CY8302 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm Beschreibung

Dieses hochreine Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat ist präzise entlang der R-Ebene (1-102) ausgerichtet und misst 10 x 10 x 0,5 mm. Saphir ist für seine außergewöhnliche Härte und mechanische Festigkeit bekannt und bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und chemische Stabilität, wodurch es sich ideal für anspruchsvolle Forschungs- und Industrieanwendungen eignet. Sein geringer dielektrischer Verlust und seine hervorragende optische Klarheit ermöglichen eine zuverlässige Leistung in Sensoren, Lasersystemen und anderen hochpräzisen Geräten.

Jedes Substrat wird einer strengen Qualitätskontrolle unterzogen, um eine minimale Oberflächenrauhigkeit und eine nahezu perfekte Kristallstruktur zu gewährleisten. Unser umfassender Polierprozess entspricht den strengen Industriestandards und ebnet den Weg für eine optimale Materialleistung und eine effiziente Integration in modernste Elektronik und Optoelektronik. Ob bei der Abscheidung von Dünnschichten oder bei der fortschrittlichen Mikrofabrikation, dieses sorgfältig gefertigte Saphirsubstrat bietet stets eine unübertroffene Haltbarkeit und Zuverlässigkeit.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm Anwendungen

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat (Al2O3 R-Plane 1-102) ist ein hochwertiges, kristallines Material, das für seine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, Wärmeleitfähigkeit und chemische Stabilität geschätzt wird. Mit einer Standarddicke von 0,5 mm und einer einheitlichen Geometrie sind diese Substrate ideal für verschiedene fortschrittliche Anwendungen. Ihre optische Klarheit und ihre hervorragenden dielektrischen Eigenschaften machen sie außerdem zu einem erstklassigen Kandidaten für Spitzenforschung und kommerzielle Innovationen.

1. Industrielle Anwendungen

- Hochtemperatur-Elektronikfertigung: Die überlegene Wärmeleitfähigkeit und chemische Stabilität des Substrats ermöglichen eine zuverlässige Leistung in Umgebungen mit extremer Hitze.

- Abriebfeste Schutzschichten: Seine außergewöhnliche Härte reduziert Abrieb und Kratzer, was zu einer längeren Lebensdauer von Industrieteilen führt.

2. Anwendungen in der Forschung

- Studien zum epitaktischen Wachstum: Die Ausrichtung in der R-Ebene bietet eine einzigartige Gitterstruktur, die eine präzise Schichtabscheidung für die materialwissenschaftliche Forschung ermöglicht.

- Entwicklung von Lichtwellenleitern: Die Klarheit des Kristalls und die kontrollierte Dicke unterstützen Experimente in der modernen Photonik und Lasertechnologie.

3. Kommerzielle Anwendungen

- Hochleistungs-LED-Substrat: Die hervorragenden Wärmemanagementeigenschaften des Substrats verbessern die Effizienz und Haltbarkeit von Beleuchtungsprodukten.

- Kristalle für Luxusuhren: Seine Kratzfestigkeit und optische Transparenz gewährleisten eine hervorragende Klarheit und langlebige Oberflächen für hochwertige Zeitmesser.

Aluminiumoxid-Saphirglas-Substrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm Verpackung

Jedes Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm ist einzeln in einem gepolsterten, statikbeständigen Beutel verpackt, um Beschädigungen zu vermeiden. Die versiegelten Substrate werden in robusten Kunststoffbehältern gelagert, um sie vor Verunreinigungen zu schützen. Für eine optimale Lagerung ist eine trockene, temperaturkontrollierte Umgebung zu gewährleisten. Verwenden Sie bei der Handhabung Reinraumprotokolle, um Verunreinigungen zu vermeiden. Kundenspezifische Verpackungsmaße oder Beschriftungsoptionen sind auf Anfrage erhältlich.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm?

