CY8292 Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Ebene (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Beschreibung

Unser aus hochwertigem Al2O3 (Aluminiumoxid) hergestelltes Einkristall-Saphir-Substrat ist präzise entlang der C-Ebene (0001) ausgerichtet, um optimale Leistung und Stabilität zu gewährleisten. Mit Abmessungen von 5 x 5 x 0,5 mm bietet dieses Substrat eine außergewöhnliche mechanische Festigkeit, eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und eine hohe Dielektrizitätskonstante, wodurch es sich ideal für fortschrittliche Halbleiter- und optoelektronische Anwendungen eignet.

Jeder Wafer unterliegt strengen Qualitätskontrollmaßnahmen, um minimale Oberflächenfehler und eine branchenführende Ebenheit zu gewährleisten. Das Ergebnis ist eine einheitliche Plattform, die ein hochpräzises epitaktisches Schichtwachstum unterstützt und gleichzeitig stressbedingte Probleme reduziert. Ob bei der Herstellung von LEDs, Laseroptiken oder Hochfrequenz-Elektronikgeräten, unser Saphir-Substrat bietet durchgängig hervorragende Leistung, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit für Technologien der nächsten Generation.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Anwendungen

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, auch bekannt als Al2O3 C-Plane-Substrat, verdankt seine Beliebtheit seiner überragenden Härte, hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und bemerkenswerten optischen Klarheit. Diese 5 x 5 x 0,5 mm große Version bietet eine gleichbleibende Oberflächenqualität, was sie zur bevorzugten Wahl für hochwertige elektronische Komponenten, Lasersysteme und optische Geräte macht. Sein geringer dielektrischer Verlust und seine stabile chemische Struktur erleichtern außerdem die bahnbrechende Forschung in verschiedenen wissenschaftlichen Bereichen und erweitern die Anwendungsmöglichkeiten in zahlreichen Branchen.

1. Industrielle Anwendungen

- Hochtemperatur-Ofenauskleidungen: Die robuste thermische Stabilität und chemische Beständigkeit des Substrats machen es ideal für Ofenkomponenten in anspruchsvollen industriellen Umgebungen.

- Langlebige Laserdiodenbasis: Die außergewöhnliche Härte des Materials und seine Fähigkeit, großer Hitze standzuhalten, gewährleisten den zuverlässigen Betrieb von Laserdioden in der Massenproduktion.

2. Anwendungen in der Forschung

- Dünnschicht-Experimente: Die gut definierte kristallografische Ausrichtung von Saphir verbessert das Wachstum und die Analyse fortschrittlicher Dünnschichten in der materialwissenschaftlichen Forschung.

- Ionenstrahl-Implantationsstudien: Sein geringer dielektrischer Verlust und seine hohe Reinheit unterstützen präzise Ionenstrahlexperimente, die eine genaue Dotierung und Defektuntersuchung ermöglichen.

3. Kommerzielle Anwendungen

- Optische Fenster und Linsen: Aufgrund seiner herausragenden optischen Klarheit eignet es sich für Laser, Beobachtungssysteme und spezielle Abbildungsgeräte.

- Schützende Uhrgläser: Die Kratzfestigkeit und Haltbarkeit von Saphir erhöht die Lebensdauer von Luxusgeräten.

Aluminiumoxid-Saphirglas-Substrat, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Verpackung

Diese Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate mit den Maßen 5 x 5 x 0,5 mm sind sorgfältig in versiegelten, antistatischen Behältern verpackt. Jedes Substrat ist mit säurefreiem Schaumstoff gepolstert und in feuchtigkeitsbeständigen Beuteln vakuumversiegelt, um Verunreinigungen zu vermeiden. Die Verpackung enthält feuchtigkeitsabsorbierende Trockenmittel, um die Trockenheit zu erhalten und das Risiko zu verringern. Lagern Sie sie in einer kühlen, staubfreien Umgebung und schützen Sie sie vor direktem Sonnenlicht. Es sind anpassbare Verpackungsgrößen, Versiegelungsmethoden und Etikettierungsoptionen erhältlich, um spezifische Handhabungs- und Logistikanforderungen zu erfüllen.

Verpackung: Vakuumversiegelt, Holzkiste, oder kundenspezifisch.

Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm FAQ

Q1: Was sind die wichtigsten Materialeigenschaften von Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrat, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm?

A1: Aluminiumoxid (Al2O3) Saphir-Substrate sind bekannt für ihre außergewöhnliche Härte (Mohs 9), hohe thermische Stabilität und starke chemische Beständigkeit. Die C-Ebenen-Orientierung (0001) bietet gut definierte atomare Ebenen, die für das epitaktische Wachstum unerlässlich sind. Mit einer niedrigen Dielektrizitätskonstante und hohen elektrischen Isolationseigenschaften weisen diese Substrate eine minimale Gitterfehlanpassung für viele Verbindungshalbleiter auf, was eine hervorragende Schichtqualität fördert und eine fortschrittliche Geräteleistung ermöglicht.

Q2: Wie sollte dieses Produkt gehandhabt und gelagert werden?

