CY11163 Aluminium (Al) beschichtete Silizium-Wafer

Mit Aluminium (Al) beschichtete Siliziumscheiben (Wafer) Beschreibung

Aluminiumbeschichtete Siliziumwafer sind Siliziumsubstrate, die mit einer dünnen Aluminiumschicht aus der Gasphase beschichtet werden. Der kontrollierte Beschichtungsprozess verbessert die Oberflächeneigenschaften, die für die Halbleiterverarbeitung entscheidend sind. Die Aluminiumschicht wirkt als elektrischer Leiter und als Schutzbarriere gegen Oxidation, was die Verarbeitung von Bauelementen und die allgemeine Betriebsleistung in Mikrofabrikationsumgebungen verbessert.

Merkmale aluminiumbeschichteter Siliziumwafer (Al)

*Die obigen Produktinformationen beruhen auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Aluminium (Al) beschichtete Siliziumwafer Anwendungen

1)Halbleiterherstellung
- Wird als kritische Komponente in der IC-Fertigung verwendet, um die Metallisierungsschnittstellen durch Nutzung der leitenden Aluminiumschicht zu verbessern.
- Anwendung als Basissubstrat in fortschrittlichen Lithografiesystemen, um eine gleichmäßige Materialabscheidung und Prozessstabilität zu erreichen.

2.mikroelektronik
- Dient als Waferplattform bei der Herstellung mikroelektronischer Geräte zur Verbesserung der elektrischen Verbindungsleistung durch die Aluminiumbeschichtung.
- Wird häufig für Sensoranordnungen verwendet, bei denen gleichbleibende Oberflächeneigenschaften erforderlich sind, um eine genaue Signalantwort und die Langlebigkeit der Geräte zu gewährleisten.

Aluminium (Al) beschichtete Siliziumwafer-Verpackung

Die Wafer werden in antistatischen Trägern verpackt und in sauberen, feuchtigkeitsbeständigen Beuteln versiegelt, um Verunreinigungen zu vermeiden. Diese Behälter sind zusätzlich mit Schaumstoffeinlagen gepolstert, um eine minimale Belastung während des Transports zu gewährleisten. Die Verpackungen entsprechen strengen Reinraumstandards und können mit spezifischen Beschriftungen und Unterteilungen versehen werden, um eine sichere Lagerung und einfache Handhabung zu ermöglichen.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer sind aufgrund ihrer ausgezeichneten thermischen und elektrischen Eigenschaften nach wie vor eine grundlegende Komponente in der Halbleiterherstellung. Die Integration einer Aluminiumbeschichtung verbessert die Funktionalität, indem sie eine leitende Schicht bildet, die auch als Barriere gegen Oxidation dient, was für die Aufrechterhaltung der Leistung bei der Hochtemperaturverarbeitung entscheidend ist.

Hochentwickelte Abscheidetechniken wie Sputtering und Dampfphasenverfahren ermöglichen eine präzise Kontrolle der Schichtdicke und -gleichmäßigkeit. Diese Verfahren tragen zur Reproduzierbarkeit und Effizienz bei, die für die Herstellung komplexer mikroelektronischer Geräte erforderlich sind, und gewährleisten die Kompatibilität mit Standardprotokollen und -geräten der Industrie.