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CY11158 Titaniumnitrid (TiN) beschichtetes Glas

Katalog-Nr. CY11158
Material TiN, Borosilikatglas
Reinheit TiN: ≥99,995%
Formular Substrat

Titaniumnitrid (TiN) beschichtetes Glas wird durch Abscheidung eines TiN-Films auf einem hochreinen Glassubstrat durch kontrollierte physikalische Gasphasenabscheidung hergestellt. Stanford Advanced Materials (SAM) führt strenge Messungen der Schichtdicke und der Gleichmäßigkeit mit Hilfe von Rasterkraftmikroskopie und optischer Inspektion durch. Dieser Ansatz minimiert Oberflächenunregelmäßigkeiten und garantiert eine quantifizierbare Schichtintegrität für Halbleiter-Rohstoffanwendungen, wodurch der Produktionsprozess technisch konsistent wird.

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FAQ

Welches sind die kritischen Parameter, die während des TiN-Abscheidungsprozesses auf Glassubstraten kontrolliert werden müssen?

Zu den wichtigsten Parametern gehören die Abscheiderate, der Kammerdruck und die Substrattemperatur. Die sorgfältige Steuerung dieser Faktoren gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke und minimiert Defekte, die die für Halbleiteranwendungen erforderlichen optischen und leitfähigen Eigenschaften beeinträchtigen könnten.

Wie wirkt sich die TiN-Beschichtung auf die thermische Stabilität des Glassubstrats aus?

Die TiN-Schicht verbessert die thermische Belastbarkeit, indem sie als Barriere gegen Hitze und Umweltverschmutzungen wirkt. Dadurch wird der Unterschied in der Wärmeausdehnung zwischen den Schichten minimiert, was die Stabilität bei den in der Halbleiterherstellung üblichen Hochtemperaturverarbeitungsschritten gewährleistet.

Welche Inspektionstechniken werden empfohlen, um die Integrität der TiN-Beschichtung zu überprüfen?

Techniken wie Rasterkraftmikroskopie, Ellipsometrie und optische Inspektion sind wirksam bei der Bewertung der Gleichmäßigkeit und Dicke der Schicht. Diese Messungen tragen dazu bei, zu bestätigen, dass die Beschichtung die genauen technischen Kriterien erfüllt, die für die Verwendung als Halbleiterrohstoff erforderlich sind. Kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

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