CY8294 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Beschreibung

Dieses aus einer einkristallinen Al₂O₃-Struktur gefertigte C-Plane (0001) Saphir-Substrat gehört zu den robustesten Lösungen für Hochleistungsgeräte. Mit einem Durchmesser von 50,8 mm und einer Dicke von 0,5 mm bietet es außergewöhnliche mechanische Festigkeit, chemische Inertheit und hervorragende thermische Stabilität. Diese Eigenschaften machen es ideal für fortschrittliche Anwendungen wie die LED-Epitaxie, Mikroelektronik und optische Systeme. Die hohe Dielektrizitätskonstante und die geringen dielektrischen Verluste erleichtern zudem den Einsatz im Hochfrequenzbereich.

Unter Einhaltung der strengen Industriestandards wird jedes Substrat strengen Tests unterzogen, um eine gleichbleibende Qualität und minimale Oberflächenfehler zu gewährleisten. Polierte Oberflächen garantieren ein gleichmäßiges Epitaxiewachstum und eine einfache Integration in komplexe Bauteilstrukturen. Verlassen Sie sich auf diese Al₂O₃ C-Ebene Saphir-Wafer für zuverlässige Leistung, verbesserte Geräteeffizienz und unübertroffene Haltbarkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Anwendungen

Das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat (Al2O3) C-Ebene (0001) Ø. 50,8 mm x 0,5 mm wird wegen seiner außergewöhnlichen optischen Klarheit, seiner unglaublichen Härte und seiner hervorragenden thermischen Stabilität sehr geschätzt. Diese Eigenschaften machen es zu einem unverzichtbaren Material in zahlreichen Branchen, das die Spitzenforschung und die kommerzielle Produktentwicklung unterstützt. Seine Fähigkeit, rauen Umgebungen zu widerstehen und dabei die optische Transparenz beizubehalten, macht es besonders wertvoll für Geräte, die unter anspruchsvollen Bedingungen zuverlässig funktionieren müssen.

1. Industrielle Anwendungen

- Schutzfenster für Hochtemperaturgeräte, die die hervorragende thermische Stabilität des Substrats nutzen

- Verschleißfeste Komponenten, die in rauen Industrieumgebungen eingesetzt werden und von der außergewöhnlichen Härte von Saphir profitieren

2. Anwendungen in der Forschung

- Substrat für die Halbleiterforschung, das eine stabile Plattform für Epitaxiewachstum und fortgeschrittene Materialstudien bietet

- Prüfstände für optische Komponenten in Spektroskopieexperimenten, die von den hohen Transmissionseigenschaften des Kristalls profitieren

3. Kommerzielle Anwendungen

- Kratzfeste Uhrengläser, die die robuste mechanische Festigkeit von Saphir nutzen

- Hochwertige Kameralinsen, die sich die bemerkenswerte Klarheit und geringe Doppelbrechung zunutze machen

Aluminiumoxid-Saphirglas-Substrat, Al2O3 C-Ebene (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm Verpackung

Jedes Al2O3 C-plane (0001) Saphir-Substrat (50,8 mm Durchmesser x 0,5 mm dick) ist sorgfältig in einer antistatischen, vakuumversiegelten Verpackung mit Schaumstoffpolsterung verpackt, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Die Substrate sollten in einer sauberen, feuchtigkeitsarmen Umgebung gelagert werden, um Verunreinigungen zu minimieren. Wir verwenden versiegelte Kunststoffbehälter mit Trockenmittelpackungen für optimale Trockenheit. Kundenspezifische Beschriftungsoptionen und Verpackungskonfigurationen sind verfügbar, um spezifische Handhabungsanforderungen zu erfüllen und sicherzustellen, dass jedes Substrat für eine präzise Anwendung makellos bleibt.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm FAQs

