CY8293 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Ebene (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Beschreibung

Erleben Sie unübertroffene Leistung und Zuverlässigkeit mit unserem Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat mit der Ausrichtung der Al2O3 C-Ebene (0001) in einer präzisen Abmessung von 10 x 10 x 0,5 mm. Dieses Saphir-Substrat ist für seine außergewöhnliche Härte und hohe Wärmeleitfähigkeit bekannt und bietet eine hervorragende mechanische Festigkeit und chemische Inertheit, was es zur idealen Wahl für fortschrittliche Halbleiter-, Optoelektronik- und Hochtemperaturanwendungen macht. Seine optische Transparenz im UV- bis Nahinfrarotbereich und seine hervorragenden dielektrischen Eigenschaften erweitern seine Vielseitigkeit für eine Vielzahl von Forschungs- und Industrieprojekten.

Jedes Substrat wird unter strengen Qualitätskontrollen hergestellt und durchläuft strenge Polierprozesse, um minimale Oberflächenrauhigkeit und optimale Ebenheit zu gewährleisten. Dies garantiert eine stabile Plattform für das Epitaxiewachstum und eine gleichbleibende Leistung über alle Produktionszyklen hinweg. Vertrauen Sie darauf, dass unser Saphirglas-Substrat die höchsten Industriestandards erfüllt und hervorragende Ergebnisse in anspruchsvollen technologischen Umgebungen erzielt.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Anwendungen

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, wie das Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm, werden für ihre bemerkenswerte thermische Stabilität, außergewöhnliche mechanische Festigkeit und hohe optische Klarheit geschätzt. Ihre einzigartige kristalline Struktur gewährleistet eine minimale Gitterfehlanpassung, wodurch sie sich ideal für Dünnschichtwachstumsprozesse eignen. Diese kombinierten Eigenschaften ermöglichen eine zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen und unterstützen zahlreiche Anwendungen in Industrie, Forschung und Handel.

1. Industrielle Anwendungen

- Anwendung 1: Hochtemperatur-Ofenauskleidungen, die die hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Stabilität des Substrats nutzen.

- Anwendung 2: Abriebfeste Komponenten für Hochleistungsmaschinen, bei denen Härte und Haltbarkeit entscheidend sind.

2. Anwendungen in der Forschung

- Anwendung 1: Substrat für das epitaktische Filmwachstum in der Halbleiterforschung, das von der geringen Gitterfehlanpassung des Kristalls profitiert.

- Anwendung 2: Plattform für fortschrittliche Optikforschung, die von der hohen optischen Klarheit und dem konstanten Brechungsindex profitiert.

3. Kommerzielle Anwendungen

- Anwendung 1: Saphirfenster für Instrumente in der Luft- und Raumfahrt, die transparente, kratzfeste Oberflächen bieten.

- Anwendung 2: Substrate für die Herstellung von LED-Geräten, die eine effiziente Wärmeableitung und stabile Leistung gewährleisten.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Verpackung

Jedes Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat ist einzeln in einem sauberen, antistatischen Polyethylenbeutel versiegelt, um es vor Verunreinigungen durch Partikel zu schützen, und dann in mit Schaumstoff ausgekleideten Lagerboxen gesichert, um mechanische Beschädigungen zu vermeiden. Sie sollten in einer kühlen, trockenen und staubfreien Umgebung gelagert werden, vorzugsweise unter Reinraumbedingungen. Kundenspezifische Beschriftungen und zusätzliche Schutzbarrieren sind auf Anfrage erhältlich, um speziellen Anwendungen gerecht zu werden. Jedes Substrat wird mit klaren Handhabungsanweisungen versandt, um eine optimale Reinheit zu gewährleisten.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm?

A1: Aluminiumoxid-Saphir (Al2O3) in der C-Ebenen-Ausrichtung (0001) weist eine ausgezeichnete optische Transparenz von ultravioletten bis zu nahen infraroten Wellenlängen auf. Mit seiner hohen Wärmeleitfähigkeit (25-35 W/m-K) und einer Härte von 9 auf der Mohs-Skala bietet er eine außergewöhnliche Verschleißfestigkeit und Formstabilität. Seine Dielektrizitätskonstante liegt typischerweise bei 11,5 - 11,6, wodurch es sich für anspruchsvolle elektronische und optoelektronische Anwendungen eignet. Außerdem weist es eine bemerkenswerte chemische Stabilität in rauen Umgebungen auf.

