CY11157 Titan-Nitrid (TiN)-beschichtete Silizium-Wafer

Titanium Nitride (TiN) Coated Silicon Wafer Beschreibung

Titanium Nitride (TiN) Coated Silicon Wafer ist ein Siliziumsubstrat, auf das mittels Sputtering-Verfahren eine gleichmäßige TiN-Schicht aufgebracht wird. Die TiN-Schicht wirkt als Barriere gegen Oxidation und Verunreinigung und bietet gleichzeitig eine leitfähige Oberfläche für die Integration von Bauelementen. Die kontrollierte Schichtdicke und Homogenität sind entscheidend für die Minimierung von Defekten bei nachfolgenden Halbleiterverarbeitungsschritten und gewährleisten die Kompatibilität mit Standardherstellungsanlagen.

Merkmale von mit Titannitrid (TiN) beschichteten Siliziumwafern

*Die obigen Produktinformationen basieren auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Titan-Nitrid (TiN) beschichtete Silizium-Wafer Anwendungen

(1)Elektronik und Halbleiterherstellung
- Verwendung als Verbindungsschicht in integrierten Schaltkreisen, um durch Ausnutzung der leitenden Eigenschaften von TiN niederohmige Pfade zu erzielen.
- Anwendung als Diffusionsbarriere in Metall-Silizium-Strukturen, um eine Vermischung und Degradierung während der Hochtemperaturverarbeitung zu verhindern.

2)Oberflächenschutz und Barriereschichten
- Dient als Schutzschicht in mikroelektromechanischen Systemen (MEMS) zur Verlängerung der Lebensdauer der Geräte durch Verringerung von Oxidation und Verschleiß.
- Wird in Sensorvorrichtungen verwendet, wo die chemisch inerte TiN-Schicht die Verunreinigung minimiert und die Stabilität der Vorrichtung erhöht.

Titan-Nitrid (TiN) beschichtete Silizium-Wafer-Verpackung

Die Wafer werden in antistatischen Schalen verpackt und in laminierten Feuchtigkeitsschutzbeuteln versiegelt, um Verunreinigungen und mechanische Beschädigungen während des Transports zu vermeiden. Die Lagerung sollte in einer sauberen, trockenen und temperaturkontrollierten Umgebung erfolgen, um die Unversehrtheit der TiN-Beschichtung zu erhalten. Es sind kundenspezifische Verpackungsoptionen erhältlich, die den spezifischen Handhabungsanforderungen entsprechen und den Schutz des Produkts vor Umwelteinflüssen gewährleisten.

Zusätzliche Informationen

Titannitrid-Beschichtungen wurden wegen ihrer chemischen Inertheit und elektrischen Leitfähigkeit in Halbleiteranwendungen eingehend untersucht. Der kontrollierte Abscheidungsprozess erhöht nicht nur die Haltbarkeit der Oberfläche, sondern verbessert auch die Zuverlässigkeit der elektrischen Kontakte. Die Fortschritte in der Beschichtungstechnologie haben es den Forschern ermöglicht, die Schichteigenschaften fein abzustimmen, was verschiedenen Hightech-Fertigungsprozessen zugute kommt.

Das Verständnis des Zusammenspiels zwischen der Gleichmäßigkeit der Beschichtung und der Leistung des Substrats ist für die Halbleiterherstellung von entscheidender Bedeutung. Die Integration von TiN-Schichten in Siliziumsubstrate zeigt, wie wichtig eine sorgfältige Prozesssteuerung ist, um die gewünschten Ergebnisse sowohl für aktive als auch für passive Bauelemente zu erzielen.