäßige Dicke für das epitaktische Wachstum. Seine einzigartige kristallografische Ausrichtung gewährleistet optimale Eigenschaften für die Herstellung moderner Bauelemente, einschließlich Optoelektronik, Hochfrequenzelektronik und Halbleiterlaser.

Jedes Substrat wird strengen Qualitätskontrollen unterzogen, um die Kristallorientierung, die Politur und die Ebenheit der Oberfläche zu überprüfen. Die nach strengen Industriestandards hergestellten Substrate weisen nur minimale Defekte auf und erbringen selbst bei den anspruchsvollsten Entwicklungen in Forschung und Wirtschaft eine zuverlässige Leistung. Ob für die LED-Produktion oder komplizierte Sensoranordnungen, dieses hochreine Saphirsubstrat liefert zuverlässige Ergebnisse, wenn Präzision und Haltbarkeit am wichtigsten sind.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Anwendungen

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat (Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm) bietet mechanische Festigkeit, optische Klarheit und chemische Inertheit. Dank seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seines geringen dielektrischen Verlusts ist es ideal für anspruchsvolle Prozesse wie das Wachstum von Halbleiterbauelementen und die moderne Optik. Seine präzise Ausrichtung unterstützt auch einzigartige Anwendungen für das Epitaxiewachstum und macht es in verschiedenen Branchen und Forschungsbereichen unverzichtbar.

1. Industrielle Anwendungen

- Anwendung 1: Ideal für Hochtemperaturöfen aufgrund der hervorragenden thermischen Stabilität und Verschleißfestigkeit

- Anwendung 2: Einsatz in rauen chemischen Umgebungen, wo Korrosionsbeständigkeit die Langlebigkeit der Geräte gewährleistet

2. Anwendungen in der Forschung

- Anwendung 1: Dient als stabile Plattform für die R-Ebenen-orientierte Dünnschichtabscheidung in der Halbleiterentwicklung

- Anwendung 2: Ermöglicht präzise optische Experimente und laserbasierte Untersuchungen dank minimaler Streuung und hoher Klarheit

3. Kommerzielle Anwendungen

- Anwendung 1: Bietet robuste Substrate für fortschrittliche Sensortechnologien in der Unterhaltungselektronik

- Anwendung 2: Verbessert die Haltbarkeit optischer Komponenten, die in medizinischen und bildgebenden Geräten verwendet werden

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Verpackung

Diese Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate sind in schützenden Kunststoffbehältern mit Schaumstoffeinlagen verpackt, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Eine vakuumversiegelte oder stickstoffgespülte Umgebung hilft, das Eindringen von Feuchtigkeit und Partikeln zu reduzieren. Lagern Sie die Substrate in einem sauberen, temperaturgeregelten Raum mit stabiler Luftfeuchtigkeit. Zusätzliche Maßnahmen zum Schutz vor Kontamination, wie versiegelte Beutel, sorgen für Sauberkeit. Zu den Anpassungsmöglichkeiten gehören alternative Dicken, Oberflächenbehandlungen und Sondergrößen für spezielle Anforderungen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristall-Substrat, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A1: Das Al2O3 R-plane Saphir-Substrat ist bekannt für seine hervorragende thermische Stabilität, hohe mechanische Festigkeit, ausgezeichnete chemische Beständigkeit und optimale optische Transparenz. Es besteht hauptsächlich aus einkristallinem Aluminiumoxid und bietet eine Mohs-Härte von 9, eine hervorragende Oberflächenebenheit und einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Diese R-Ebenen-Orientierung richtet die Kristallebenen für die moderne Epitaxie präzise aus und gewährleistet eine minimale Gitterfehlanpassung bei Molekularstrahlepitaxie- oder Dünnschichtabscheidungsprozessen.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Verwenden Sie bei der Handhabung dieser präzisen Saphirsubstrate stets Reinraumhandschuhe und vermeiden Sie übermäßigen mechanischen Druck, um Kratzer oder Absplitterungen zu vermeiden. Lagern Sie sie in antistatischen, staubfreien Behältern mit unterstützender Polsterung, um die Unversehrtheit der Oberfläche zu erhalten. Sorgen Sie für eine stabile Umgebung mit niedriger Luftfeuchtigkeit und minimalen Temperaturschwankungen, um die Belastung zu verringern. Eine gründliche Reinigung mit zugelassenen Lösungsmitteln oder Reinstwasser vor der Verwendung wird dringend empfohlen.

F3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A3: Die Hersteller halten sich in der Regel an die Normen für Qualitätsmanagement nach ISO 9001 und Umweltmanagement nach ISO 14001, um eine einheitliche Produktion und Nachhaltigkeit zu gewährleisten. Jede Charge wird einer strengen Prüfung auf kristallografische Ausrichtung, Oberflächenrauhigkeit und Maßtoleranzen unterzogen, um die Einhaltung von Industriestandards zu gewährleisten. Die Produktion entspricht häufig den MIL-STD- oder gleichwertigen Spezifikationen für optische Flachmaterialien, die eine gleichmäßige Dicke, minimale Verunreinigungen und eine stabile Leistung für moderne Halbleiter-, Photonik- oder Forschungsanwendungen garantieren.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Bei der Herstellung des Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrats, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm. Das hochreine Aluminiumoxid-Rohmaterial wird sorgfältig geschmolzen und mit Hilfe fortschrittlicher Kristallzüchtungstechniken, wie Czochralski oder kantendefiniertem Filmwachstum, gerichtet verfestigt. Dieser Schritt gewährleistet eine einheitliche Molekularanordnung, die eine konsistente elektrische und optische Leistung über die gesamte Oberfläche mit einem Durchmesser von 50,8 mm unterstützt.

Um die Ausrichtung in der R-Ebene zu erreichen, wenden erfahrene Techniker präzise Schneidmethoden an, die Substrate mit der (1-102) kristallinen Ausrichtung ergeben. Nach dem Schneiden wird jeder Wafer geläppt und in immer feineren Stufen poliert, bis die Oberflächenrauhigkeit den strengen Spezifikationen entspricht. Das Endergebnis ist ein 0,5 mm dickes Substrat, das sich durch eine außergewöhnliche strukturelle Integrität auszeichnet und sich daher besonders gut für anspruchsvolle Dünnschicht- und Geräteherstellungsprozesse eignet.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm ist zu einem integralen Bestandteil der Technologien der nächsten Generation geworden. Seine bemerkenswerte mechanische Härte und stabile kristalline Ausrichtung ermöglichen eine höhere Zuverlässigkeit in der Luft- und Raumfahrtinstrumentierung und einer Vielzahl von laserbasierten optischen Systemen. Darüber hinaus sind sein geringer dielektrischer Verlust und seine hohe Wärmeleitfähigkeit von unschätzbarem Wert für Hochfrequenz-Mikrowellengeräte.

In mehreren Hochleistungssektoren wird dieses R-Plane-Saphir-Substrat für den Bau robuster Sensorplattformen und Leistungskomponenten verwendet. Seine Dicke von 0,5 mm ermöglicht komplizierte Mikrofabrikationsschritte, die zu kleineren, effizienteren Produkten führen. Forscher, die neuartige Gerätearchitekturen erforschen, profitieren auch von der einzigartigen Ausrichtung des Substrats, die ein hervorragendes epitaktisches Dünnschichtwachstum ermöglicht, was letztlich zu Innovationen in fortschrittlichen Industrieanwendungen führt.