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A1: Saphir-Substrate aus Aluminiumoxid (Al2O3) bieten eine außergewöhnliche Härte (9 auf der Mohs-Skala), eine hohe Wärmeleitfähigkeit (25-35 W/mK) und eine ausgezeichnete chemische Stabilität. Die C-Ebenen-Orientierung (0001) wird für das epitaktische Wachstum bevorzugt und gewährleistet ein gut definiertes Oberflächengitter. Aufgrund der niedrigen Dielektrizitätskonstante und der hervorragenden optischen Übertragung werden diese Substrate häufig in mikro- und optoelektronischen Anwendungen eingesetzt. Der Durchmesser von 50,8 mm und die Dicke von 0,5 mm entsprechen den Anforderungen der Industrienorm für Wafer.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Aufgrund seiner Sprödigkeit und der präzisen Oberflächen sollte das Substrat in einer Reinraumumgebung mit fusselfreien Handschuhen und nicht scheuernden Werkzeugen gehandhabt werden. Um Kratzer oder Verunreinigungen zu vermeiden, lagern Sie jeden Wafer in einem schützenden Träger oder einer Kassette, getrennt durch weiche Zwischenlagen. Halten Sie die Temperatur und Luftfeuchtigkeit konstant und vermeiden Sie den direkten Kontakt mit bloßen Händen oder aggressiven Chemikalien, um die Integrität der Kristalle zu erhalten.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) Dia. 50,8 mm x 0,5 mm?

A3: Für Saphirwafer in Halbleiterqualität gelten in der Regel die Qualitätssysteme ISO 9001 für die gesamte Fertigung und das Qualitätsmanagement sowie ISO 14001 für Umweltpraktiken. In einigen Fällen halten sich die Hersteller an SEMI-Normen, die sich auf die Wafergeometrie, die Ebenheit und die Oberflächenqualität beziehen. Viele Zulieferer führen auch strenge interne Messverfahren wie Röntgenbeugung, Oberflächenrauhigkeitsmessungen und Fehlerprüfungen durch, um sicherzustellen, dass diese Substrate die strengen mikro- und optoelektronischen Spezifikationen erfüllen.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Der Herstellungsprozess für ein Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001), Dia. 50,8 mm x 0,5 mm beginnt mit der Herstellung eines hochreinen Saphir-Blocks. Mittels sorgfältig kontrollierter Techniken, zu denen häufig die Verneuil- oder Czochralski-Methode gehört, wird der Kristall gezüchtet, um strukturelle Unvollkommenheiten und Verunreinigungen zu minimieren. Sobald der Block geformt ist, wird er präzise in Scheiben mit dem erforderlichen Durchmesser von 50,8 mm geschnitten und gründlichen Oberflächenschleifschritten unterzogen, die dazu beitragen, eine optimale Dicke von 0,5 mm zu erreichen.

Nach Abschluss der Formgebungsschritte wird das Substrat einer sorgfältigen Läpp- und Poliersequenz unterzogen, um eine makellose Oberfläche zu erhalten. Durch den Einsatz spezieller Poliermittel und fortschrittlicher Geräte sorgen die Hersteller für eine minimale Oberflächenrauheit, die für die spätere Herstellung der Geräte entscheidend ist. Das polierte Substrat wird anschließend getestet, um die kristallografische Ausrichtung entlang der C-Ebene (0001) zu bestätigen und so die Einheitlichkeit und Konsistenz der Produktionschargen zu gewährleisten.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

Spitzensektoren wie die Optoelektronik, die Mikroelektronik und die Präzisionsinstrumentierung verlassen sich häufig auf diese Art von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, um eine hervorragende Geräteleistung zu erzielen. Seine robuste strukturelle Integrität und tadellose kristalline Ausrichtung ermöglichen eine minimale Belastung während des epitaktischen Wachstums von Halbleitern wie Galliumnitrid (GaN). Diese Zuverlässigkeit macht das Substrat besonders nützlich für die Herstellung von Hochfrequenz-Funkgeräten und LEDs mit verbesserter Effizienz und Wärmemanagement.

Bei der Verarbeitung auf Waferebene spielen die außergewöhnliche thermische Stabilität und chemische Inertheit des Substrats eine entscheidende Rolle für die Zuverlässigkeit der Geräte. In der Leistungselektronik trägt seine Fähigkeit, hohe Temperaturen ohne Verformung oder Beeinträchtigung zu verkraften, zu einer verlängerten Betriebslebensdauer bei. Darüber hinaus bieten der Durchmesser von 50,8 mm und die Dicke von 0,5 mm Kompatibilität mit Industriestandard-Verarbeitungsgeräten, was den Anwendungsbereich in der modernen Nanotechnologie- und Photonikforschung noch erweitert.