A2: Um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen zu vermeiden, sollten Sie stets Reinraumhandschuhe tragen und Saphirsubstrate mit einer nichtmetallischen Pinzette oder anderen geeigneten Werkzeugen anfassen. Lagern Sie sie in einer kontrollierten Umgebung mit stabiler Temperatur und Luftfeuchtigkeit, normalerweise in einer antistatischen oder vakuumversiegelten Verpackung. Vermeiden Sie scheuernde Oberflächen und halten Sie sie von aggressiven Chemikalien fern. Eine ordnungsgemäße Etikettierung und Bestandsverwaltung gewährleisten die Rückverfolgbarkeit und erhalten die Integrität der Substrate für die weitere Verarbeitung.

Q3: Welche Qualitätsstandards und Zertifizierungen gelten für Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm?

A3: Die meisten namhaften Lieferanten produzieren diese Saphir-Substrate im Rahmen von ISO 9001-zertifizierten Qualitätsmanagementsystemen, die eine konsistente Herstellung und strenge Prozesskontrolle gewährleisten. Sie erfüllen häufig die RoHS- und REACH-Richtlinien und stellen damit sicher, dass keine gefährlichen Stoffe enthalten sind. Darüber hinaus entsprechen die Produkte den SEMI-Spezifikationen für Maßgenauigkeit und Ebenheit der Wafer sowie den ASTM-Normen für Materialreinheit und kristallografische Ausrichtung. Konformitätszertifikate liegen in der Regel jeder Charge bei.

Verwandte Informationen

1. Herstellungsprozess

Der Herstellungsprozess des Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrats, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm, ist von äußerster Präzision geprägt. Jedes Substrat wird zunächst aus hochreinem Aluminiumoxid hergestellt und durchläuft ein kontrolliertes Kristallzüchtungsverfahren, das als Czochralski-Methode bekannt ist. Bei diesem Verfahren überwachen die Züchter kontinuierlich die Schmelztemperaturen und die Geschwindigkeit des Kristallziehens, um eine gleichmäßige Gitterstruktur und eine erstklassige Kristallklarheit zu gewährleisten. Sobald das kristalline Boule geformt ist, wird es sorgfältig mit diamantbestückten Sägen in dünne Wafer geschnitten, wobei makellose Oberflächen erhalten werden, um Defekte zu minimieren. Die so entstandenen Wafer werden dann in einem umfangreichen mehrstufigen Verfahren poliert, um eine hervorragende Ebenheit und optische Transparenz zu erzielen.

Nach dem Schneiden und Polieren folgen gründliche Prüfverfahren, die garantieren, dass jedes 5 x 5 x 0,5 mm große Substrat strenge Maßtoleranzen einhält. Spezialisierte Messgeräte wie Interferometer und Röntgenbeugungsgeräte analysieren die Kristallorientierung und überprüfen die Ausrichtung der C-Ebene (0001). Diese kontrollierten Schritte tragen dazu bei, die einheitliche Gitteranordnung des Substrats zu gewährleisten, die für nachfolgende Abscheidungsprozesse oder epitaktisches Wachstum entscheidend ist. Durch diese verfeinerte Methodik können die Hersteller zuverlässig Substrate mit stabiler mechanischer Festigkeit und thermischer Beständigkeit herstellen, was sie zu einer idealen Grundlage für Hochleistungsanwendungen macht.

2. Anwendungen in fortschrittlichen Industrien

In der fortschrittlichen Halbleiterherstellung werden häufig Aluminiumoxid-Saphir-Kristallsubstrate, Al2O3 C-Plane (0001) 5 x 5 x 0,5 mm Wafer für Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte verwendet. Da Saphir eine bemerkenswerte Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolierung aufweist, bildet er eine hervorragende Plattform für die Entwicklung von Galliumnitrid (GaN) und anderen Materialien mit großer Bandlücke, die in der Leistungselektronik unerlässlich sind. Seine robuste Struktur und Korrosionsbeständigkeit sorgen dafür, dass die empfindlichen Komponenten den anspruchsvollen Bedingungen von Hochspannungs- und Hochstrombetrieb standhalten können, ohne dass die Leistung oder Langlebigkeit beeinträchtigt wird.

Strahlungsharte Elektronik nutzt Saphirsubstrate auch für Luft- und Raumfahrt- sowie Militäranwendungen, bei denen extreme Strahlungsumgebungen ein Problem darstellen. Dank der stabilen Kristallorientierung und der minimalen Defektdichte können diese Substrate ihre Betriebszuverlässigkeit auch unter rauen kosmischen Bedingungen aufrechterhalten. Die Fähigkeit des Materials, chemischem Verschleiß zu widerstehen, in Verbindung mit seiner optischen Klarheit, macht es für optische Geräte von UV-Detektoren bis hin zu Festkörperlasern gleichermaßen wertvoll. Diese eindeutigen Vorteile, gepaart mit dem Formfaktor von 5 x 5 x 0,5 mm, unterstreichen die Bedeutung von Saphirsubstraten in hochmodernen Industriesektoren.