A1: Diese R-Plane-Saphir-Substrate zeichnen sich durch hohe chemische Inertheit, hervorragende Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchschlagsfestigkeit aus. Sie haben eine nominale kristallographische Orientierung von (1-102) und weisen eine Härte von 9 auf der Mohs-Skala auf. Die Abmessungen von 10 x 10 x 0,5 mm gewährleisten eine minimale Durchbiegung und eine geringe Gitterfehlanpassung für verschiedene Epitaxieschichten. Ihre optische Transparenz reicht bis in den Infrarotbereich, wodurch sie sich für optische, elektronische und Hochtemperaturanwendungen eignen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Dieses Substrat sollte mit sauberen, fusselfreien Handschuhen angefasst werden, um Verunreinigungen und Kratzer zu vermeiden. Lagern Sie es in einer staubfreien Umgebung mit minimalen Vibrationen, idealerweise in einem Waferträger oder versiegelten Behälter. Vermeiden Sie den Kontakt mit sauren oder alkalischen Lösungen, da ein längerer Kontakt die Oberflächenqualität beeinträchtigen kann. Halten Sie eine moderate Luftfeuchtigkeit und Temperatur aufrecht, um Kondensationsprobleme zu vermeiden und die mechanische und optische Integrität des Substrats zu erhalten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, Al2O3 R-Plane (1-102) 10 x 10 x 0,5 mm?

A3: Diese Saphir-Substrate entsprechen in der Regel den ISO 9001-Qualitätsmanagementsystemen für Herstellung und Prüfung. Sie werden mit streng kontrollierten kristallographischen Orientierungstoleranzen, Oberflächenrauheitsspezifikationen und Dickenvariationen hergestellt, um die Normen der Halbleiterindustrie zu erfüllen. Jede Charge kann auch mit einem Konformitätszertifikat versehen werden, das die Maßgenauigkeit, Ausrichtung und Reinheit bestätigt. Die Hersteller führen häufig strenge optische und mechanische Tests durch, um eine gleichbleibende Leistung zu gewährleisten.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat in der R-Ebene (1-102) wird wegen seiner außergewöhnlichen Härte und chemischen Inertheit sehr geschätzt und bietet erhebliche Vorteile für modernste technologische Anwendungen. Es behält seine stabile Leistung in extremen Temperaturbereichen bei und eignet sich daher hervorragend für den Einsatz in rauen Forschungs- und Produktionsumgebungen. Die Ausrichtung dieses Substrats verbessert zudem seine strukturelle Integrität und gewährleistet ein minimales Risiko von Rissen oder Verformungen während anspruchsvoller Herstellungsprozesse.

Dieses auf eine kompakte Abmessung von 10 x 10 x 0,5 mm zugeschnittene R-Plane-Saphir-Substrat zeichnet sich außerdem durch optische Klarheit und Wärmeleitfähigkeit aus und unterstützt ein effizientes Wärmemanagement in Hochfrequenzanwendungen. Mit seiner mechanischen Belastbarkeit und seinen stabilen dielektrischen Eigenschaften ist es eine erstklassige Wahl für Forscher und Ingenieure, die konsistente Ergebnisse in anspruchsvollen Halbleiter- oder Photonikgeräten erzielen wollen.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Zu den speziellen Anwendungen von Saphir-Substraten der R-Ebene gehört der Einsatz in der Medizintechnik, wo gleichbleibende Qualität und Langlebigkeit für empfindliche diagnostische Instrumente unerlässlich sind. Die kontrollierten kristallographischen Eigenschaften von Al2O3 begünstigen die nahtlose Integration in Lasersysteme, Mikroskope und andere Hochpräzisionsgeräte und tragen zur Maximierung der Betriebsstabilität und des Durchsatzes bei. Infolgedessen verlassen sich zahlreiche moderne Produktionslinien auf diese Substrate, um eine präzise und zuverlässige Leistung zu gewährleisten.

Ein großer Teil der Automobil- und Luftfahrtindustrie setzt diese Substrate in Sensoranwendungen ein, wo ihre robuste Beschaffenheit den unter anspruchsvollen Bedingungen auftretenden Schwingungs- und Stoßbelastungen entgegenwirkt. Von hocheffizienten optischen Sensoren bis hin zu hochmodernen mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) erfüllt das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat in der R-Ebene (1-102) stets die strengen Anforderungen an Zuverlässigkeit und Maßgenauigkeit und sorgt so für optimale Ergebnisse in unternehmenskritischen Technologien.