F2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um Verunreinigungen und Oberflächenbeschädigungen zu vermeiden, sollte das Substrat nur mit sauberen Handschuhen oder einer nicht-metallischen Pinzette angefasst werden. Der Kontakt mit harten oder scheuernden Oberflächen, die Mikrokratzer verursachen können, ist unbedingt zu vermeiden. Das Substrat sollte in einer sauberen, feuchtigkeitsarmen Umgebung bei Raumtemperatur gelagert werden, vorzugsweise in versiegelten Behältern oder antistatischen Beuteln. Regelmäßige Inspektionen helfen dabei, mögliche Absplitterungen, Risse oder Verunreinigungen frühzeitig zu erkennen.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm?

A3: Diese Substrate entsprechen häufig dem Qualitätsmanagementsystem ISO 9001, um eine konsistente Herstellung und Rückverfolgbarkeit zu gewährleisten. Die Lieferanten können auch Unterlagen vorlegen, die die Einhaltung der RoHS- und REACH-Richtlinien bestätigen und auf einen geringen Gehalt an gefährlichen Stoffen hinweisen. Darüber hinaus werden die Substrate einer strengen Charakterisierung auf kristalline Qualität und Orientierungsgenauigkeit unterzogen, die durch Röntgenbeugung und optische Inspektion überprüft wird. Konformitätszertifikate begleiten in der Regel die Lieferungen, um diese Anforderungen zu bestätigen.

Verwandte Informationen

1. Materialeigenschaften und Vorteile

Das Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm, zeichnet sich durch seine außergewöhnliche Härte und hervorragende optische Klarheit aus. Aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seiner geringen dielektrischen Verluste ist dieses Substrat besonders für Hochfrequenzanwendungen geeignet. Seine einkristalline Struktur reduziert interne Defekte, was eine gleichbleibende Leistung in schwierigen Umgebungen gewährleistet und die Wahrscheinlichkeit von Rissen während der Handhabung minimiert.

Ingenieure schätzen die ausgezeichnete chemische Stabilität dieses Saphir-Substrats, da es den meisten Säuren und Laugen selbst bei hohen Temperaturen widersteht. Diese Beständigkeit führt zu einer längeren Lebensdauer von Geräten, die auf dieser Oberfläche aufgebaut sind, und macht es zu einer erstklassigen Wahl in Branchen, in denen Zuverlässigkeit an erster Stelle steht. Die Kombination aus mechanischer Widerstandsfähigkeit, Klarheit und chemischer Inertheit macht dieses Substrat zu einer zuverlässigen Lösung in Bereichen, die von der Optoelektronik bis hin zu Luft- und Raumfahrtsystemen reichen.

2. Herstellungsverfahren

Hochpräzise Wachstumstechniken sind für die Herstellung von Al2O3 C-Plane (0001) 10 x 10 x 0,5 mm Substraten unerlässlich. Führende Hersteller verwenden häufig Verfahren wie das Kyropoulos- oder das Czochralski-Kristallziehverfahren, die eine äußerst kontrollierte Bildung der Saphirblöcke ermöglichen. Diese Verfahren führen zu einer einheitlichen Kristallstruktur, die erforderlich ist, um Versetzungen zu minimieren und eine gleichbleibende Qualität zu gewährleisten.

Anschließend setzen die Unternehmen fortschrittliche Schneid-, Polier- und Reinigungsprotokolle ein, um die gewünschte Dicke von 0,5 mm zu erreichen und gleichzeitig die Orientierungsgenauigkeit der C-Ebene (0001) zu bewahren. Hochentwickelte Polierschritte sorgen für eine minimale Oberflächenrauhigkeit, die eine optimale Grenzflächenqualität für Epitaxieschichten ermöglicht und so die Ausbeute bei Halbleiter- und optischen Anwendungen verbessert.