CY11155 Iridium (Ir) beschichtete Silizium-Wafer

Mit Iridium (Ir) beschichtete Siliziumscheiben (Wafer) Beschreibung

Mit Iridium (Ir) beschichtete Siliziumscheiben sind Siliziumsubstrate, auf die eine Iridiumschicht durch physikalische Gasphasenabscheidung aufgebracht wird. Die dünne Metallschicht dient als Diffusionsbarriere und verhindert die Oxidation während der Hochtemperaturverarbeitung. Die Standardabmessungen des Wafers gewährleisten die Kompatibilität mit den gängigen Halbleiterfertigungsanlagen. Das Vorhandensein von Iridium erhöht die thermische Stabilität und minimiert das Kontaminationsrisiko bei der Herstellung der Bauelemente.

Eigenschaften von Iridium (Ir) beschichteten Siliziumwafern

*Die obigen Produktinformationen basieren auf theoretischen Daten und dienen nur als Referenz. Tatsächliche Spezifikationen können abweichen.

Iridium (Ir) beschichtete Siliziumwafer Anwendungen

Elektronik und Halbleiter
- Wird als Diffusionsbarriere bei der CMOS-Verarbeitung verwendet, um die Oxidation durch Ausnutzung des Iridiumfilms zu begrenzen; dadurch bleibt die Integrität des Substrats bei thermischen Behandlungen erhalten.
- Anwendung als Substrat bei der Herstellung von mikroelektronischen Sensoren, um die Oberflächenstabilität zu gewährleisten; die Beschichtung minimiert das Kontaminationsrisiko und unterstützt gleichbleibende Prozessergebnisse.

Forschung und Entwicklung
- Wird für die Untersuchung von Dünnschichteigenschaften in Versuchsaufbauten verwendet, da es eine einheitliche Beschichtung bietet; dies erleichtert eine reproduzierbare und genaue Oberflächenanalyse.
- Wird häufig in materialwissenschaftlichen Studien zur Bewertung von Metall-Halbleiter-Grenzflächen verwendet, um die Konstruktion von Halbleiterbauelementen zu verbessern.

Iridium (Ir)-beschichtete Silizium-Wafer-Packung

Die Iridium (Ir)-beschichteten Siliziumwafer sind einzeln in antistatischen Beuteln versiegelt und in Hartschaumträgern gesichert, um mechanische Stöße und Verunreinigungen durch Partikel zu reduzieren. Sie werden in temperatur- und feuchtigkeitskontrollierten Umgebungen gelagert, um die Integrität der Beschichtung zu erhalten. Maßgeschneiderte Verpackungsoptionen, einschließlich unterteilter Trays und spezifischer Etikettierung, sind erhältlich, um prozessspezifischen Handhabungsanforderungen gerecht zu werden.

Zusätzliche Informationen

Siliziumwafer bilden den Eckpfeiler der modernen Halbleiterherstellung und dienen als primäre Substrate für integrierte Schaltungen und fortschrittliche elektronische Komponenten. Durch das Aufbringen dünner Metallschichten, wie z. B. Iridium, werden diese Substrate verbessert, indem sie während der Hochtemperaturverarbeitung wichtige Barrieren gegen Diffusion und Oxidation bilden. Diese Integration von Metallschichten und Siliziumsubstraten ist ein grundlegender Aspekt der Materialwissenschaft in der Halbleiterherstellung.

Die Forschung im Bereich der Dünnschichtabscheidung entwickelt sich ständig weiter, wobei Techniken wie die Sputterabscheidung eine präzise Kontrolle der Schichteigenschaften ermöglichen. Solche Fortschritte tragen zu einer verbesserten Leistung und Skalierbarkeit der Bauelemente in verschiedenen industriellen Anwendungen bei und unterstreichen die Bedeutung von Materialkompatibilität und Prozessoptimierung in der Elektronik und Werkstofftechnik.