CY8301 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Beschreibung

Unser Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat (Al₂O₃) in der Konfiguration R-Ebene (1-102) bietet außergewöhnliche Steifigkeit, thermische Stabilität und optische Klarheit. Mit einer Größe von 5 x 5 x 0,5 mm gewährleistet dieses Substrat eine einheitliche Kristallstruktur, die die Leistung der Geräte sowohl in der Forschung als auch in der Produktion optimiert. Mit einer ausgezeichneten Dielektrizitätskonstante und hoher Korrosionsbeständigkeit ist es ideal für Hochtemperaturanwendungen und raue Betriebsbedingungen.

Jedes Substrat wird nach strengen Qualitätsstandards hergestellt und weist eine präzise Dickenkontrolle und minimale Oberflächendefekte auf, so dass von Charge zu Charge gleichbleibende Ergebnisse gewährleistet sind. Die Ausrichtung der R-Ebene bietet einzigartige Gittereigenschaften, die bei Epitaxieverfahren für LEDs, Laser und andere optoelektronische Komponenten von Vorteil sind. Entscheiden Sie sich für unser Saphirglas-Substrat, weil es sich als zuverlässig erwiesen hat, so dass Sie mit Zuversicht Spitzentechnologie entwickeln können.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Anwendungen

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Ebene (1-102) mit den Maßen 5 x 5 x 0,5 mm bietet außergewöhnliche mechanische Festigkeit, thermische Stabilität und optische Klarheit, was es in zahlreichen Bereichen unverzichtbar macht. Seine maßgebliche Rolle bei fortschrittlichen Materialanwendungen ergibt sich aus seinem geringen dielektrischen Verlust, seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seiner chemischen Inertheit. Im Folgenden werden nur einige potenzielle Verwendungsmöglichkeiten für dieses robuste und vielseitige Substrat genannt.

1. Industrielle Anwendungen

- Verpackung auf Wafer-Ebene: Die hervorragenden thermischen und mechanischen Eigenschaften des R-Plane-Saphirsubstrats ermöglichen stabile Wafer-Bonding-Prozesse in der Mikroelektronik.

- Produktion von hochintensiven LEDs: Seine optische Klarheit und hohe Temperaturtoleranz sorgen für eine effiziente Wärmeableitung und eine längere Lebensdauer der Geräte.

2. Anwendungen in der Forschung

- Heteroepitaxiale Wachstumsversuche: Die einzigartige Gitterstruktur unterstützt das Wachstum von verschiedenen Verbindungshalbleitern und fördert die Entwicklung neuer Materialien.

- Prototypen für Quantencomputer: Geringer dielektrischer Verlust und chemische Stabilität eröffnen neue Möglichkeiten für Schaltkreisresonatoren in Quantenbits.

3. Kommerzielle Anwendungen

- Lasertaugliche Optiken: Dank ihrer außergewöhnlichen Transparenz und Haltbarkeit eignen sich diese Substrate perfekt für fortschrittliche optische Geräte in Verbraucherprodukten.

- Schützende Oberflächen: Hervorragende Kratzfestigkeit und Härte verlängern die Lebensdauer von Produkten, insbesondere bei hochwertigen Handheld-Elektronikgeräten.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm Verpackung

Jedes Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat ist in einer mit Schaumstoff ausgekleideten Schutzhülle verpackt, die es vor physischen Schäden schützt. Die Substrate sind in antistatischen Beuteln versiegelt, um eine Kontamination zu minimieren. Sie sollten in einer sauberen, feuchtigkeitskontrollierten Umgebung unter 40 % RH gelagert werden. Zusätzliche Filterschichten sorgen für eine minimale Partikelbelastung. Von Dickenvariationen bis hin zu kundenspezifischen Formen sind zahlreiche Anpassungsoptionen verfügbar, um spezifische Projektanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm?

A1: Aluminiumoxid-Saphir (Al2O3) R-Plane-Substrate zeichnen sich durch hervorragende mechanische Festigkeit und chemische Stabilität aus. Mit einer Härte von 9 auf der Mohs-Skala sind sie kratzfest und widerstehen hohen Temperaturen bis zu 2000°C. Sie zeichnen sich durch eine gute Wärmeleitfähigkeit (ca. 30 W/mK) und einen geringen dielektrischen Verlust aus und weisen außerdem eine hohe optische Transparenz im IR-, sichtbaren und UV-Bereich auf. Diese Eigenschaften machen sie ideal für optoelektronische Anwendungen.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um eine sichere Handhabung zu gewährleisten, tragen Sie immer puderfreie Handschuhe und verwenden Sie eine saubere Pinzette, wenn Sie das Substrat bearbeiten. Vermeiden Sie direkten Kontakt mit der Oberfläche, um Verunreinigungen und Kratzer zu vermeiden. Lagern Sie jedes Substrat in einem speziellen Waferträger oder Schutzbehälter, geschützt vor Feuchtigkeit und Staub. Halten Sie eine stabile Temperaturumgebung aufrecht, um einen Temperaturschock zu vermeiden. Überprüfen und reinigen Sie das Substrat regelmäßig, um die Leistung aufrechtzuerhalten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, Al2O3 R-Plane (1-102) 5 x 5 x 0,5 mm?

A3: Diese Substrate erfüllen in der Regel strenge Industriestandards wie ISO 9001 für Qualitätsmanagement und ISO 14001 für Umweltverantwortung. Die Zulieferer führen häufig strenge optische und kristallografische Prüfungen durch, darunter Messungen der Oberflächenrauheit, Röntgenbeugungsanalysen und Orientierungsprüfungen. Zertifizierungen auf Chargenebene werden für Reinheit, Kristallorientierung und Defektdichte ausgestellt. Diese Standards gewährleisten eine gleichbleibende Leistung für anspruchsvolle optoelektronische und Halbleiteranwendungen.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das aus hochreinem Aluminiumoxid gefertigte Al2O3 R-Plane (1-102) Saphir-Kristallsubstrat misst 5 x 5 x 0,5 mm und gewährleistet eine außergewöhnlich gleichmäßige Oberfläche. Diese spezifische Ausrichtung führt zu einer stabilen kristallographischen Struktur, die Hochtemperaturprozessen standhält und sich daher besonders gut für komplexes Epitaxiewachstum eignet.

Ein weiterer bemerkenswerter Vorteil dieses R-Ebenen-Substrats ist seine hervorragende Wärmeleitfähigkeit, die eine effektive Wärmeableitung bei anspruchsvollen Anwendungen ermöglicht. Der niedrige dielektrische Verlust in Verbindung mit der hohen mechanischen Festigkeit ermöglicht die Integration empfindlicher Halbleiterschichten und bietet gleichzeitig die notwendige Steifigkeit für die Herstellung anspruchsvoller Bauelemente.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Dieses 5 x 5 x 0,5 mm große Saphirkristall-Substrat wird häufig bei der Herstellung von optoelektronischen Hochleistungsgeräten verwendet und findet breite Akzeptanz in Spitzenforschungseinrichtungen. So ebnet die R-Ebenen-Ausrichtung beispielsweise den Weg für die Entwicklung spezieller Laserdioden, Sensor-Arrays und integrierter optischer Schaltungen.

Ebenso entscheidend ist ihr Beitrag zu Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungssystemen, wo robuste Materialien für extreme Umweltbedingungen unerlässlich sind. Das Al2O3-Substrat mit R-Ebene bietet Stabilität in rauen Umgebungen und ermöglicht so die innovative Entwicklung fortschrittlicher Zielsysteme, Sensoren und robuster Komponenten, die eine außergewöhnliche thermische und mechanische Stabilität erfordern.